MMBT5551LT3G
- 厂商名称Onsemi
- 元件分类三极管
- 中文描述高电压 NPN 双极晶体管
- 英文描述High Voltage NPN Bipolar Transistor,SOT-23(TO-236)3 LEAD,10000-REEL
- 数据手册MMBT5551LT3G数据手册Datasheet PDF
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MMBT5551LT3G概述
此高电压NPN双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用SOT-23封装，适用于低功率表面贴装应用。
特性
小型SOT-23表面贴装封装可节省电路板空间
用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用的S字头；经AEC-Q101认证并可进行PPAP认证
特性
小型SOT-23表面贴装封装可节省电路板空间
用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用的S字头；经AEC-Q101认证并可进行PPAP认证
MMBT5551LT3G中文参数
| 制造商: | onsemi | 发射极 - 基极电压 VEBO: | 6 V |
| 产品种类: | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) | 集电极—射极饱和电压: | 200 mV |
| 安装风格: | SMD/SMT | 最大直流电集电极电流: | 600 mA |
| 封装 / 箱体: | SOT-23-3 | Pd-功率耗散: | 225 mW |
| 晶体管极性: | NPN | 增益带宽产品fT: | - |
| 配置: | Single | 最小工作温度: | - 55 C |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO: | 160 V | 最大工作温度: | + 150 C |
| 集电极—基极电压 VCBO: | 180 V |
MMBT5551LT3G引脚图
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