SI2323DS-T1-E3
- 厂商名称Vishay
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，P通道，20 V，4.7 A，0.039 ohm，TO-236，表面安装
- 英文描述P-channel MOSFET Transistor 3.7 A 20 V，3-Pin SOT-23，TO-236
- 数据手册SI2323DS-T1-E3数据手册Datasheet PDF
- 在线购买
SI2323DS-T1-E3概述
SI2323DS-T1-E3是一款P沟道TrenchFET®功率MOSFET，功耗为1.25W.
±8V栅-源电压
无卤素
应用
工业
±8V栅-源电压
无卤素
应用
工业
SI2323DS-T1-E3中文参数
工业制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-23-3
晶体管极性:P-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续漏极电流:4.7 A
Rds On-漏源导通电阻:39 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-8 V，+8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV
Qg-栅极电荷:19 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+150 C
Pd-功率耗散:1.25 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:48 ns
正向跨导-最小值:16 S
高度:1.45 mm
长度:2.9 mm
上升时间:43 ns
晶体管类型:1 P-Channel
典型关闭延迟时间:71 ns
典型接通延迟时间:25 ns
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SOT-23-3
晶体管极性:P-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续漏极电流:4.7 A
Rds On-漏源导通电阻:39 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-8 V，+8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV
Qg-栅极电荷:19 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+150 C
Pd-功率耗散:1.25 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降时间:48 ns
正向跨导-最小值:16 S
高度:1.45 mm
长度:2.9 mm
上升时间:43 ns
晶体管类型:1 P-Channel
典型关闭延迟时间:71 ns
典型接通延迟时间:25 ns
SI2323DS-T1-E3引脚图
爆款物料推荐
型号
价格