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IKW40N120H3

IKW40N120H3

  • 厂商名称英飞凌
  • 元件分类IGBT管
  • 中文描述晶体管,IGBT,80A,Vce=1200V,±20V,3引脚,TO-247封装
  • 英文描述Trans IGBT Chip N-CH 400V 80A 483000mW 3-Pin(3+Tab)TO-247 Tube
  • 数据手册IKW40N120H3数据手册Datasheet PDF
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IKW40N120H3概述

IKW40N120H3是一款1200V IGBT,带有快速恢复反并联二极管,设计用于在频率低于70kHz的应用中替代平面MOSFET.该系列产品的关断开关特性与MOSFET相似,因此可实现低关断损耗.分立式IGBT非常适用于硬开关应用,软开关应用,以及其他谐振应用.

低开关损耗,高效率

快速开关性能,低EMI辐射

可选择低栅极电阻(低至5R),同时保持出色的开关性能

短路能力

优秀的性能

低开关与传导损耗

应用

电源管理,替代能源

IKW40N120H3中文参数

最大连续集电极电流 80 A 晶体管配置
最大集电极-发射极电压 1200 V 长度 16.03mm
最大栅极发射极电压 ±20V 宽度 5.16mm
最大功率耗散 483 W 高度 21.1mm
封装类型 TO-247 尺寸 16.03 x 5.16 x 21.1mm
安装类型 通孔 最低工作温度 -40°C
通道类型 N 最高工作温度 +175 °C
引脚数目 3

IKW40N120H3引脚图

IKW40N120H3引脚图和PCB焊盘图

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