MBT3906DW1T1G
- 厂商名称Onsemi
- 元件分类三极管
- 中文描述双极晶体管阵列, 通用, 双PNP, 40 V, 200 mA
- 英文描述Dual PNP Bipolar Transistor,SC-88/SC70-6/SOT-363 6 LEAD,3000-REEL
- 数据手册MBT3906DW1T1G数据手册Datasheet PDF
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MBT3906DW1T1G概述
双PNP双极晶体管是我们广受欢迎的SOT-23/SOT-323三引脚器件的衍生产品。它专为通用放大器应用而设计，采用SOT-363六引脚表面贴装封装。该器件将两个分立器件封装在一个封装内，非常适合电路板空间有限的低功耗表面贴装应用。
特性
hFE,100-300
低VCE（饱和），≤400 mV
简化电路设计
减少电路板空间
减少元件数量
提供8毫米、7英寸/3,000个单元的卷带包装
器件标记：MBT3906DW1T1=A2
这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS规范
S前缀，适用于汽车和其他需要独特的现场和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证并可进行PPAP生产
特性
hFE,100-300
低VCE（饱和），≤400 mV
简化电路设计
减少电路板空间
减少元件数量
提供8毫米、7英寸/3,000个单元的卷带包装
器件标记：MBT3906DW1T1=A2
这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS规范
S前缀，适用于汽车和其他需要独特的现场和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证并可进行PPAP生产
MBT3906DW1T1G中文参数
| 制造商: | onsemi | 发射极 - 基极电压 VEBO: | 5 V |
| 产品种类: | 三极管 | 集电极—射极饱和电压: | 400 mV |
| 安装风格: | SMD/SMT | 最大直流电集电极电流: | 200 mA |
| 封装 / 箱体: | SOT-363-6 | Pd-功率耗散: | 150 mW |
| 晶体管极性: | PNP | 增益带宽产品fT: | 250 MHz |
| 配置: | Dual | 最小工作温度: | - 55 ℃ |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO: | 40 V | 最大工作温度: | + 150 ℃ |
| 集电极—基极电压 VCBO: | 40 V | 系列: | MBT3906DW1 |
MBT3906DW1T1G引脚图
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