NGTB40N135IHRWG
- 厂商名称Onsemi
- 元件分类IGBT
- 中文描述IGBT晶体管1350V/40A IGBT FSII TO-24
- 英文描述<span>ON Semiconductor NGTB40N135IHRWG IGBT,80 A 1350 V,3-Pin TO-247</span>
- 数据手册NGTB40N135IHRWG数据手册Datasheet PDF
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NGTB40N135IHRWG概述
这款绝缘栅双极晶体管(IGBT)采用坚固耐用、经济高效的场截止(FS)沟道结构，在要求苛刻的开关应用中性能优越，导通电压低，开关损耗极小。该IGBT非常适合谐振或软开关应用。
特性
-采用场截止技术的极高效沟槽
-1350 V击穿电压
-针对IH Cooker应用中的低损耗进行了优化
-可靠且经济高效的单晶片解决方案
-这些器件均为无铅器件
典型应用
-感应加热
-消费电器
-软开关
特性
-采用场截止技术的极高效沟槽
-1350 V击穿电压
-针对IH Cooker应用中的低损耗进行了优化
-可靠且经济高效的单晶片解决方案
-这些器件均为无铅器件
典型应用
-感应加热
-消费电器
-软开关
NGTB40N135IHRWG中文参数
| 制造商: | onsemi | 集电极—射极饱和电压: | 2.4 V |
| 产品种类: | IGBT 晶体管 | 栅极/发射极最大电压: | - 25 V, 25 V |
| 技术: | Si | 在25 C的连续集电极电流: | 80 A |
| 封装 / 箱体: | TO-247 | Pd-功率耗散: | 394 W |
| 安装风格: | Through Hole | 最小工作温度: | - 40 ℃ |
| 配置: | Single | 最大工作温度: | + 175 ℃ |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO: | 1.35 kV | 系列: | NGTB40N135IHR |
NGTB40N135IHRWG引脚图
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