NCP5106BDR2G
- 厂商名称Onsemi
- 元件分类栅极驱动器
- 中文描述栅极驱动器HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR
- 英文描述MOSFET/IGBT Driver,High Side and Low Side,10V to 20V Supply,500mA Out,100ns Delay,SOIC-8
- 数据手册NCP5106BDR2G数据手册Datasheet PDF
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NCP5106BDR2G概述
NCP5106是一款高压栅极驱动器集成电路，提供两个输出端，可直接驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT，采用半桥配置B版或任何其他高压侧+低压侧配置A版。
该驱动器采用自举技术，确保正确驱动高压侧功率开关。
应用
半桥电源转换器
任何互补驱动转换器（不对称半桥、有源钳位）（仅限A版本）。
全桥转换器
特点
高电压范围：高达600 V
dV/dt抗扰度±50 V/nsec
栅极驱动电源范围：10 V至20 V
高、低驱动输出
输出源/汇流能力250 mA/500 mA
兼容3.3 V和5 V输入逻辑
输入引脚电压摆幅高达Vcc
两个通道之间的传播延迟匹配
输出与输入同相
独立逻辑输入，适合所有拓扑结构（A版）
具有100 ns内部固定死区时间的交叉传导保护（B版）
双通道欠压锁定（UVLO）
引脚对引脚兼容行业标准
该驱动器采用自举技术，确保正确驱动高压侧功率开关。
应用
半桥电源转换器
任何互补驱动转换器（不对称半桥、有源钳位）（仅限A版本）。
全桥转换器
特点
高电压范围：高达600 V
dV/dt抗扰度±50 V/nsec
栅极驱动电源范围：10 V至20 V
高、低驱动输出
输出源/汇流能力250 mA/500 mA
兼容3.3 V和5 V输入逻辑
输入引脚电压摆幅高达Vcc
两个通道之间的传播延迟匹配
输出与输入同相
独立逻辑输入，适合所有拓扑结构（A版）
具有100 ns内部固定死区时间的交叉传导保护（B版）
双通道欠压锁定（UVLO）
引脚对引脚兼容行业标准
NCP5106BDR2G中文参数
| 制造商: | onsemi | 电源电压-最小: | - 300 mV |
| 产品种类: | 栅极驱动器 | 电源电压-最大: | 20 V |
| 产品: | IGBT, MOSFET Gate Drivers | 上升时间: | 85 ns |
| 类型: | Half-Bridge | 下降时间: | 35 ns |
| 安装风格: | SMD/SMT | 最小工作温度: | - 40 ℃ |
| 封装 / 箱体: | SOIC-8 | 最大工作温度: | + 125 ℃ |
| 激励器数量: | 2 Driver | 系列: | NCP5106 |
| 输出端数量: | 2 Output | 工作电源电流: | 5 mA |
| 输出电流: | 500 mA | 输出电压: | 700 mV |
NCP5106BDR2G引脚图
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