FDV303N
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，25 V，680 mA，0.33 ohm，SOT-23，表面安装
- 英文描述Trans MOSFET N-CH 25V 0.68A 3-Pin SOT-23 T/R
- 数据手册FDV303N数据手册Datasheet PDF
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FDV303N概述
Fairchild公司的FDV303N是一个表面安装的N沟道逻辑电平加强模式数字FET，SOT-23封装.此设备具有高密度，DMOS技术，量身设计以最小化通导电阻并保持低栅极驱动条件.甚至当栅极驱动电压低至2.5V时，此设备具有卓越的通导电阻，设计用于电池电路，电路可采用一块锂电池，或三个镉电池，或NHM电池，另有逆变器，高效微型离散直流/直流转换器位于如移动电话和传呼机等电子设备.
漏极至源极电压:25V
栅-源电压：8V
持续漏电流(ld):680mA
功率耗散:350mW
低导通电阻:330mohm，Vgs 4.5V
工作温度范围:-55°C至150°C
应用
电源管理，消费电子产品，便携式器材，工业
漏极至源极电压:25V
栅-源电压：8V
持续漏电流(ld):680mA
功率耗散:350mW
低导通电阻:330mohm，Vgs 4.5V
工作温度范围:-55°C至150°C
应用
电源管理，消费电子产品，便携式器材，工业
FDV303N中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 680 mA | 最大栅源电压 | +8 V |
| 最大漏源电压 | 25 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | SOT-23 | 宽度 | 1.3mm |
| 安装类型 | 表面贴装 | 高度 | 0.93mm |
| 引脚数目 | 3 | 典型栅极电荷@Vgs | 1.64 nC @ 4.5 V |
| 最大漏源电阻值 | 450 mΩ | 长度 | 2.92mm |
| 通道模式 | 增强 | 晶体管材料 | Si |
| 最小栅阈值电压 | 0.65V | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 350 mW | 最高工作温度 | +150 °C |
FDV303N引脚图
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