FDN338P
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，P沟道，20 V，1.6 A，0.13 ohm，SOT-23，表面安装
- 英文描述Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
- 数据手册FDN338P数据手册Datasheet PDF
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FDN338P概述
FDN338P是一款2.5V P沟道MOSFET，采用Fairchild先进的低压PowerTrench®工艺制造。适用于电池电源管理，负载开关，电池保护等应用。与相同尺寸的SOT23相比，SuperSOT?-3具有更低的RDS(ON)，以更高(30%)功率处理能力。
快速开关速度
高性能沟道技术，极低的Rds(ON)
应用
电源管理，工业
快速开关速度
高性能沟道技术，极低的Rds(ON)
应用
电源管理，工业
FDN338P中文参数
| 通道类型 | P | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 1.6 A | 最大栅源电压 | -8 V、+8 V |
| 最大漏源电压 | 20 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | SOT-23 | 最高工作温度 | +150 °C |
| 安装类型 | 表面贴装 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 引脚数目 | 3 | 系列 | PowerTrench |
| 最大漏源电阻值 | 115 mΩ | 宽度 | 1.4mm |
| 通道模式 | 增强 | 高度 | 0.94mm |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | 典型栅极电荷@Vgs | 4.4 nC @ 4.5 V |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | 晶体管材料 | Si |
| 最大功率耗散 | 500 mW | 长度 | 2.92mm |
FDN338P引脚图
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