FDN360P
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述<span>功率场效应管，MOSFET，P沟道，30 V，2 A，0.08 ohm，SOT-23，表面安装</span>
- 英文描述<span>Trans MOSFET P-CH 30V 2A 3-Pin SOT-23 T/R</span>
- 数据手册FDN360P数据手册Datasheet PDF
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FDN360P概述
FDN360P是一款表面安装单P沟道PowerTrench MOSFET，superSOT-23封装.PowerTrench工艺可以最大限度地降低导通电阻，并保持较低的栅极电荷，实现卓越的开关性能.该器件非常适合低电压和电池供电的应用.
FDN360P中文参数
| 通道类型 | P | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大连续漏极电流 | 2 A | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电压 | 30 V | 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装类型 | SOT-23 | 最高工作温度 | +150 °C |
| 安装类型 | 表面贴装 | 晶体管材料 | Si |
| 引脚数目 | 3 | 长度 | 2.92mm |
| 最大漏源电阻值 | 80 mΩ | 典型栅极电荷@Vgs | 6.2 nC @ 10 V |
| 通道模式 | 增强 | 系列 | PowerTrench |
| 最小栅阈值电压 | 1V | 高度 | 0.94mm |
| 最大功率耗散 | 500 mW | 宽度 | 1.4mm |
| 晶体管配置 | 单 |
FDN360P引脚图
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