IRF540NPBF
- 厂商名称英飞凌
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N沟道，100 V，33 A，0.044 ohm，TO-220AB，通孔
- 英文描述Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(3+Tab)TO-220AB Full-Pak Tube
- 数据手册IRF540NPBF数据手册Datasheet PDF
- 在线购买
IRF540NPBF概述
International Rectifier公司的IRF540NPBF为100V单路N通道HEXFET功率MOSFET，TO-220AB封装.此MOSFET具有极低的每硅片区面积电阻，动态的dv/dt评级，坚固耐用的快速切换以及全额定雪崩，著名的功率MOSFET提供极高的效率和稳定性，用于多种应用程序.
漏极至源极电压:100V
栅-源电压：±20V
10V通导电阻Rds(on):44m欧
25°C功率耗散Pd:130W
Vgs 10V和25°C持续漏电流Id:33A
工作结温范围:-55°C至175°C
应用
电源管理，工业，便携式器材，消费电子产品
漏极至源极电压:100V
栅-源电压：±20V
10V通导电阻Rds(on):44m欧
25°C功率耗散Pd:130W
Vgs 10V和25°C持续漏电流Id:33A
工作结温范围:-55°C至175°C
应用
电源管理，工业，便携式器材，消费电子产品
IRF540NPBF中文参数
| 通道类型 | N | 晶体管配置 | 单 |
| 最大连续漏极电流 | 33 A | 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 最大漏源电压 | 100 V | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 封装类型 | TO-220AB | 晶体管材料 | Si |
| 安装类型 | 通孔 | 长度 | 10.54mm |
| 引脚数目 | 3 | 系列 | HEXFET |
| 最大漏源电阻值 | 44 mΩ | 高度 | 8.77mm |
| 通道模式 | 增强 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大栅阈值电压 | 4V | 典型栅极电荷@Vgs | 71 nC @ 10 V |
| 最小栅阈值电压 | 2V | 最高工作温度 | +175 °C |
| 最大功率耗散 | 130 W | 宽度 | 4.69mm |
IRF540NPBF引脚图
爆款物料推荐
型号
价格