FDN342P
- 厂商名称ON安森美
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率MOSFET，P通道，20 V，2 A，0.062 ohm，SuperSOT，表面贴装
- 英文描述Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
- 数据手册FDN342P数据手册Datasheet PDF
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FDN342P概述
FDN342P是采用飞兆半导体先进PowerTrench®工艺的坚固门版本生产的2.5V指定P沟道MOSFET。它已针对需要各种栅极驱动电压额定值（2.5至12V）的负载开关和电池保护应用进行了优化。
高性能Trench技术可实现极低的RDS（ON）
应用
电源管理，工业
高性能Trench技术可实现极低的RDS（ON）
应用
电源管理，工业
FDN342P中文参数
| 通道类型 | P | 最大栅源电压 | -12 V、+12 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.083333333 | 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电压 | 20 V | 高度 | 0.94mm |
| 封装类型 | SOT-23 | 最低工作温度 | -55 °C |
| 安装类型 | 表面贴装 | 晶体管材料 | Si |
| 引脚数目 | 3 | 宽度 | 1.4mm |
| 最大漏源电阻值 | 80 mΩ | 长度 | 2.92mm |
| 通道模式 | 增强 | 最高工作温度 | +150 °C |
| 最小栅阈值电压 | 0.6V | 典型栅极电荷@Vgs | 6.3 nC @ 4.5 V |
| 最大功率耗散 | 500 mW | 系列 | PowerTrench |
| 晶体管配置 | 单 |
FDN342P引脚图
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