BSS123,215
- 厂商名称nexperia
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管,MOSFET,N通道,100 V,150 mA,3.5 ohm,SOT-23,表面安装
- 英文描述N-channel MOSFET,150 mA,100 V,3-Pin SOT-23
- 数据手册BSS123,215数据手册Datasheet PDF
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BSS123,215概述
BSS123是一款表面安装N沟道增强模式场效应晶体管,采用TrenchMOS技术,SOT-23封装.该晶体管具有非常高的开关速度,并且兼容逻辑电平.BS123适用于高速线路驱动器,电话振铃与继电器驱动器.
漏-源电压(Vds):100V
栅-源电压:±20V
连续漏极电流(ld):150mA
功耗(Pd)为250mW
工作结温范围:-55°C至150°C
应用
电源管理,消费电子产品,便携式器材,工业
漏-源电压(Vds):100V
栅-源电压:±20V
连续漏极电流(ld):150mA
功耗(Pd)为250mW
工作结温范围:-55°C至150°C
应用
电源管理,消费电子产品,便携式器材,工业
BSS123,215中文参数
| 制造商: | Nexperia | Id-连续漏极电流: | 150 mA |
| 产品种类: | MOSFET | Rds On-漏源导通电阻: | 6 Ohms |
| 技术: | Si | Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
| 安装风格: | SMD/SMT | Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
| 封装 / 箱体: | SOT-23-3 | Qg-栅极电荷: | - |
| 晶体管极性: | N-Channel | 最小工作温度: | - 55 C |
| 通道数量: | 1 Channel | 最大工作温度: | + 150 C |
| Vds-漏源极击穿电压: | 100 V | Pd-功率耗散: | 250 mW |
BSS123,215引脚图
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