IRFB3607PBF
- 厂商名称Infineon
- 元件分类MOS管
- 中文描述采用TO-220封装的75V单N沟道StrongIRFET?功率MOSFET
- 英文描述<span>MOSFET N-Channel 75V 80A HEXFET TO220AB Infineon IRFB3607PBF N-channel MOSFET Transistor,80 A,75 V,3-Pin TO-220AB</span>
- 数据手册IRFB3607PBF数据手册Datasheet PDF
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IRFB3607PBF概述
StrongIRFET?功率MOSFET系列针对低RDS(on)和高电流能力进行了优化。这些器件是要求性能和坚固性的低频应用的理想选择。全面的产品组合可满足广泛的应用，包括直流电动机、电池管理系统、逆变器和DC-DC转换器。
特点概述
工业标准通孔电源封装
高额定电流
符合JEDEC标准的产品认证
为开关频率低于<100 kHz的应用优化的硅
与前一代硅相比，体二极管更软
提供广泛的产品组合
优点
标准引脚布局，可直接替换
高电流承载能力的封装
工业标准认证水平
在低频应用中具有高性能
提高了功率密度
为设计者提供灵活性，为其应用选择最理想的器件
潜在的应用
电池供电的应用
电动工具
直流电动机驱动
轻型电动车(LEV)
SMPS
特点概述
工业标准通孔电源封装
高额定电流
符合JEDEC标准的产品认证
为开关频率低于<100 kHz的应用优化的硅
与前一代硅相比，体二极管更软
提供广泛的产品组合
优点
标准引脚布局，可直接替换
高电流承载能力的封装
工业标准认证水平
在低频应用中具有高性能
提高了功率密度
为设计者提供灵活性，为其应用选择最理想的器件
潜在的应用
电池供电的应用
电动工具
直流电动机驱动
轻型电动车(LEV)
SMPS
IRFB3607PBF中文参数
| 制造商: | Infineon | Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
| 产品种类: | MOSFET | Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.8 V |
| 技术: | Si | Qg-栅极电荷: | 84 nC |
| 安装风格: | Through Hole | 最小工作温度: | - 55 C |
| 封装 / 箱体: | TO-220-3 | 最大工作温度: | + 175 C |
| 晶体管极性: | N-Channel | Pd-功率耗散: | 140 W |
| 通道数量: | 1 Channel | 通道模式: | Enhancement |
| Vds-漏源极击穿电压: | 75 V | 配置: | Single |
| Id-连续漏极电流: | 80 A | 晶体管类型: | 1 N-Channel |
| Rds On-漏源导通电阻: | 7.34 mOhms |
IRFB3607PBF引脚图
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