NVR5198NLT1G
- 厂商名称Onsemi
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管,MOSFET,AEC-Q101,N通道,60 V,2.2 A,0.107 ohm,SOT-23,表面安装
- 英文描述MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH
- 数据手册NVR5198NLT1G数据手册Datasheet PDF
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NVR5198NLT1G概述
NVR5198NLT1G是车规级功率MOSFET，60V，155 mΩ，单N沟道，逻辑电平，SOT?23 AEC-Q101认证且具备生产件批准程序(PPAP)功能，适用于汽车应用。
特性
小尺寸工业标准表面贴装SOT-23封装
低rDS(on)，可降低传导损耗并提高效率
通过AECQ101认证和PPAP能力
符合RoHS标准
应用
锂离子电池的平衡
负载开关
终端产品
混合动力汽车/电动汽车
汽车信息娱乐系统
特性
小尺寸工业标准表面贴装SOT-23封装
低rDS(on)，可降低传导损耗并提高效率
通过AECQ101认证和PPAP能力
符合RoHS标准
应用
锂离子电池的平衡
负载开关
终端产品
混合动力汽车/电动汽车
汽车信息娱乐系统
NVR5198NLT1G中文参数
| 制造商: | onsemi | 最小工作温度: | - 55 C |
| 产品种类: | MOSFET | 最大工作温度: | + 150 C |
| 技术: | Si | Pd-功率耗散: | 1.5 W |
| 安装风格: | SMD/SMT | 通道模式: | Enhancement |
| 封装 / 箱体: | SOT-23-3 | 资格: | AEC-Q101 |
| 晶体管极性: | N-Channel | 系列: | NVR5198NL |
| 通道数量: | 1 Channel | 配置: | Single |
| Vds-漏源极击穿电压: | 60 V | 下降时间: | 2 ns |
| Id-连续漏极电流: | 2.2 A | 正向跨导 - 最小值: | 3 S |
| Rds On-漏源导通电阻: | 155 mOhms | 上升时间: | 7 ns |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V | 晶体管类型: | 1 N-Channel |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.5 V | 典型关闭延迟时间: | 13 ns |
| Qg-栅极电荷: | 5.1 nC | 典型接通延迟时间: | 5 ns |
NVR5198NLT1G引脚图
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