FDB3632
- 厂商名称onsemi
- 元件分类MOS管
- 中文描述功率场效应管，MOSFET，N通道，100 V，80 A，0.0075 ohm，TO-263AB，表面安装
- 英文描述N-Channel MOSFET，12 A，100 V PowerTrench，3-Pin D2PAK ON Semiconductor
- 数据手册FDB3632数据手册Datasheet PDF
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FDB3632概述
FDB3632是一款100V的N沟道PowerTrench®MOSFET，它是专门为最小化导通电阻和保持低栅极电荷而设计的，具有卓越的开关性能。最新的中压功率MOSFET是优化的功率开关，结合了小栅极电荷（QG）、小反向恢复电荷（Qrr）和软反向恢复体二极管，有助于在AC/DC电源中实现同步整流的快速开关。它采用了能提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术，这些器件的FOM（功绩值（QGxRDS(ON)））比上一代产品低66%。新型PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲器电路或取代更高的电压等级--MOSFET需要的电路，因为它能够将同步整流中的不良电压尖峰降至最低。该产品具有通用性，适用于许多不同的应用。
低米勒电荷
低Qrr体二极管
UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
低米勒电荷
低Qrr体二极管
UIS能力(单脉冲和重复脉冲)
FDB3632中文参数
制造商:onsemi
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SC-70-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:80 A
Rds On-漏源导通电阻:7.5 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V，+20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Qg-栅极电荷:110 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+175 C
Pd-功率耗散:310 W
产品种类:MOSFET
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:SC-70-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:100 V
Id-连续漏极电流:80 A
Rds On-漏源导通电阻:7.5 mOhms
Vgs-栅极-源极电压:-20 V，+20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Qg-栅极电荷:110 nC
最小工作温度:-55 C
最大工作温度:+175 C
Pd-功率耗散:310 W
FDB3632引脚图
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