11月24日消息，昨日在第二十二届中国国际半导体博览会（IC China）上，长鑫存储首次全面展示了DDR5和LPDDR5X两大产品线最新产品。这标志着，长鑫存储不仅是中国首个推出DDR5内存的公司，也标志着国产DDR5内存实现了从零到一的突破。
长鑫存储此次发布的8000 Mbps DDR5芯片，较当前市场主流的6400Mbps产品速率提升25%，一举迈入国际顶级性能梯队。
在内存容量上，长鑫存储在标准16Gb颗粒基础上，重点推出了24Gb大容量颗粒，这项突破对大规模数据中心意义重大，能在不占用额外物理插槽的前提下，显著提升系统的模型加载能力与多任务处理效率。
图源：长鑫存储
长鑫存储本次展出的七大模组实现了从云到边缘端的全场景覆盖：包括用于数据中心和企业级服务器的RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM，适配主流台式机的UDIMM，满足笔记本电脑的SODIMM，以及面向高端超频与工作站市场的CUDIMM、CSODIMM等新型时钟驱动模组。
特别值得关注的是，长鑫存储在MRDIMM等前沿领域的布局，显示其已具备支持下一代服务器平台与新型互连标准的实力。
而紧跟国际标准组织JEDEC 2024年最新标准推出的CUDIMM、CSODIMM模组，通过集成CKD芯片，有效解决了高频信号衰减的瓶颈，为PC与工作站运行更高频率提供了坚实保障。
图源：长鑫存储
在同台展示的产品中，长鑫存储还带来了10月最新发布的LPDDR5X产品。目前LPDDR5X的产品阵容包括颗粒、芯片及模组等形态，颗粒包括12Gb和16Gb两个容量点，芯片形态提供了覆盖12GB、16GB、24GB等多个容量点的解决方案。
模组形态的LPCAMM产品容量为16GB和32GB。LPDDR5X产品的速率覆盖了8533Mbps、9600Mbps、10667Mbps，同时兼容LPDDR5。其中8533Mbps和9600Mbps速率的产品已于今年5月量产，10667Mbps速率的产品已经启动客户送样。
长鑫存储市场中心负责人骆晓东在发布会上表示。当前DRAM需求的爆发式增长对市场供给、价格都带来了巨大影响，中国需要有稳定的国产DRAM产能供应。通过产能扩张和规模效应，减少对海外厂商产能的依赖。
图源：长鑫存储
此次DDR5产品的发布，打破了国外厂商在DDR5领域的垄断，是中国在高端DRAM领域实现技术自主可控的关键一步。其产品线全面覆盖了从服务器、台式机到笔记本电脑等多种应用场景，能够满足国内市场对新一代内存的广泛需求。
在全球DRAM供应紧张、价格波动的背景下，长鑫存储的DDR5产能将为中国市场提供稳定可靠的内存供应，为中国的数字化转型注入强劲动力。
中国半导体产业正在高端芯片领域加速奔跑，而长鑫存储的这一次亮相，无疑为中国在全球存储芯片市场上争得了一席重要之地。
消息数据来源：第一闪存、长鑫存储
