半桥MOSFET驱动优选，顾邦GBI7A56赋能光伏微逆与通信电源等多场景

2025-09-04 09:27:51阅读量：3590

顾邦半导体GBI7A56，120V自举升压/4A峰值电流半桥驱动器，输入VDD电压范围8V-20V，两个独立输入驱动采用高侧/低侧配置的N沟道MOSFET。广泛应用于光伏微逆、通信电源、高压降压转换器、半桥和全桥转换器等场景。

产品概述

GBI7A56是一款高频半桥 N 通道功率 MOSFET 驱动器。其 VDD输入电压范围8V-20V，峰值输出电流高至 4A 拉电流和 4A 灌电流。低端和高端驱动通道分别独立控制，且匹配时间延迟3ns，上升传输延迟28ns, 下降传输延迟24ns。

驱动输入端电压支持-10V至20V范围，输入逻辑兼容TTL和CMOS标准。集成自举二极管减少了外部元器件的使用，导通电阻仅为0.5Ω，支持高达120V自举电压。GBI7A56提供VDD输入电压UVLO保护功能，支持运行结温-40℃至150℃。

产品特性

· 8V-20V宽范围供电电压输入

· 4A峰值拉电流和4A峰值灌电流

· 自举电压最大120V

· 提供-10V负输入电压能力

· 快速上升和下降传播延迟: 28ns和24ns

· 快速上升和下降时间: 7ns和5ns

· 延迟匹配3ns

· 支持TTL和CMOS输入逻辑门限

· 静态电流: 240uA

· 输入Floating时，输出强制为低

· eSOP-8 和DFN-8 (4mm x 4mm)封装

系统应用图

产品性能

GBI7A56半桥驱动稳态工作波形图如下所示，其中VDD为10V，DC_Bus 100V，LI与HI输入频率为100kHz.

GBI7A56具有良好的热性能，在图4应用中的热测试结果如下所示，其PCB板参数为2layer，顶层底层覆铜为1oz, PCB大小为 50mm x 70mm

产品家族

GOSEMICON(顾邦半导体) | MOSFET

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