深圳市金誉半导体股份有限公司（简称“金誉半导体”）成立于2011年，是一家国家级高新技术企业，深耕半导体产业，专注于功率器件、分立器件、集成电路的研发设计、先进封装、测试及销售。
公司拥有占地60亩（12万+平方米）的现代化生产基地，固定资产投资达6.5亿人民币，引进全球领先的封测设备，构建了强大的智能制造体系。金誉半导体提供BGA、TOLL、TOLT、DFN、QFN、PDFN、TO、SOD、TSSOP、SOP、SOT等全系列集成电路封装产品。
核心业务聚焦于12条产品线，包括二三极管/小MOS、数字晶体管、ESD/TVS、可控硅、整流管/桥、玻封管、快恢复/肖特基、LDO/通用IC、功率器件、碳化硅二极管、碳化硅MOS以及GaN系列。产品广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、工业控制、通讯电源、充电桩、PD快充、智能家居、消费电子、汽车电子等关键领域。
金誉半导体秉持“金品品质，信誉全球”的宗旨，依托强大的研发实力和先进的制造能力，致力于为全球客户提供高效、可靠的国产化半导体解决方案，持续赋能未来科技，引领功率半导体发展新篇章。公司集团化运营，拥有10家子公司及1000+名员工，2023年营收达7.9亿人民币，矢志成为中国卓越的半导体器件制造商及知名的半导体设计、封测企业，为产业发展贡献力量。
产品介绍：产品介绍与优势
1. QFN封装系列
型号：QFN-32/48/64
优势：无引脚设计紧贴PCB，降低寄生参数，提升电气性能；高效散热结构保障高功率稳定性。
应用：消费电子、工业设备、汽车电子，解决PCB过热导致的系统寿命骤减问题。
2. TOLT封装解决方案
技术亮点：顶部直冷技术（95%热量顶部导出，PCB温降50%+）；双排鸥翼引脚+窄体设计（热阻降20%，功率密度升35%）。
优势：工业/汽车/通信设备寿命延长300%，散热成本降15%。
3. 第四代1200V SiC MOSFET
型号：PSWF120M52（TO-247-3L）、PSW120M（TO-247-4L）
性能：导通电阻低至32mΩ/40mΩ/75mΩ；开关损耗降50%，寿命提升3倍。
场景：电动车主驱效率升30%，光伏/5G基站损耗优化，支持800V超充平台。
4. 无人机动力MOSFET (PGN04N012HP)
封装：PDFN5×6-8L
突破：铜带键合工艺（电流+30%）；0.67mΩ内阻，单管320A输出；军工级雪崩测试。
优势：无人机续航+18%，工业DC-DC/电机驱动响应快0.3秒。
核心型号清单
技术共性优势：
创新封装结构（QFN/TOLT）→ 散热效率提升50%+
SiC/GaN前沿技术 → 高频高效、国产替代突破
军工级可靠性验证 → 寿命延长300%
全生态链自主设计 → 高性价比解决方案
1. PDFN-8L(5x6)封装： PTN25C03
2. SOT-23封装：BSS123 SA
3. DFN-6L(2x2)：PTM20P04D
