在服务器电源、工业驱动及新能源领域，MOSFET的性能直接决定系统的能效与可靠性。为满足高密度、高效率需求，MDD半导体推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q（30V N沟道增强型MOS）凭借3.5mΩ低导通电阻与屏蔽栅优化技术，为同步整流、电机驱动等场景提供高效解决方案。
一、产品概述：PowerTrench工艺与屏蔽栅技术的融合
MDDG03R04Q采用MDD的Trench工艺，结合屏蔽栅结构，通过优化载流子迁移路径与电场分布，实现：
- 极低导通电阻：RDS(on)低至3.5mΩ（VGS=10V，ID=20A），显著降低导通损耗。
- 快速开关性能：优化栅极电荷（Qg）与软恢复体二极管，支持高频应用。
- 工业级可靠性：100% UIS测试认证，确保雪崩能量耐受能力。
二、核心性能与关键参数
1. 导通与动态特性
- RDS(on)@10V=3.5mΩ：相比传统MOSFET，导通损耗降低，提升电源转换效率。
- 低反向恢复电荷（Qrr）：减少同步整流中的反向导通损耗，优化系统能效。
- 快速开关响应：开启/关断延迟时间优化，适配高频PWM控制。
2. 可靠性认证与环保标准
- 100% UIS测试：单脉冲雪崩能量（EAS）通过严格验证，保障感性负载场景稳定性。
- RoHS合规：无铅环保工艺，符合全球环保法规。
3. 热性能与封装设计
- PDFN3*3-8L封装：贴片式金属背板设计提升散热能力，支持持续高电流工况。
- 宽温工作范围：-55℃~150℃，适应严苛环境。
三、典型应用场景
1. 同步整流（ATX/服务器/电信PSU）
- 低RDS(on)与Qrr特性：优化DC/DC转换效率，减少同步整流损耗，适用于钛金级电源设计。
- 高频开关能力：适配LLC谐振拓扑，提升功率密度。
2. 工业电机驱动与不间断电源（UPS）
- 80A持续电流能力：支持伺服电机、AGV小车驱动需求。
- 高雪崩能量耐受：应对电机启停与电池切换瞬态冲击，系统可靠性提升25%。
3. 微型太阳能逆变器（Micro Solar Inverter）
- 高效MPPT控制：低导通损耗提升光伏能量转换效率。
- 宽温工作范围：适应户外极端温度波动，保障长期稳定运行。
四、选型推荐
除此之外，MDD新推出的低压大电流系列MOS针对不同的应用场景，推出不同的型号，以满足各行业匹配需求。
| Part Number | Type | BVDSS(V) | ID (A) | VGS (V) | ESD | RDS(ON) (mΩ) VGS=10V | RDS(ON) (mΩ) VGS=4.5V | VGS(th) (V) | Package | |||
| Typ. | Max. | Typ. | Max. | Min. | Max. | |||||||
| MDDG10R08G | N | 100 | 70 | ±20 | N | 7 | 8 | 8 | 10 | 1 | 2.5 | PDFN5*6-8L |
| MDDG10R20D | N | 100 | 30 | ±20 | N | 13.8 | 20 | 17.4 | 26 | 1.4 | 2.5 | TO-252 |
| MDDG03R04Q | N | 30 | 80 | ±20 | N | 3.5 | 4.3 | 5.5 | 6.9 | 1 | 2.5 | PDFN3*3-8L |
| MDD210N40P | N | 40 | 210 | ±20 | N | 1.5 | 2.5 | 1.8 | 2.7 | 1 | 2.5 | TO-220C-3L |
| MDDG10R04P | N | 100 | 130 | ±20 | N | 3.2 | 4.4 | 一 | 一 | 2 | 4 | TO-220C-3L |
| MDD100N03D | N | 30 | 100 | ±20 | N | 2.8 | 3.6 | 4 | 6.1 | 1.2 | 2.2 | TO-252 |
| MDD30P04D | P | -40 | -30 | ±20 | N | 15 | 18 | 19 | 26 | -1 | -2.5 | TO-252 |
