据最新的消息，国家第三代半导体技术创新中心（南京）历经四年自主研发，成功突破了沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造的关键技术，标志着我国在这一领域实现了首次重大突破。在这个创新驱动的时代，作为第九届立创电子设计开源大赛的协办单位，微硕半导体（WINSOK）推出了SGT工艺新品。
SGT这种技术改变了MOSFET内部电场的形态，将传统的三角形电场进一步的变为更为压缩的梯形电场，可以进一步减小EPI层的厚度，降低导通电阻，减小热阻。目前微硕半导体（WINSOK）新一代的低、中压的功率MOSFET，广泛地采用这种技术，如：WSD100N06GDN56、WSD40120DN56G、WSF15N10G、WSR170N04G等。
SGT工艺的优点
SGT工艺MOSFET和普通沟槽型MOSFET相比，开关损耗更低，结电容更小，米勒平台窄，内阻低。具体而言，SGT工艺比普通沟槽工艺挖掘深度深3-5倍，在栅电极下方增加了一块多晶硅电极，即屏蔽电极或称耦合电极；屏蔽电极与源电极相连，即实现了屏蔽栅极与漂移区的作用，减小了米勒电容，器件的开关速度得以加快，同时又实现了电荷耦合效应，减小了漂移区临界电场强度，器件的导通电阻得以减小，开关损耗能够更低。与普通沟槽型MOSFET相比，SGT MOSFET的内阻要低2倍以上。
MOSFET通过SGT技术减小场效应晶体管的寄生电容及导通电阻，从而提升芯片性能，减小芯片面积，与普通的沟槽型MOSFET相比在同一功耗下芯片面积减少超过４成。SGT技术独特的器件结构和掩膜版图设计提升了产品的耐用度和减少了芯片面积，其独特的工艺流程设计则减少了工艺步骤和掩膜版的数量，从而减低了MOSFET的生产成本，使MOSFET产品极具性价比，更有竞争力。
采用SGT技术制造的MOSFET，与普通的沟槽型MOSFET和平面MOSFET相比，在功率密度上占有很大的优势。由于SGT MOSFET具有较深的沟槽深度，可以利用更多的晶硅体积来吸收EAS能量，所以SGT在雪崩时可以做得更好，更能承受雪崩击穿和浪涌电流。
现状
如今，随着市场上的高端MOSFET的逐步下沉，以及各大功率半导体厂商向高端产品研发的迈进，SGT MOSFET具有更加广阔的发展空间。为了迎接SGT技术以及更加广阔的市场，微硕半导体（WINSOK）优化了现有的产品线，推出了一系列30V/60V/100V/120V等（TO-252/DNF3x3/DFN5x6/TO-220/TOLL等封装）低内阻、大电流、低功耗MOSFET，可应用于电子烟、无线充、电机、应急电源、无人机、医疗、车充、控制器、数码产品、小家电、消费类电子等领域。
微硕半导体（WINSOK）后续将持续和立创商城深化合作，为客户提供便捷的采购服务。并通过立创商城把微硕半导体（WINSOK）最新、最全面的产品信息及时提供给广大客户，让客户体验到创新产品和优质服务。
