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  • 什么是Flash?有NOR Flash ROM和NAND Flash ROM

  • 2024-07-02 15:37:15 阅读量:448

1.什么是 Flash

Flash ROM 是近些年应用最广、速度最快的只读存储器,原理是从 EEPROM 基础上改进发展来的,特点是擦除和编程速度快,因此得名为闪速(或闪烁)存储器,简称闪存。

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NOR Flash NAND Flash 是现在市场上两种主要的闪存技术。Intel1988年首先开发出 NOR Flash 技术,彻底改变了原先由 EPROM EEPROM 一统天下的局面。紧接着,1989,东芝公司发表了 NAND Flash 结构,后者的单元电路尺寸几乎只是 NOR 器件的一半,可以在给定的芯片尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。

 

2.NOR Flash ROM

NOR Flash ROM 的特点是以字节为单位随机存取。这样,应用程序可以直接在 Flash ROM 中执行,不必再把程序代码预先读到 RAM 中。NOR Flash ROM 的接口简单,与通常的扩展存储器一样,可以直接连接到处理器的外围总线上。

 

3.NAND Flash ROM

NAND Flash ROM 应该是目前最热门的存储芯片了。因为我们生活中经常使用的电子产品都会涉及到它。比如你买手机,肯定会考虑64GB,还是256GB?买笔记本是买256GB,还是512GB容量的硬盘呢?(目前电脑大部分采用了基于 NAND Flash 产品的固态硬盘)。 

 

NOR Flash ROM 相比, NAND Flash ROM 以页(行)为单位随机存取,在容量、使用寿命和成本方面有较大优势。但是它的读出速度稍慢,编程较为复杂,因此大多作为数据存储器使用。嵌入式产品中包括数码相机、MP3 随身听记忆卡、体积小巧的U盘等均采用 NAND Flash ROM

 

在存储结构上,NAND Flash 内部采用非线性宏单元模式,全部存储单元被划分为若干个块(类似于硬盘的,一般为8 KB),这也是擦除操作的基本单位。进而,每个块又分为若干个大小为512 B的页,每页的存储容量与硬盘每个扇区的容量相同。也就是说,每页都有512条位线,每条位线连接一个存储元。此时,要修改NAND 芯片中一个字节,就必须重写整个数据块。当Flash 存储器的容量不同时,其块数量以及组成块的页的数量都将不同。相应地,地址信息包括了列地址、块地址以及相应的页面地址。这些地址通过8位总线分组传输,需要多个时钟周期。当容量增大时,地址信息增加,那么就需要占用更多的寻址周期,寻址时间也就越长。这导致NAND Flash的地址传输开销大,因此并不适合于频繁、小数据量访问的应用。

 

相比较而言,NAND Flash 存储器具有更高的存储密度、更快的写人速度、更低的价格以及更好的擦写耐用性等优点,非常适用于大量数据的存储。但由于NAND Flash的接口和操作都相对复杂,位交换操作频繁,因此通常还要采用错误探测/错误纠正(EDC/ECC)算法来保护关键性数据。

 

例如深圳雷龙有限公司的 CSNP32GCR01-AOW 芯片。

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.免驱动使用。SD NAND内置了针对NAND Flash的坏块管理,平均读写,动态和静态的EDC/ECC等算法。

 

.性能更稳定。由于NAND Flash内部是先擦后写机制,如果软件处理不当,在突然掉电的时候就会导致数据丢失。而SD NAND内部自带的垃圾回收等机制可以很好的规避这个问题。因此CS创世的二代产品才会通过10K次的随机掉电测试。 

 

.尺寸更小。目前SD NAND 68mm 大小,8pin脚,相比Raw NAND1220mm大小,48pin脚,采用SD NAND可以做出更小巧的产品,而且也能节省CPU宝贵的GPIO口(这点对于MCU单片机来说更是重要)

 

.SD NAND可选容量更多。目前有128MB/512MB/4GB容量。而SLC Raw NAND 主流容量128MB512MB已经少见,供货周期也很长;单颗4GBRaw NAND基本都是MLC或者TLC NAND的晶圆,管理起来更复杂。

 

不用写驱动程序自带坏块管理的 NAND Flash(贴片式TF卡),尺寸小巧,简单易用,兼容性强,稳定可靠,固件可定制,LGA-8 封装,标准SDIO接口,兼容SPI,兼容拔插式TF/SD卡,可替代普通 TF/SD 卡,尺寸 6.2x8mm ,内置平均读写算法,通过1万次随机掉电测试耐高低温,机贴手贴都非常方便,速度级别Class10(读取速度 23.5MB/S 写入速度 12.3MB/S )标准的 SD2.0 协议普通的SD卡可直接驱动,支持TF卡启动的 SOC 都可以用 SD NAND 

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