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  • Nexperia:推出业界领先的1200V SiC MOSFET

  • 2024-05-23 16:27:49 阅读量:428 来源:Nexperia

导读:Nexperia(安世半导体)近日宣布,公司现推出业界领先的1200V 碳化硅(SiC) MOSFET,采用D2PAK-7 表面贴装器件(SMD)封装,有30、40、60和80 mΩ RDson 值可供选择。



Nexperia:推出D²PAK-7封装1200V SiC MOSFET


这是继 Nexperia 于 2023 年底发布两款采用 3 引脚和 4 引脚 TO-247 封装的 SiC MOSFET 分立器件之后的又一新产品,它将使其 SiC MOSFET 产品组合迅速扩展到包括 RDson 值为 17、30、40、60 和 80 mΩ 且封装灵活的器件。 


随着 NSF0xx120D7A0 的发布,Nexperia 正在满足市场对采用 D2PAK-7 等 SMD 封装的高性能 SiC 开关日益增长的需求,这种开关在电动汽车(EV)充电(充电桩)、不间断电源(UPS)以及太阳能和储能系统(ESS)逆变器等各种工业应用中越来越受欢迎。这也进一步证明了 Nexperia 与三菱电机公司(MELCO)之间成功的战略合作伙伴关系,两家公司联手将 SiC 宽带隙半导体的能效和电气性能推向了新的高度,同时还提高了该技术的未来生产能力,以满足不断增长的市场需求。


RDson 是 SiC MOSFET 的一个关键性能参数,因为它会影响传导功率损耗。然而,许多制造商只关注标称值,而忽略了一个事实,即随着设备工作温度的升高,RDson 相比室温下的标称值可能会增加 100% 以上,从而造成相当大的传导损耗。Nexperia 发现这也是造成目前市场上许多 SiC 器件的性能受限的因素之一,新推出的 SiC MOSFET 采用了创新型工艺技术特性,实现了业界领先的 RDson 温度稳定性,在 25℃ 至 175℃ 的工作温度范围内,RDson 的标称值仅增加38%。


严格的阈值电压 VGS(th) 规格使这些 MOSFET 分立器件在并联时能够提供平衡的载流性能。此外,较低的体二极管正向电压(VSD)有助于提高器件稳健性和效率,同时还能放宽对续流操作的死区时间要求。 


热门物料
型号
价格
7U12000E12UCG/无源晶振 0.282121
7U24000E09UCG/无源晶振 0.243693
TPS54560DDAR/DC-DC电源芯片 4.42
TPS54331DR/DC-DC电源芯片 0.7566
TPS5450DDAR/DC-DC电源芯片 2.75
TPS5430DDAR/DC-DC电源芯片 1.31
STM32G070RBT6/单片机(MCU/MPU/SOC) 4.6
LIS2DH12TR/姿态传感器/陀螺仪 1.6
ADXL355BEZ-RL7/姿态传感器/陀螺仪 353.09
AD7606BSTZ-RL/ADC/DAC-专用型 80.5
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