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导读:近日,意法半导体宣布推出基于 18nm 全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 技术的先进工艺,并配备嵌入式相变存储器 (ePCM),以支持下一代一代嵌入式处理设备。
这项由意法半导体和三星代工厂共同开发的新工艺技术,为嵌入式处理应用带来了性能和功耗的飞跃,同时允许更大的内存容量和更高水平的模拟和数字外设集成。首款基于新技术的下一代 STM32 微控制器将于 2024 年下半年开始向选定客户提供样品,计划于 2025 年下半年投入生产。
意法半导体微控制器、数字IC和射频产品部总裁表示:“作为半导体行业的领先创新者,意法半导体率先为我们的客户带来了用于汽车和航空航天应用的FD-SOI和PCM技术。我们现在正在采取下一步行动,从下一代 STM32 微控制器开始,将这些技术的优势带给工业应用开发人员。”
技术优势
与目前使用的 ST 40nm 嵌入式非易失性存储器 (eNVM) 技术相比,采用 ePCM 的 18nm FD-SOI 极大地提高了关键品质因数:
该技术能够在 3V 电压下运行,以提供电源管理、复位系统、时钟源和数字/模拟转换器等模拟功能。它是唯一支持此功能的 20 纳米以下技术。该技术还凭借在汽车应用中已得到验证的强大高温操作、辐射硬化和数据保留功能,提供了要求苛刻的工业应用所需的可靠性。
CR2450/锂离子电池 | 18.24 | |
STM32F407VET6/单片机(MCU/MPU/SOC) | 12.65 | |
TPS5430DDAR/DC-DC电源芯片 | 1.25 | |
MPU-6050/姿态传感器/陀螺仪 | 40.37 | |
MAX485ESA+T/RS-485/RS-422芯片 | 3.4 | |
W25Q128JVSIQ/NOR FLASH | 2.39 | |
TAJA106K016RNJ/钽电容 | 0.355 | |
GRM21BR61H106KE43L/贴片电容(MLCC) | 0.239868 | |
SP3485EN-L/TR/RS-485/RS-422芯片 | 0.8061 | |
IR2104STRPBF/栅极驱动芯片 | 1.84 |
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