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  • 意法半导体:突破20nm壁垒,打造下一代STM32

  • 2024-03-22 18:07:08 阅读量:1030 来源:意法半导体

导读:近日,意法半导体宣布推出基于 18nm 全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 技术的先进工艺,并配备嵌入式相变存储器 (ePCM),以支持下一代一代嵌入式处理设备。





这项由意法半导体和三星代工厂共同开发的新工艺技术,为嵌入式处理应用带来了性能和功耗的飞跃,同时允许更大的内存容量和更高水平的模拟和数字外设集成。首款基于新技术的下一代 STM32 微控制器将于 2024 年下半年开始向选定客户提供样品,计划于 2025 年下半年投入生产。


意法半导体微控制器、数字IC和射频产品部总裁表示:“作为半导体行业的领先创新者,意法半导体率先为我们的客户带来了用于汽车和航空航天应用的FD-SOI和PCM技术。我们现在正在采取下一步行动,从下一代 STM32 微控制器开始,将这些技术的优势带给工业应用开发人员。”


技术优势
与目前使用的 ST 40nm 嵌入式非易失性存储器 (eNVM) 技术相比,采用 ePCM 的 18nm FD-SOI 极大地提高了关键品质因数:

1、性能功耗比提高 50% 以上
2、非易失性存储器 (NVM) 密度提高 2.5 倍,可实现更大的片上存储器
3、数字密度提高了三倍,可集成人工智能和图形加速器等数字外设以及最先进的安全功能
4、噪声系数改善 3dB,增强无线 MCU 的射频性能


该技术能够在 3V 电压下运行,以提供电源管理、复位系统、时钟源和数字/模拟转换器等模拟功能。它是唯一支持此功能的 20 纳米以下技术。该技术还凭借在汽车应用中已得到验证的强大高温操作、辐射硬化和数据保留功能,提供了要求苛刻的工业应用所需的可靠性。



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