导读：近期中科院物理研究所宣布，8英寸SiC导电单晶研制成功，将用于SiC单晶衬底。

图：8英寸SiC单晶和晶片（中科院）

SiC器件的成本主要由衬底、外延、流片和封测等环节形成，衬底在SiC器件成本中占比高达~45%。为了降低单个器件的成本，进一步扩大SiC衬底尺寸，在单个衬底上增加器件的数量是降低成本的主要途径。8英寸SiC衬底将比6英寸在成本降低上具有明显优势。

8英寸SiC晶体生长的难点在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解决大尺寸带来的温场不均匀和气相原料分布和输运效率问题；另外，还要解决应力加大导致晶体开裂问题。

据中科院物理研究所，科研团队于2021年10月在自研的衬底上初步生长出了8英寸SiC晶体。

近期，团队通过优化生长工艺，进一步解决了多型相变问题，持续改善晶体结晶质量，成功生长出了单一4H晶型的8英寸SiC晶体，并为相关成果申请了三项中国发明专利。

8英寸SiC导电单晶研制成功是物理所在宽禁带半导体领域取得的又一个标志性进展，研发成果转化后，将有助于增强我国在SiC单晶衬底的国际竞争力，促进我国宽禁带半导体产业的快速发展。