松下MOSFET驱动器 | 实现高输出电压解决方案-立创商城

松下MOSFET驱动器 | 实现高输出电压解决方案
2021-11-03 11:07:01 阅读量：318

前情回顾：

第一期：松下MOSFET驱动器——可实现高输出电压和高速操作！

在上一篇文章中我们概述了“MOSFET驱动器”。作为产业设备、信息基础设施、蓄电系统、汽车等用途中主流的Si-MOSFET和SiC-MOSFET，为了适应行业需求，松下推出“高输出电压”和“高速操作”MOSFET驱动器。

在本文中，我们将介绍实现“高输出电压”解决方案。话不多说，接下来小编带您一探究竟！

<案例介绍>

希望通过在栅源之间施加高电压 (Vgs) 来降低MOSFET的导通电阻

客户需求：在MOSFET的门·源之间想施加大电压

虽然主流的SiC-MOSFET的输出特性极具优势，但是需要使用2颗以往通用的MOSFET驱动器才能充分降低导通电阻，这会导致电路板的占板面积大的问题。

解决方案：松下的新MOSFET驱动器可实现!

Vgs=Typ.18 V可输入，可以充分降低SiC-MOSFET的导通电阻!

松下的新MOSFET驱动器，只需一颗就可以充分降低SiC-MOSFET的导通电阻!在使用SiC等希望施加高门电压的MOSFET时，松下的MOSFET驱动器高输出电压类型可放心使用。

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