MCC(美微科半导体)成立于1991年，美微科半导体在全球拥有广泛的营销和销售网络，是一家面向消费者,工业市场，医疗，通信和汽车市场的高品质分立半导体制造商，通过卓越的客户服务和持续的产品改进，在质量、成本和交付方面超越客户的期望。

MCC提供全面的高能效小信号，二极管，整流桥，功率模块 , MOS, 芯片 。目前约3200人 ，营业额：人民币20亿元以上（ 2017年、2018年中国半导体功率器件十强企业）

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产品推广一:SGT MOFET

SGT MOSFET优势：

当掩埋源耗尽漂移区时，增加BVDSS（场板效应），漂移区的高氮掺杂使RDS（on）最小化减少Qgd，减少米勒电荷耦合，以最大限度地减少假启动，总的来说，改进了FOM（优点系数=Ron*Qg），降低了开关和传导损耗

产品推广二: 充电桩用TO-247 大功率高效超快恢复二极管

产品推广三: SIC肖特基二极管

SiC是由硅（SI）和碳（C）组成的复合半导体材料。它的结合力很强，在热、化学和机械方面都非常稳定。作为第三代半导体材料的典型代表，碳化硅也是晶体生产技术和器件制造水平上最成熟、应用最广泛的宽带隙半导体材料之一。目前，已经形成了一条集材料、器件、应用于一体的全球产业链。它是高温、高频、抗辐射和大功率应用的理想半导体材料。由于碳化硅功率器件可以显著降低电子设备的能耗，因此碳化硅器件又被称为推动新能源革命的绿色能源器件，使得SiC二极管的应用越来越广泛。

特征

•无反向恢复电流

•高频操作

•温度独立开关

•切换速度极快

•卓越的热性能

MCC第二代SIC SBD优势

第二代优势：

650V/10A，从370um到120um的更薄工艺，更高的电流密度

1200V/10A，从370um到120um工艺更薄，电流密度更高

与C3rd代相比：650V/10A：更高的EAS，HT-IR与C*3代相同

与C*4代相比：1200V/10A：IFSM较高，EAS较低，HT IR较低