导读：6月1日，三星电子官方宣布将扩大其在韩国平泽市（Pyeongtaek）NAND闪存芯片生产能力，投资约57亿美元（约466亿人民币）。
5月21日三星电子就透露过，为了能早日实现现代处理技术扩展到5G、高性能计算和人工智能在内的众多当前和下一代应用中，全新的生产线将专注于EUV 5nm 工艺，预计6月开始建设，并将于2021年下半年全面投入运营。新平泽工厂的全面运营将大大提高三星基于EUV的铸造产能。
据悉，这是为了三星最先进的V-NAND产品而进行的生产线建设。
三星电子代工总监ES Jung博士说：“新的制造工厂将把三星的制造能力扩展到5纳米以下，使我们能够迅速满足对基于EUV的解决方案不断增长的需求。”他还说道：“我们将继续通过积极的投资和招聘来满足客户的需求，这不仅可以推动三星代工业务能力，还能开辟新的视野。”
不仅如此，2019年建设的位于韩国华城的V1 生产线，在2019年末实现7nm 工艺生产。如今华城工厂也将改造，升级到5nm 工艺。
三星电子表示，加上平泽生产线，韩国将拥有7条芯片制造产线（其在美国有一条8nm 生产线）。这无疑使三星电子的产能大大提高。
