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  • 投资466亿!三星电子官宣新建NAND闪存生产线

  • 2020-06-02 18:13 51

导读:6月1日,三星电子官方宣布将扩大其在韩国平泽市(Pyeongtaek)NAND闪存芯片生产能力,投资约57亿美元(约466亿人民币)。


5月21日三星电子就透露过,为了能早日实现现代处理技术扩展到5G、高性能计算和人工智能在内的众多当前和下一代应用中,全新的生产线将专注于EUV 5nm 工艺,预计6月开始建设,并将于2021年下半年全面投入运营。新平泽工厂的全面运营将大大提高三星基于EUV的铸造产能。


据悉,这是为了三星最先进的V-NAND产品而进行的生产线建设


三星电子代工总监ES Jung博士说:“新的制造工厂将把三星的制造能力扩展到5纳米以下,使我们能够迅速满足对基于EUV的解决方案不断增长的需求。”他还说道:“我们将继续通过积极的投资和招聘来满足客户的需求,这不仅可以推动三星代工业务能力,还能开辟新的视野。”


不仅如此,2019年建设的位于韩国华城的V1 生产线,在2019年末实现7nm 工艺生产。如今华城工厂也将改造,升级到5nm 工艺。


三星电子表示,加上平泽生产线,韩国将拥有7条芯片制造产线(其在美国有一条8nm 生产线)。这无疑使三星电子的产能大大提高。

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