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特性:超低功耗,具备FlexPowerControl。 供电电压范围为1.71V至3.6V。 温度范围为-40℃至85/125℃。 VBAT模式下为145nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式下为22nA(5个唤醒引脚)。 待机模式下为106nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式下为375nA。 停止2模式下为2.05μA,带RTC时为2.40μA
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  • 1+

    ¥45.22
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    ¥38.38
  • 30+

    ¥34.21
  • 有货
  • 主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU,高达256KB Flash,144KB RAM,6x USART,定时器,ADC,DAC,通讯。 I/F,1.7-3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥46.57
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      ¥40.37
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      ¥34.98
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达180 MHz,具备MPU,225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:512 KB闪存、128 KB SRAM、具有高达16位数据总线的灵活外部存储器控制器,支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存、双模式QuadSPI接口。 LCD并行接口,支持8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理:1.7 V至3.6 V应用电源和I/O、POR、PDR、PVD和BOR、4至26 MHz晶体振荡器、内部16 MHz工厂校准RC(精度1%)、用于RTC的32 kHz振荡器及校准、内部32 kHz RC及校准。 低功耗:支持睡眠、停止和待机模式。 VBAT为RTC供电,20×32位备份寄存器加上可选的4 KB备份SRAM。 3个12位、2.4 MSPS ADC:多达24个通道,三重交错模式下可达7.2 MSPS。 2个12位D/A转换器
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    • 1+

      ¥46.73
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      ¥39.47
    • 30+

      ¥35.95
  • 有货
  • 特性:动态效率线,带有eBAM(增强型批量采集模式)。 1.7 V至3.6 V电源。 -40°C至85/105/125°C温度范围。 内核:带有FPU的Arm 32位Cortex-M4 CPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存进行零等待状态执行,频率高达100 MHz,内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),以及DSP指令。 高达128 Kbytes的闪存。 512字节的OTP内存。 32 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理:1.7 V至3.6 V应用电源和I/O
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    • 1+

      ¥46.93
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      ¥40.4
    • 30+

      ¥36.42
  • 有货
  • 特性:采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA,为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA(5个唤醒引脚)。待机模式电流为28nA(5个唤醒引脚)。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA,带RTC时为1.28μA
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    • 1+

      ¥47.52
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      ¥41.32
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      ¥35.93
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 采用FlexPowerControl实现超低功耗。 -电源电压范围:1.71V至3.6V。 -温度范围:-40℃至85/105/125℃。 -VBAT模式下电流为200nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式电流为8nA(5个唤醒引脚)。 -待机模式电流为28nA(5个唤醒引脚)。 -带RTC的待机模式电流为280nA
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    • 1+

      ¥49.24
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      ¥45.68
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      ¥44.91
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。供电电压:1.65 V至3.6 V。温度范围:40至125℃。待机模式:0.29 μA(3个唤醒引脚)。停止模式:0.43 μA(16个唤醒线)。停止模式 + RTC + 20 KB RAM保留:0.86 μA
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      ¥51.89
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      ¥44.02
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      ¥39.22
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU和自适应实时加速器(ART Accelerator),允许从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。 工作条件:VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器:用于三角函数加速的CORDIC和过滤数学加速器FMAC。 存储器:512 KB的闪存,支持ECC,双存储体可读写,具备专有代码读取保护(PCROP)和可安全存储区域,1 KB OTP;96 KB SRAM,前32 KB实现硬件奇偶校验;指令和数据总线上32 KB SRAM(CCM SRAM),带硬件奇偶校验;支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器的外部静态存储器接口FSMC;Quad-SPI存储器接口。
    数据手册
    • 1+

      ¥55.14
    • 10+

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    • 30+

      ¥44
  • 有货
  • 连接线路,基于 ARM 的 32 位 MCU,具有 64/256 KB 闪存、USB OTG、以太网、10 个定时器、2 个 CAN、2 个 ADC、14 个通信接口。
    数据手册
    • 1+

      ¥55.71 ¥74.28
    • 10+

      ¥48.18 ¥64.24
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      ¥43.5975 ¥58.13
    • 100+

      ¥39.75 ¥53
  • 有货
  • 特性:核心:32位Arm Cortex-M3 CPU。最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。256至512 Kbytes的闪存。高达64 Kbytes的SRAM。具有4个片选的灵活静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存
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      ¥57.16
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      ¥55.82
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      ¥54.92
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台: 1.65V 至 3.6V 电源。-40°C 至 85°C/105°C 温度范围。0.3μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。0.9μA 待机模式 + RTC。0.57μA 停止模式(16 个唤醒线)。1.2μA 停止模式 + RTC。9μA 低功耗运行模式。214μA/MHz 运行模式
    数据手册
    • 1+

      ¥58.67
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      ¥50.33
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      ¥45.24
  • 有货
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    • 10+

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    • 30+

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    • 30+

      ¥49.66
  • 有货
  • 特性:动态效率线,具备批量采集模式(BAM),电源电压范围为1.7V至3.6V,温度范围为-40℃至85/105/125℃。 核心:采用带有浮点单元(FPU)的32位Cortex-M4 CPU,具备自适应实时加速器(ART AcceleratorTM),可实现从闪存零等待状态执行,频率高达84 MHz,配备内存保护单元,性能达105 DMIPS / 1.25 DMiPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:高达256 KB的闪存,512字节的一次性可编程(OTP)存储器,高达64 KB的静态随机存取存储器(SRAM)。
    数据手册
    • 1+

      ¥64.35
    • 10+

      ¥55.2
    • 30+

      ¥49.62
  • 有货
  • 超低功耗双核64 MHz Arm Cortex-M4 + 32MHz Cortex-M0+ MCU,具有1 MB Flash存储器、蓝牙5, 802.15.4、USB、LCD和AES-256
    数据手册
    • 1+

      ¥66.31
    • 10+

      ¥57.08
    • 30+

      ¥51.46
  • 有货
  • 特性:动态效率线,具备增强批量采集模式 (eBAM)。1.7 V 至 3.6 V 电源。40 °C 至 85/105/125 °C 温度范围。内核:带有浮点单元 (FPU) 的 Arm 32 位 Cortex-M4 CPU,自适应实时加速器 (ART Accelerator™) 允许从闪存零等待状态执行,频率高达 100 MHz,具备内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。高达 1.5 Mbytes 的闪存。320 Kbytes 的 SRAM。灵活的外部静态内存控制器,具有高达 16 位数据总线:SRAM、PSRAM、NOR 闪存。双模式 Quad-SPI 接口
    数据手册
    • 1+

      ¥68.05
    • 10+

      ¥64.65
    • 30+

      ¥58.76
  • 有货
  • 特性:核心:32位Arm Cortex-M3 CPU。最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。256至512 Kbytes的闪存。高达64 Kbytes的SRAM。具有4个片选的灵活静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存
    数据手册
    • 1+

      ¥70.9988 ¥133.96
    • 10+

      ¥67.7393 ¥127.81
    • 30+

      ¥62.0948 ¥117.16
    • 100+

      ¥57.1711 ¥107.87
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      ¥72.68
    • 10+

      ¥62.72
    • 30+

      ¥56.64
  • 有货
  • 特性:核心:带有 DPFFPU、ART 加速器和 L1 缓存的 32 位 Arm Cortex-M7 CPU:16KB I/D 缓存,允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行,最高 216MHz,具备 MPU、462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和 DSP 指令。高达 2MB 的闪存,分为两个存储体,支持边读边写。SRAM:512KB(包括 128KB 用于关键实时数据的数据 TCM RAM)+ 16KB 用于关键实时程序的指令 TCM RAM + 4KB 备份 SRAM。灵活的外部存储器控制器,具有高达 32 位数据总线,支持 SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、NOR/NAND 存储器。双模式 Quad-SPI。Chrom-ART 加速器(DMA2D),图形硬件加速器,支持增强型图形用户界面。硬件 JPEG 编解码器。LCD-TFT 控制器,支持高达 XGA 分辨率
    数据手册
    • 1+

      ¥74.44
    • 10+

      ¥70.94
    • 30+

      ¥64.88
  • 有货
  • 超低功耗,采用带 Trust Zone 的 FPU Arm Cortex-M33、具有 1Mbytes 闪存的 160 MHz MCU
    • 1+

      ¥74.45
    • 10+

      ¥63.53
    • 30+

      ¥56.87
  • 有货
  • 特性:超低功耗,具备FlexPowerControl。 供电电压范围为1.71V至3.6V。 温度范围为-40℃至85/125℃。 VBAT模式下为145nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式下为22nA(5个唤醒引脚)。 待机模式下为106nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式下为375nA。 停止2模式下为2.05μA,带RTC时为2.40μA
    数据手册
    • 1+

      ¥76.16
    • 10+

      ¥72.51
    • 30+

      ¥66.21
  • 有货
  • 特性:核心:基于ARM 32位Cortex-M3 CPU,带有MPU。 最高频率36 MHz,每兆赫兹1.25 DMIPS(Dhrystone 2.1)性能。 单周期乘法和硬件除法。 768 KB至1 MB的闪存(双存储体,具备读写功能)。 80 KB的SRAM。 灵活的静态内存控制器,带有4个片选
    数据手册
    • 1+

      ¥79.42
    • 10+

      ¥75.53
    • 30+

      ¥68.8
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 32位Arm Cortex-A7内核,L1为32K字节指令缓存/32K字节数据缓存,128K字节统一二级缓存,具备Arm NEON和Arm TrustZone。 外部DDR内存高达1GB,支持LPDDR2/LPDDR3-1066 16位、DDR3/DDR3L-1066 16位;168K字节内部SRAM,包括128K字节AXI SYSRAM、32K字节AHB SRAM和8K字节备份域SRAM;双Quad-SPI内存接口;灵活的外部内存控制器,数据总线高达16位,可连接外部IC和SLC NAND内存,具备高达8位ECC。 安全启动,TrustZone外设,12个防篡改引脚(包括5个主动防篡改引脚),具备温度、电压、频率和32kHz监控功能。 I/O电源为1.71V至3.6V(5V耐压I/O),具备POR、PDR、PVD和BOR,片上LDO(USB 1.8V、1.1V),备份稳压器(约0.9V),内部温度传感器,低功耗模式包括睡眠、停止、LPLV-停止、LPLV-停止2和待机模式,待机模式下DDR保留,可控制PMIC配套芯片。 内部振荡器包括64MHz HSI振荡器、4MHz CSI振荡器、32kHz LSI振荡器;外部振荡器包括8-48MHz HSE振荡器、32.768kHz LSE振荡器;4个带分数模式的PLL。 多达135个具备中断能力的安全I/O端口,多达6个唤醒功能。 2个总线矩阵,64位Arm AMBA AXI互连,最高266MHz;32位Arm AMBA AHB互连,最高209MHz
    • 1+

      ¥79.49
    • 10+

      ¥75.42
    • 30+

      ¥68.38
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。工作条件:VDD、VDA电压范围:1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速,FMAC为滤波器数学加速器。存储器:512 Kbytes闪存,支持ECC,双存储体可读写,有专有代码读出保护(PCROP)和可安全存储区域,1 Kbyte OTP。96 Kbytes SRAM,前32 Kbytes有硬件奇偶校验。32 Kbytes SRAM在指令和数据总线上,有硬件奇偶校验(CCM SRAM)。外部静态存储器接口FSMC,支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。四路SPI存储器接口
    数据手册
    • 1+

      ¥79.57
    • 10+

      ¥68.25
    • 30+

      ¥61.36
  • 有货
  • 特性:核心:带有浮点单元(FPU)、自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)和L1缓存(4KB数据缓存和4KB指令缓存)的ARM 32位Cortex-M7 CPU,允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行,频率高达216 MHz,具备内存保护单元(MPU),462 DMIPS / 2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。
    数据手册
    • 1+

      ¥81.72
    • 10+

      ¥70.28
    • 30+

      ¥63.3
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M3 CPU,带MPU,最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持单周期乘法和硬件除法。 内存:768 KB至1 MB的闪存,96 KB的SRAM,带有4个片选的灵活静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存,LCD并行接口,8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理:2.0至3.6 V应用电源和I/O,POR、PDR和可编程电压检测器(PVD),4至16 MHz晶体振荡器,内部8 MHz工厂校准RC,内部40 kHz带校准的RC,32 kHz带校准的RTC振荡器。 低功耗:睡眠、停止和待机模式,VBAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器(最多21个通道),转换范围:0至3.6 V,三重采样和保持能力,温度传感器。 2个12位D/A转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥82.79
    • 10+

      ¥79.89
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。 工作条件:VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速;FMAC:滤波数学加速器。
    数据手册
    • 1+

      ¥84.94
    • 10+

      ¥82.43
  • 有货
  • 特性:动态效率线,具备增强批量采集模式 (eBAM)。1.7 V 至 3.6 V 电源。40 °C 至 85/105/125 °C 温度范围。内核:带有浮点单元 (FPU) 的 Arm 32 位 Cortex-M4 CPU,自适应实时加速器 (ART Accelerator™) 允许从闪存零等待状态执行,频率高达 100 MHz,具备内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。高达 1.5 Mbytes 的闪存。320 Kbytes 的 SRAM。灵活的外部静态内存控制器,具有高达 16 位数据总线:SRAM、PSRAM、NOR 闪存。双模式 Quad-SPI 接口
    数据手册
    • 1+

      ¥87.42
    • 10+

      ¥83.34
    • 30+

      ¥76.27
  • 有货
  • 特性:超低功耗与灵活电源控制:电源电压范围:1.71V 至 3.6V。温度范围:-40℃ 至 85/125℃。批量采集模式(BAM):VBAT 模式下 187nA,为 RTC 和 32x32 位备份寄存器供电。关机模式:17nA(5 个唤醒引脚)。待机模式:108nA(5 个唤醒引脚)。带 RTC 的待机模式:222nA。带 RTC 的停止 2 模式:3.16μA。运行模式(LDO 模式):106μA/MHz
    数据手册
    • 1+

      ¥87.47
    • 10+

      ¥76.52
    • 30+

      ¥69.85
  • 有货
  • 超低功耗,配备 FPU Arm Cortex-M4 MCU 120 MHz,具有 512 KB 闪存、USB OTG、DFSDM、CHROM-ART
    数据手册
    • 1+

      ¥87.78
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      ¥83.92
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