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封装：UFQFPN-20(3x3)

特性：超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源。 -40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.23μA 待机模式（2 个唤醒引脚）。 0.29μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.54μA 停止模式 + RTC + 2KB RAM 保留

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型号：STM32L412RBT6 编号：C1339033

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl：1.71V至3.6V电源，-40℃至85/125℃温度范围。 300nA的VBAT模式：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 16nA关机模式（4个唤醒引脚）。 32nA待机模式（4个唤醒引脚）。 245nA带RTC的待机模式。 0.7µA停止2模式，0.95µA带RTC。 79µA/MHz运行模式（LDO模式）。 28µA/MHz运行模式（@3.3V SMPS模式）

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型号：STM32L031F4P6 编号：C86909

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源。 -40℃至 125℃温度范围。 0.23μA 待机模式（2 个唤醒引脚）。 0.35μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.6μA 停止模式 + RTC + 8KB RAM 保留

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型号：STM32G031G8U3 编号：C5270181

封装：UFQFPN-28(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32L031G6U7 编号：C1337369

封装：UFQFPN-28(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台，1.65V至3.6V电源，-40至125℃温度范围。 0.23μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.35μA停止模式（16个唤醒线）。 0.6μA停止模式 + RTC + 8KB RAM保留。运行模式下低至76μA/MHz。 5μs唤醒时间（从闪存）

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型号：STM32U073RCT6 编号：C22445364

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

是超低功耗微控制器，基于高性能 Arm Cortex M0+ 32 位 RISC 内核，工作频率高达 56 MHz。嵌入高速存储器（高达 256 Kbyte 闪存和 40 Kbyte 带硬件奇偶校验的 SRAM），以及广泛的增强型 I/O 和连接到 APB 和 AHB 总线的外设，还有 32 位多 AHB 总线矩阵。还嵌入了用于嵌入式闪存和 SRAM 的保护机制，如读取保护和写入保护。提供 12 位 ADC、12 位 DAC、两个嵌入式轨到轨模拟比较器、一个运算放大器、一个低功耗 RTC、一个通用 32 位定时器、一个专用于电机控制的 16 位 PWM 定时器、三个通用 16 位定时器和三个 16 位低功耗定时器。还嵌入多达 21 个电容感应通道，以及一个集成 LCD 控制器，可通过内部升压转换器驱动 8×48 或 4×52 段。具有标准和高级通信接口，即四个 I2C、三个 SPI、四个 USART 和三个低功耗 UART，以及一个无晶振 USB 全速设备

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型号：STM32U083RCT6 编号：C22423825

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗微控制器，基于高性能 Arm Cortex-M0+ 32 位 RISC 内核，工作频率高达 56 MHz。嵌入高速存储器（256 Kbyte 单存储体闪存和 40 Kbyte 带硬件奇偶校验的 SRAM），以及大量增强型 I/O 和外设，连接到 APB 和 AHB 总线，还有 32 位多 AHB 总线矩阵。为嵌入式闪存和 SRAM 提供保护机制，如读出保护和写入保护。提供 12 位 ADC、12 位 DAC、两个嵌入式轨到轨模拟比较器、一个运算放大器、一个低功耗 RTC、一个通用 32 位定时器、一个专用于电机控制的 16 位 PWM 定时器、三个通用 16 位定时器和三个 16 位低功耗定时器。嵌入多达 21 个电容感应通道，以及集成 LCD 控制器，可通过内部升压转换器驱动 8×48 或 4×52 段。具备标准和高级通信接口，包括四个 I2C、三个 SPI、四个 USART 和三个低功耗 UART，以及一个无晶体 USB 全速设备

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型号：STM32U083MCT6 编号：C22445366

封装：LQFP-80(12x12)

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗微控制器，基于高性能 Arm Cortex-M0+ 32 位 RISC 内核，工作频率高达 56 MHz。嵌入高速存储器（256 Kbyte 单存储体闪存和 40 Kbyte 带硬件奇偶校验的 SRAM），以及大量增强型 I/O 和外设，连接到 APB 和 AHB 总线，还有 32 位多 AHB 总线矩阵。为嵌入式闪存和 SRAM 提供保护机制，如读出保护和写入保护。提供 12 位 ADC、12 位 DAC、两个嵌入式轨到轨模拟比较器、一个运算放大器、一个低功耗 RTC、一个通用 32 位定时器、一个专用于电机控制的 16 位 PWM 定时器、三个通用 16 位定时器和三个 16 位低功耗定时器。嵌入多达 21 个电容感应通道，以及集成 LCD 控制器，可通过内部升压转换器驱动 8×48 或 4×52 段。具备标准和高级通信接口，包括四个 I2C、三个 SPI、四个 USART 和三个低功耗 UART，以及一个无晶体 USB 全速设备

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型号：STM32G474RBT3 编号：C1235414

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件:VDD、VDA电压范围：1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波器数学加速器。存储器:512 Kbytes闪存，支持ECC，双存储体可读写，有专有代码读出保护（PCROP）和可安全存储区域，1 Kbyte OTP。96 Kbytes SRAM，前32 Kbytes有硬件奇偶校验。32 Kbytes SRAM在指令和数据总线上，有硬件奇偶校验（CCM SRAM）。外部静态存储器接口FSMC，支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。四路SPI存储器接口

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型号：STM32L071C8T6 编号：C1337266

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源，-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。 0.43μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.86μA 停止模式 + RTC + 20KB RAM 保留。运行模式低至 93μA/MHz

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型号：STM32F303VET6TR 编号：C2053636

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM Cortex-M4 32位CPU，带有72 MHz FPU、单周期乘法和硬件除法、90 DMIPS（来自CCM）、DSP指令和MPU（内存保护单元）。 VDD、VDA电压范围：2.0V至3.6V。高达512 Kbytes的闪存，64 Kbytes的SRAM，前32 Kbytes实现硬件奇偶校验。常规增强器：指令和数据总线上16 Kbytes的SRAM，带硬件奇偶校验（CCM）。用于静态存储器的灵活内存控制器（FSMC），带有四个片选。 CRC计算单元。上电/掉电复位（POR/PDR）。可编程电压检测器（PVD）

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型号：STM32F410C8U6TR 编号：C2055276

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，带 eBAM（增强型批量采集模式）。电源电压：1.7 V 至 3.6 V。温度范围：-40°C 至 85/105/125°C。内核：带 FPU 的 Arm 32 位 Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator™）允许从闪存存储器零等待状态执行，频率高达 100 MHz，有内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。闪存存储器：高达 128 Kbytes。 OTP 存储器：512 bytes。 SRAM：32 Kbytes。时钟、复位和电源管理：1.7 V 至 3.6 V 应用电源和 I/O

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型号：STM32G051C8U6 编号：C3227330

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达64 KB闪存，18 KB RAM，2x USART，定时器，ADC，DAC，通信。 I/F，1.7-3.6V

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型号：STM32L053C8U6 编号：C529424

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65 V至3.6 V电源。 -40至125°C温度范围。 0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。运行模式下88 μA/MHz。 3.5 μs唤醒时间（从RAM）

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型号：STM32WL33CCV6 编号：C22808559

封装：VFQFPN-48(6x6)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32L443RCT6 编号：C1337560

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32F410CBT6 编号：C5269948

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，带有eBAM（增强型批量采集模式）。 1.7 V至3.6 V电源。 -40°C至85/105/125°C温度范围。内核：带有FPU的Arm 32位Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存进行零等待状态执行，频率高达100 MHz，内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），以及DSP指令。高达128 Kbytes的闪存。 512字节的OTP内存。 32 Kbytes的SRAM。时钟、复位和电源管理：1.7 V至3.6 V应用电源和I/O

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型号：STM32F103CBT7TR 编号：C2055301

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32L471VET6TR 编号：C2053552

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式30nA（5个唤醒引脚）。待机模式120nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式420nA。停止2模式下1.1μA，带RTC时1.4μA

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型号：STM32L053R8H6 编号：C1340186

封装：TFBGA-64

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65 V至3.6 V电源。 -40至125°C温度范围。 0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。运行模式下88 μA/MHz。 3.5 μs唤醒时间（从RAM）

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型号：STM32WBA52CGU6 编号：C19626860

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32L053C8T6 编号：C458472

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65 V至3.6 V电源。 -40至125°C温度范围。 0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。运行模式下88 μA/MHz。 3.5 μs唤醒时间（从RAM）

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型号：STM32F101RBT6 编号：C8348

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU，最高频率 36 MHz，在 0 等待状态内存访问时性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），单周期乘法和硬件除法。 64 至 128 Kbytes 的闪存。 10 至 16 Kbytes 的 SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），4 至 16 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC，用于 CPU 时钟的 PLL，32 kHz 带校准的 RTC 振荡器。低功耗：睡眠、停止和待机模式，V_BAT 为 RTC 和备份寄存器供电。调试模式：串行线调试（SWD）和 JTAG 接口

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型号：STM32F405OEY6TR 编号：C1852737

封装：WLCSP-90(4x4.2)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）可实现从闪存零等待状态执行，频率高达 168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。存储器：高达 1 M 字节闪存；高达 192 + 4 K 字节 SRAM，包括 64 K 字节 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；512 字节 OTP 内存；灵活的静态内存控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。

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型号：STM32G0B1KCU6 编号：C5270237

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达256KB Flash，144KB RAM，6x USART，定时器，ADC，DAC，通讯。 I/F，1.7-3.6V

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型号：STM32L081KZT6 编号：C5269742

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源。40至125℃温度范围。0.29 μA待机模式（3个唤醒引脚）。0.43 μA停止模式（16个唤醒线）。0.86 μA停止模式 + RTC + 20 Kbyte RAM保留

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￥43.9
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￥34.07

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型号：STM32L151CBU6TR 编号：C2055093

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台: 1.65V 至 3.6V 电源。-40°C 至 85°C/105°C 温度范围。0.3μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。0.9μA 待机模式 + RTC。0.57μA 停止模式（16 个唤醒线）。1.2μA 停止模式 + RTC。9μA 低功耗运行模式。214μA/MHz 运行模式

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型号：STM32L451CCU6 编号：C2969793

封装：UFQFN-48

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用FlexPowerControl: -电源电压1.71V至3.6V。 -温度范围 -40℃至85/125℃。 -VBAT模式下145 nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式22 nA（5个唤醒引脚）。 -待机模式106 nA（5个唤醒引脚）。 -带RTC的待机模式375 nA。 -停止2模式2.05 µA，带RTC时2.40 µA。 -运行模式84 µA/MHz

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型号：STM32U535CCU6 编号：C23370085

封装：UFQFPN-48-EP(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗。1.71 V至3.6 V电源，-40℃至+85/125℃温度范围。低功耗背景自主模式（LPBAM）：具有DMA的自主外设，功能可低至Stop 2模式。VBAT模式：为RTC、32×32位备份寄存器和2 Kbyte备份SRAM供电。90 nA关机模式（23个唤醒引脚）。200 nA待机模式（23个唤醒引脚）。370 nA带RTC的待机模式

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型号：STM32G0B1KCU7 编号：C5270235

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达256KB Flash，144KB RAM，6x USART，定时器，ADC，DAC，通讯。 I/F，1.7-3.6V

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