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特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 超低功耗平台。 1.65 V 至 3.6 V 电源供电。 -40 至 125℃ 温度范围。 0.27 μA 待机模式(2 个唤醒引脚)。 0.4 μA 停止模式(16 个唤醒线)。 0.8 μA 停止模式 + RTC + 8 KB RAM 保留。 运行模式下 88 μA/MHz
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  • 1+

    ¥41.15
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    ¥35.3
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    ¥31.73
  • 有货
  • 特性:核心:基于 Arm Cortex-M4 的 32 位 CPU 带 FPU(最高 72 MHz),单周期乘法和硬件除法,DSP 指令和 MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDDA 电压范围:2.0 V 至 3.6 V。 内存:128 至 256 KB 的闪存;高达 40 KB 的 SRAM,前 16 KB 实现硬件奇偶校验。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;为 RTC 和备份寄存器提供 VBAT 电源。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器;用于 RTC 的 32 kHz 振荡器,带校准;内部 8 MHz RC,有 x 16 PLL 选项;内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O:所有可映射到外部中断向量;多个 5 V 容忍。 互连矩阵
    数据手册
    • 1+

      ¥41.19
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  • 有货
  • 特性:核心:ARM Cortex-M4 32位CPU,带有72 MHz FPU、单周期乘法和硬件除法、90 DMIPS(来自CCM)、DSP指令和MPU(内存保护单元)。 VDD、VDA电压范围:2.0V至3.6V。 高达512 Kbytes的闪存,64 Kbytes的SRAM,前32 Kbytes实现硬件奇偶校验。常规增强器:指令和数据总线上16 Kbytes的SRAM,带硬件奇偶校验(CCM)。 用于静态存储器的灵活内存控制器(FSMC),带有四个片选。 CRC计算单元。 上电/掉电复位(POR/PDR)。 可编程电压检测器(PVD)
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  • 有货
  • 特性:核心:基于 Arm Cortex-M4 的 32 位 CPU 并配备 FPU(最高 72 MHz),具备单周期乘法和硬件除法功能,90 DMIPS(来自 CCM),支持 DSP 指令和 MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDDA 电压范围为 2.0V 至 3.6V。 存储器:128 至 256 Kbytes 的闪存;高达 40 Kbytes 的 SRAM,前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验;程序加速:指令和数据总线上 8 Kbytes 的 SRAM,具备硬件奇偶校验(CCM)。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;为 RTC 和备份寄存器提供 VBAT 电源。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器;用于 RTC 的 32 kHz 振荡器,具备校准功能;内部 8 MHz RC,可选 x 16 PLL;内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O:均可映射到外部中断向量;多个 5V 耐压。 互连矩阵
    数据手册
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      ¥43.329 ¥55.55
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      ¥28.8444 ¥36.98
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  • 特性:动态效率线与批量采集模式(BAM)。 内核:32位Arm Cortex-M4 CPU带FPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)允许从闪存无等待状态执行,频率高达100MHz,具备内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:高达1MB的闪存;256KB的SRAM;灵活的外部静态存储器控制器,数据总线高达16位,支持SRAM、PSRAM、NOR闪存;双模式Quad-SPI接口。
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      ¥44.57
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  • 主流 Arm Cortex-M4 MCU 170 MHz,带 512 KB 闪存、数学加速器、高模拟级集成
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  • 主流 Arm Cortex-M4 MCU 170 MHz,带 256 KB 闪存、数学加速器、高模拟级集成
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      ¥35.04
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。 1.65 V 至 3.6 V 电源,-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29 μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。 0.43 μA 停止模式(16 个唤醒线)。 0.86 μA 停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM 保留。 运行模式下低至 93 μA/MHz。 5 μs 唤醒时间(从闪存)。 12 位 ADC 转换在 10 ksps 时为 41 μA
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      ¥35.82
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源,-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。 0.43μA 停止模式(16 个唤醒线)。 0.86μA 停止模式 + RTC + 20KB RAM 保留。 运行模式低至 93μA/MHz
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      ¥37.47
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  • 主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU,高达512KB Flash,144KB RAM,6x USART,定时器,ADC,DAC,通讯。 I/F,1.7-3.6V
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  • 特性:超低功耗平台: 1.65V 至 3.6V 电源。-40℃ 至 105℃ 温度范围。305nA 待机模式(3 个唤醒引脚)。1.15μA 待机模式 + RTC。0.475μA 停止模式(16 个唤醒线)。1.35μA 停止模式 + RTC。11μA 低功耗运行模式。230μA/MHz 运行模式
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      ¥48.69
  • 有货
  • 特性:核心:Arm 32位Cortex-M3 CPU。最高频率48 MHz,在0 WS内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。16或32 Kbytes的闪存。4或6 Kbytes的SRAM。2.0至3.6V应用电源和I/O
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      ¥51.6672 ¥74.88
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      ¥29.547 ¥60.3
  • 有货
  • 特性:ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核,最高频率 72 MHz,在 0 等待状态内存访问时,性能为 1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持单周期乘法和硬件除法。 64 或 128 Kbytes 的闪存和 20 Kbytes 的 SRAM。 时钟、复位和电源管理:2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O,POR、PDR 和可编程电压检测器(PVD),4 至 16 MHz 晶体振荡器,内部 8 MHz 工厂校准 RC,内部 40 kHz RC,用于 CPU 时钟的 PLL,带校准的 32 kHz 振荡器用于 RTC。 低功耗睡眠、停止和待机模式,VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2×12 位、1 μs A/D 转换器(最多 16 通道),转换范围:0 至 3.6 V,双采样和保持能力,温度传感器。 7 通道 DMA 控制器,支持的外设:定时器、ADC、SPIs、I²C 和 USARTs
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      ¥55.19
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      ¥54.41
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  • 特性:核心:带FPU的32位Arm Cortex-M4 CPU(最高72 MHz),单周期乘法和硬件除法,DSP指令。32至64 KB的闪存。数据总线上有16 KB的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理。VDD、VDA电压范围:2.0至3.6 V
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    • 1+

      ¥56.82
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      ¥48.74
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      ¥43.82
  • 有货
  • 特性:ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核,最高频率 72 MHz,在 0 等待状态内存访问时,性能为 1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持单周期乘法和硬件除法。 64 或 128 Kbytes 的闪存和 20 Kbytes 的 SRAM。 时钟、复位和电源管理:2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O,POR、PDR 和可编程电压检测器(PVD),4 至 16 MHz 晶体振荡器,内部 8 MHz 工厂校准 RC,内部 40 kHz RC,用于 CPU 时钟的 PLL,带校准的 32 kHz 振荡器用于 RTC。 低功耗睡眠、停止和待机模式,VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2×12 位、1 μs A/D 转换器(最多 16 通道),转换范围:0 至 3.6 V,双采样和保持能力,温度传感器。 7 通道 DMA 控制器,支持的外设:定时器、ADC、SPIs、I²C 和 USARTs
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    • 1+

      ¥57.05
    • 10+

      ¥49.11
    • 30+

      ¥44.27
  • 有货
  • 特性:核心:32 位 Arm Cortex M3 CPU,最高频率 24 MHz,1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)性能,单周期乘法和硬件除法。256 至 512 KB 的闪存。24 至 32 KB 的 SRAM。灵活的静态存储器控制器,带有 4 个片选,支持 SRAM、PSRAM 和 NOR 存储器。LCD 并行接口,支持 8080/6800 模式。2.0 至 3.6V 应用电源和 I/O
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    • 1+

      ¥59.3901 ¥77.13
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      ¥50.9803 ¥76.09
    • 30+

      ¥42.351 ¥74.3
    • 100+

      ¥41.4561 ¥72.73
  • 有货
  • 特性:超低功耗与灵活电源控制:电源电压范围:1.71V 至 3.6V。温度范围:-40℃ 至 85/125℃。批量采集模式(BAM):VBAT 模式下 187nA,为 RTC 和 32x32 位备份寄存器供电。关机模式:17nA(5 个唤醒引脚)。待机模式:108nA(5 个唤醒引脚)。带 RTC 的待机模式:222nA。带 RTC 的停止 2 模式:3.16μA。运行模式(LDO 模式):106μA/MHz
    数据手册
    • 1+

      ¥61.2375 ¥88.75
    • 10+

      ¥58.4292 ¥84.68
    • 30+

      ¥53.5578 ¥77.62
    • 100+

      ¥49.3143 ¥71.47
  • 有货
  • 特性:核心:基于ARM 32位Cortex-M3 CPU,带有MPU。 最高频率36 MHz,每兆赫兹1.25 DMIPS(Dhrystone 2.1)性能。 单周期乘法和硬件除法。 768 KB至1 MB的闪存(双存储体,具备读写功能)。 80 KB的SRAM。 灵活的静态内存控制器,带有4个片选
    数据手册
    • 1+

      ¥61.3938 ¥78.71
    • 10+

      ¥59.475 ¥76.25
  • 有货
    • 1+

      ¥64.1506 ¥86.69
    • 10+

      ¥61.2054 ¥82.71
    • 30+

      ¥56.1068 ¥75.82
    • 100+

      ¥51.6594 ¥69.81
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU,带有TrustZone、FPU,频率高达250 MHz,具备MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)。 8 Kbyte指令缓存,用于从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。 4 Kbyte数据缓存,用于外部存储器。 1.5 DMIPS/MHz(Drystone 2.1)。 1023 CoreMark(4.092 CoreMark/MHz)。 高达2 Mbyte的嵌入式闪存,带ECC,两个存储体可在写入时读取。 每个存储体高达48 Kbyte,具有高循环能力(100 K周期),用于数据闪存
    • 1+

      ¥64.7637 ¥106.17
    • 10+

      ¥61.9089 ¥101.49
    • 30+

      ¥56.9618 ¥93.38
    • 100+

      ¥52.643 ¥86.3
  • 有货
  • 特性:动态效率线,具备增强批量采集模式 (eBAM)。1.7 V 至 3.6 V 电源。40 °C 至 85/105/125 °C 温度范围。内核:带有浮点单元 (FPU) 的 Arm 32 位 Cortex-M4 CPU,自适应实时加速器 (ART Accelerator™) 允许从闪存零等待状态执行,频率高达 100 MHz,具备内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。高达 1.5 Mbytes 的闪存。320 Kbytes 的 SRAM。灵活的外部静态内存控制器,具有高达 16 位数据总线:SRAM、PSRAM、NOR 闪存。双模式 Quad-SPI 接口
    数据手册
    • 1+

      ¥65.58
    • 10+

      ¥56.4
    • 30+

      ¥50.8
  • 有货
  • 特性:核心:32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)可实现从闪存零等待状态执行,频率高达 168 MHz,具备内存保护单元,210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。 存储器:高达 1 M 字节闪存;高达 192 + 4 K 字节 SRAM,包括 64 K 字节 CCM(核心耦合内存)数据 RAM;512 字节 OTP 内存;灵活的静态内存控制器,支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口,支持 8080/6800 模式。
    • 1+

      ¥65.78
    • 10+

      ¥63.52
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台: 1.65V 至 3.6V 电源。-40℃ 至 105℃ 温度范围。305nA 待机模式(3 个唤醒引脚)。1.15μA 待机模式 + RTC。0.475μA 停止模式(16 个唤醒线)。1.35μA 停止模式 + RTC。11μA 低功耗运行模式。230μA/MHz 运行模式
    数据手册
    • 1+

      ¥66.4816 ¥89.84
    • 10+

      ¥64.4096 ¥87.04
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 内核:具有FPU的32位Arm Cortex-M4 CPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,具有213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。 工作条件:VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器:用于三角函数加速的CORDIC;滤波器数学加速器FMAC。 存储器:512 KB的闪存,支持ECC,双存储体可读写,具备专有代码读取保护(PCROP)和可安全存储区域,1 KB OTP;96 KB的SRAM,前32 KB实现硬件奇偶校验;32 KB的SRAM位于指令和数据总线上,具备硬件奇偶校验(CCM SRAM);支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器的静态存储器外部存储器接口FSMC;Quad-SPI存储器接口。
    数据手册
    • 1+

      ¥66.92
    • 10+

      ¥57.69
    • 30+

      ¥52.06
  • 有货
  • 特性:核心:带FPU的32位Arm Cortex-M4 CPU(最高72 MHz),单周期乘法和硬件除法DSP指令。 高达64 KB的闪存。 高达12 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 程序加速器:指令和数据总线上4 KB带硬件奇偶校验的SRAM(CCM)。 CRC计算单元。 复位和电源管理。 低功耗模式:睡眠、停止、待机。 VDD、VDA电压范围:2.0至3.6 V
    数据手册
    • 1+

      ¥67.91
    • 10+

      ¥58.25
    • 30+

      ¥52.37
  • 有货
  • 特性:核心:基于ARM 32位Cortex-M3 CPU,带有MPU。 最高频率36 MHz,每兆赫兹1.25 DMIPS(Dhrystone 2.1)性能。 单周期乘法和硬件除法。 768 KB至1 MB的闪存(双存储体,具备读写功能)。 80 KB的SRAM。 灵活的静态内存控制器,带有4个片选
    数据手册
    • 1+

      ¥70.2069 ¥123.17
    • 10+

      ¥68.0181 ¥119.33
  • 有货
  • 特性:核心:基于 Arm 的 32 位 Cortex-M3 CPU(最高 120 MHz),带有自适应实时加速器(ART Accelerator),可实现从闪存的零等待状态执行性能,具备 MPU,150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。 存储器:高达 1 Mbyte 的闪存,512 字节的 OTP 存储器,高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM,支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器,LCD 并行接口(8080/6800 模式)。
    数据手册
    • 1+

      ¥70.3136 ¥96.32
    • 10+

      ¥67.087 ¥91.9
    • 30+

      ¥61.5025 ¥84.25
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      ¥56.6261 ¥77.57
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