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封装：LQFP-64(10x10)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗。 -电源电压范围：1.71V至3.6V。 -温度范围：-40℃至85/105/125℃。 -VBAT模式下电流为200nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。 -待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。 -带RTC的待机模式电流为280nA

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型号：STM32F412CGU6TR 编号：C2055817

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：具有BAM（批量采集模式）的动态效率线。内核：带有FPU的32位Arm Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator™）允许从闪存中零等待状态执行，频率高达100 MHz，具有内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达1 Mbyte的闪存；256 Kbyte的SRAM；灵活的外部静态存储器控制器，数据总线高达16位，支持SRAM、PSRAM、NOR闪存；双模式Quad-SPI接口。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。

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型号：STM32F301K8T7 编号：C472593

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：内核：ARM 32 位 Cortex-M4 CPU，配有 FPU（最大 72 MHz），单周期乘法指令和硬件除法单元，DSP 指令。存储器：32 到 64 KB Flash，数据总线上有 16 K 字节的 SRAM。 CRC 计算单元。复位和电源管理：VDD、VDA 电压范围：2.0 至 3.6 V；开机 / 关机复位（POR/PDR）；可编程电压检测器 (PVD)；低功耗：睡眠、停止、待机；VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。时钟管理：4 至 32 MHz 晶振；带校准功能的 32 kHz RTC 振荡器；具有 x16 PLL 选项的内部 8 MHz RC；内部 40 kHz 振荡器。多达 51 个快速 I/O 端口，所有都可映射至外部中断向量，多个都能耐 5 V 电压。互连矩阵。 7 通道 DMA 控制器，支持定时器、ADC、SPI、I²C、USART、DAC

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型号：STM32F427VGT6 编号：C117815

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：内核：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器（ART加速器）、主频高达180MHz，MPU，能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone2.1）的性能，具有DSP指令集。高达2MB Flash，组织为两个区，可读写同步。高达256 + 4KB的SRAM，包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据RAM。具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口，兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率，具有专用的Chrom-ART Accelerator，用于增强的图形内容创建（DMA2D）。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR

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型号：STM32F103CBT7 编号：C1338636

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时，性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64 或 128 Kbytes 的闪存和 20 Kbytes 的 SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），4 至 16 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC，用于 CPU 时钟的 PLL，带校准的 32 kHz 振荡器用于 RTC。低功耗睡眠、停止和待机模式，VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2×12 位、1 μs A/D 转换器（最多 16 通道），转换范围：0 至 3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7 通道 DMA 控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPIs、I²C 和 USARTs

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型号：STM32L431KCU6TR 编号：C2054968

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA

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型号：STM32L082KZT6 编号：C1339815

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65 V 至 3.6 V 电源。 -40 至 125℃温度范围。 0.29 μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。 0.43 μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.86 μA 停止模式 + RTC + 20 KB RAM 保留。运行模式下低至 93 μA/MHz。 5 μs 唤醒时间（从闪存）

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型号：STM32L496VET6 编号：C1337422

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/125℃。 VBAT模式下为320nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式下为25nA（5个唤醒引脚）。待机模式下为108nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式下为426nA。停止2模式下为2.57μA，带RTC的停止2模式下为2.86μA

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型号：STM32F427VIT6 编号：C57097

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：内核：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器（ART加速器）、主频高达180MHz，MPU，能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone2.1）的性能，具有DSP指令集。高达2MB Flash，组织为两个区，可读写同步。高达256 + 4KB的SRAM，包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据RAM。具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口，兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率，具有专用的Chrom-ART Accelerator，用于增强的图形内容创建（DMA2D）。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR

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型号：STM32F102R4T6A 编号：C1339262

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：Arm 32位Cortex-M3 CPU。最高频率48 MHz，在0 WS内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1）。单周期乘法和硬件除法。16或32 Kbytes的闪存。4或6 Kbytes的SRAM。2.0至3.6V应用电源和I/O

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型号：STM32F410CBT3 编号：C1337418

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，带有eBAM（增强型批量采集模式）。 1.7 V至3.6 V电源。 -40°C至85/105/125°C温度范围。内核：带有FPU的Arm 32位Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存进行零等待状态执行，频率高达100 MHz，内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），以及DSP指令。高达128 Kbytes的闪存。 512字节的OTP内存。 32 Kbytes的SRAM。时钟、复位和电源管理：1.7 V至3.6 V应用电源和I/O

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型号：STM32F429ZGT6TR 编号：C1852724

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM），允许从闪存零等待状态执行，频率高达 180 MHz，具备 MPU，225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。存储器：高达 2 MB 闪存，分为两个存储体，支持读写同时进行；高达 256 + 4 KB SRAM，包括 64 KB CCM（核心耦合内存）数据 RAM；灵活的外部存储器控制器，支持高达 32 位数据总线，可连接 SRAM、PSRAM、SDRAM、Compact Flash、NOR、NAND 存储器。 LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。

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型号：STM32L072CZU6 编号：C529427

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65 V 至 3.6 V 电源，-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29 μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。 0.43 μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.86 μA 停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM 保留。运行模式下低至 93 μA/MHz。 5 μs 唤醒时间（从闪存）。 12 位 ADC 转换在 10 ksps 时为 41 μA

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型号：STM32G473CBT6 编号：C730111

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带有FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：用于三角函数加速的CORDIC，过滤数学加速器FMAC。

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型号：STM32F373RCT6TR 编号：C2054114

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，带浮点单元（FPU）和内存保护单元（MPU）的DSP指令。1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：64至256 Kbytes的闪存，32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0至3.6 V，上电/掉电复位（POR/PDR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式（睡眠、停止、待机），RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器，用于RTC的32kHz振荡器（带校准），内部8 MHz RC（带x16 PLL选项），内部40kHz振荡器

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型号：STM32WL33CCV6 编号：C22808559

封装：VFQFPN-48(6x6)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32F105RCT7 编号：C2149676

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32L073CZT6 编号：C1337219

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源。40至125℃温度范围。0.29 μA待机模式（3个唤醒引脚）。0.43 μA停止模式（16个唤醒线）。0.86 μA停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM保留。运行模式下低至93 μA/MHz。5 μs唤醒时间（从闪存）

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型号：STM32G491REI6 编号：C3228560

封装：UFBGA-64

品牌：ST(意法半导体)

主流 Arm Cortex-M4 MCU 170 MHz，带 512 KB 闪存、数学加速器、高模拟级集成

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型号：STM32U385KGU6 编号：C45066903

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

该设备属于基于高性能 Arm Cortex®-M33 32 位 RISC 内核的超低功耗微控制器系列（STM32U3 系列），工作频率高达 96 MHz。Cortex®-M33 内核具有单精度 FPU（浮点单元），支持所有 Arm 单精度数据处理指令和所有数据类型。Cortex®-M33 内核还实现了一整套 DSP（数字信号处理）指令和 MPU（内存保护单元）。

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型号：STM32U375KGU6 编号：C45338536

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32G441KBT6 编号：C730107

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存进行0等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：用于三角函数加速的CORDIC；过滤数学加速器（FMAC）。存储器：128 Kbytes闪存，支持ECC，具备专有代码读出保护（PCROP）和可安全存储区域，1 Kbyte OTP；22 Kbytes SRAM，前16 Kbytes有硬件奇偶校验；10 Kbytes SRAM用于指令和数据总线，有硬件奇偶校验（CCM SRAM）。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR/BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机和关机。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；内部16 MHz RC，带PLL选项（±1%）。多达86个快速I/O：均可映射到外部中断向量；多个I/O具备5 V容限能力。互连矩阵

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型号：STM32U545CET6Q 编号：C20033864

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32G473CCU6 编号：C2969904

封装：UFQFN-48

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU和自适应实时加速器（ART Accelerator），允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：用于三角函数加速的CORDIC和过滤数学加速器FMAC。存储器：512 KB的闪存，支持ECC，双存储体可读写，具备专有代码读取保护（PCROP）和可安全存储区域，1 KB OTP；96 KB SRAM，前32 KB实现硬件奇偶校验；指令和数据总线上32 KB SRAM（CCM SRAM），带硬件奇偶校验；支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器的外部静态存储器接口FSMC；Quad-SPI存储器接口。

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型号：STM32MP151CAC3 编号：C1555509

封装：TFBGA-361

品牌：ST(意法半导体)

特性：32 位 Arm Cortex-A7，L1 32 Kbyte I / 32 Kbyte D，256 Kbyte 统一二级缓存，Arm NEON 和 Arm TrustZone。 32 位 Arm Cortex-M4 带 FPU/MPU，最高 209 MHz（最高 703 CoreMark）。外部 DDR 内存最高 1 Gbyte，支持 LPDDR2/LPDDR3-1066 16/32 位、DDR3/DDR3L-1066 16/32 位。 708 Kbytes 内部 SRAM：256 Kbytes AXI SYSRAM + 384 Kbytes AHB SRAM + 64 Kbytes 备份域 AHB SRAM 和 4 Kbytes 备份域 SRAM。双模式 Quad-SPI 内存接口。灵活的外部内存控制器，最高 16 位数据总线，可连接外部 IC 和 SLC NAND 内存，最高 8 位 ECC。安全启动，TrustZone 外设，主动防篡改，Cortex-M4 资源隔离。 1.71 V 至 3.6 V I/O 电源（5 V 耐受 I/O）

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型号：STM32F103TBU6TR 编号：C1339380

封装：VFQFPN-36(6x6)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时，性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64 或 128 Kbytes 的闪存和 20 Kbytes 的 SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），4 至 16 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC，用于 CPU 时钟的 PLL，带校准的 32 kHz 振荡器用于 RTC。低功耗睡眠、停止和待机模式，VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2×12 位、1 μs A/D 转换器（最多 16 通道），转换范围：0 至 3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7 通道 DMA 控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPIs、I²C 和 USARTs

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型号：STM32F205ZCT7 编号：C1338827

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：基于 Arm 的 32 位 Cortex-M3 CPU（最高 120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存的零等待状态执行性能，具备 MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：高达 1 Mbyte 的闪存，512 字节的 OTP 存储器，高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器，LCD 并行接口（8080/6800 模式）。

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型号：STM32F103REY6TR 编号：C2053679

封装：WLCSP-64(4.5x4.5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Arm Cortex-M3 CPU。最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。单周期乘法和硬件除法。256至512 Kbytes的闪存。高达64 Kbytes的SRAM。具有4个片选的灵活静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存

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型号：STM32MP135DAE7 编号：C5360919

封装：LFBGA-289(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体先进的专利技术。核心：32位Arm Cortex-A7，L1 32KB指令/32KB数据缓存，128KB统一二级缓存，具备Arm NEON和Arm TrustZone。存储器：外部DDR内存最大1GB，支持LPDDR2/LPDDR3-1066 16位、DDR3/DDR3L-1066 16位；168KB内部SRAM（128KB AXI SYSRAM + 32KB AHB SRAM + 8KB备份域SRAM）；双Quad-SPI内存接口；灵活的外部内存控制器，最大16位数据总线，可连接外部IC和SLC NAND内存，支持8位ECC。安全/防护：TrustZone外设，12个防篡改引脚（包括5个主动防篡改），具备温度、电压、频率和32kHz监测功能。复位和电源管理：1.71V至3.6V I/O电源（5V耐受I/O），POR、PDR、PVD和BOR，片上LDO（USB 1.8V、1.1V），备份稳压器（~0.9V），内部温度传感器，低功耗模式（睡眠、停止、LPLV-停止、LPLV-停止2和待机）。时钟管理：内部振荡器（64MHz HSI振荡器、4MHz CSI振荡器、32kHz LSI振荡器），外部振荡器（8-48MHz HSE振荡器、32.768kHz LSE振荡器），4个带分数模式的PLL。通用输入/输出：最多135个带中断功能的安全I/O端口，最多6个唤醒功能。互连矩阵：2个总线矩阵，64位Arm AMBA AXI互连，最高266MHz；32位Arm AMBA AHB互连，最高209MHz

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型号：STM32F446ZEJ6 编号：C1337282

封装：UFBGA-144

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达180 MHz，具备MPU，225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：512 KB闪存、128 KB SRAM、具有高达16位数据总线的灵活外部存储器控制器，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存、双模式QuadSPI接口。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：1.7 V至3.6 V应用电源和I/O、POR、PDR、PVD和BOR、4至26 MHz晶体振荡器、内部16 MHz工厂校准RC（精度1%）、用于RTC的32 kHz振荡器及校准、内部32 kHz RC及校准。低功耗：支持睡眠、停止和待机模式。 VBAT为RTC供电，20×32位备份寄存器加上可选的4 KB备份SRAM。 3个12位、2.4 MSPS ADC：多达24个通道，三重交错模式下可达7.2 MSPS。 2个12位D/A转换器

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