STM32仿真器_厂家_价格_品牌_库存

封装：LQFP-48(7x7)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA

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型号：STM32F401RET6 编号：C116978

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有FPU的ARM 32位Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存中零等待状态执行，频率高达84 MHz，内存保护单元，105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），以及DSP指令。存储器：高达512 KB的闪存；高达96 KB的SRAM。时钟、复位和电源管理：1.7 V至3.6 V应用电源和I/O；POR、PDR、PVD和BOR；4至26 MHz晶体振荡器；内部16 MHz工厂校准RC；用于RTC的32 kHz振荡器，带校准；内部32 kHz RC，带校准。

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型号：STM32G0B0RET6 编号：C3230954

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

主流超值系列，Arm Cortex-M0+ 32 位 MCU，高达 512KB 闪存、144KB RAM、6x USART、定时器、ADC、通信。 I/F，2-3.6V

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型号：STM32WLE5CBU6 编号：C1121847

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

Sub-GHz 无线微控制器。 Arm Cortex-M4 @48 MHz，具有 128 KB 闪存、48 KB SRAM。 LoRa、(G)FSK、(G)MSK、BPSK 调制。 AES 256 位。多协议片上系统。

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型号：STM32F405RGT6TR 编号：C2054141

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）可实现从闪存零等待状态执行，频率高达 168 MHz，具备内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持 DSP 指令。存储器：高达 1 M 字节闪存；高达 192 + 4 K 字节 SRAM，包括 64 K 字节 CCM（核心耦合内存）数据 RAM；512 字节 OTP 内存；灵活的静态内存控制器，支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口，支持 8080/6800 模式。

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型号：STM32F429VET6 编号：C95447

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：内核：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器（ART加速器）、主频高达180MHz，MPU，能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone2.1）的性能，具有DSP指令集。高达2MB Flash，组织为两个区，可读写同步。高达256 + 4KB的SRAM，包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据RAM。具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口，兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率，具有专用的Chrom-ART Accelerator，用于增强的图形内容创建（DMA2D）。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR

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型号：STM32L496ZGT6 编号：C1337220

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包括意法半导体最先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗：供电电压1.71 V至3.6 V。温度范围-40℃至85/125℃。VBAT模式下为320 nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式25 nA（5个唤醒引脚）。待机模式108 nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式426 nA。停止2模式2.57 μA，带RTC的停止2模式2.86 μA

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￥54.47
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￥38.37
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型号：STM32C011F6P6 编号：C5456198

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达48 MHz。工作温度：-40℃至85℃ / 105℃ / 125℃。内存：高达32 KB带保护的闪存，6 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V，具备上电/掉电复位（POR/PDR）、可编程欠压复位（BOR），低功耗模式包括睡眠、停止、待机、关机。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器，32 kHz带校准的晶体振荡器，内部48 MHz RC振荡器（±1%），内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：STM32F030F4P6 编号：C32908

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M0 CPU，频率高达 48 MHz。内存：16 至 64 KB 的闪存，4 至 8 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。 CRC 计算单元。复位和电源管理：电压范围 2.4V 至 3.6V，上电/掉电复位（POR/PDR），低功耗模式（睡眠、停止、待机）。时钟管理：4 至 32 MHz 晶体振荡器，32 kHz 带校准的 RTC 振荡器，内部 8 MHz RC 可选 x6 PLL，内部 40 kHz RC 振荡器。多达 55 个快速 I/O，均可映射到外部中断向量

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型号：STM32F030K6T6TR 编号：C88446

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

STM32F030x4、STM32F030x6、STM32F030x8 和 STM32F030xC 微控制器集成了高性能的 Arm Cortex -M0 32 位 RISC 内核，工作频率为 48 MHz，高速嵌入式存储器（高达 256 KB 的 Flash 存储器和高达 32 KB 的 SRAM），以及一系列增强型外设和 I/O。所有设备提供标准通信接口（最多两个 I2C、最多两个 SPI 和最多六个 USART）、一个 12 位 ADC、七个通用 16 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。这些微控制器的工作温度范围为 -40 至 +85°C，供电电压范围为 2.4 至 3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。这些微控制器包括四种不同封装的设备，引脚数从 20 到 64 不等。根据所选设备的不同，包含不同的外设组合。

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￥6.46
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型号：STM32G031G6U6TR 编号：C724053

封装：UFQFPN-28(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C/105°C/125°C。存储器：高达64 KB的闪存，具备保护和可安全区域；8 KB的SRAM，带硬件奇偶校验。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；32 kHz晶体振荡器，带校准；内部16 MHz RC，可选PLL（±1%）；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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￥6.68
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￥3.84
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型号：STM32F051K8T6TR 编号：C2054944

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。16至64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。数字和I/O电源：VDD = 2.0V至3.6V。模拟电源：VDA从VDD至3.6V

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型号：LCKFB-DKX-STM32F103C8T6 编号：C22396880

封装：-

品牌：立创开发板

搭载Contex M3内核,程序存储容量64KB,RAM总容量20KB,最高72MHz主频,提供高效的计算能力和稳定的运行环境。

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￥11.46
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型号：STM32G0B1RCT6 编号：C3034735

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU，高达256KB Flash，144KB RAM，6x USART，定时器，ADC，DAC，通讯。 I/F，1.7-3.6V

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￥11.68
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￥9.7
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型号：STM32F301C8T6TR 编号：C2053240

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带FPU的32位Arm Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，DSP指令。32至64 KB的闪存。数据总线上有16 KB的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理。VDD、VDA电压范围：2.0至3.6 V

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￥19.72
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￥14.9
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￥13.08
500+
￥12.24
1000+
￥11.86

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型号：STM32L432KBU6 编号：C94784

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗，电源电压范围为1.71V至3.6V，温度范围为 -40℃至85/105/125℃。关机模式电流为8nA（2个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（2个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC的停止2模式电流为1.28μA。运行模式电流为84μA/MHz。具备批量采集模式（BAM）。从停止模式唤醒时间为4μs

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1+
￥20.19
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￥17.37
30+
￥15.6
100+
￥13.79
490+
￥12.98
980+
￥12.62

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型号：STM32F302K8U6 编号：C88390

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有FPU的ARM 32位Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，DSP指令。 32至64 KB的闪存。数据总线上16 KB的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理。 VDD、VDA电压范围：2.0至3.6 V

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1+
￥21.76
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￥18.99
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￥17.25
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￥15.48
490+
￥14.67
980+
￥14.33

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型号：STM32F103C8T7 编号：C1121900

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核，最高频率 72 MHz，在 0 等待状态内存访问时，性能为 1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64 或 128 Kbytes 的闪存和 20 Kbytes 的 SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O，POR、PDR 和可编程电压检测器（PVD），4 至 16 MHz 晶体振荡器，内部 8 MHz 工厂校准 RC，内部 40 kHz RC，用于 CPU 时钟的 PLL，带校准的 32 kHz 振荡器用于 RTC。低功耗睡眠、停止和待机模式，VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2×12 位、1 μs A/D 转换器（最多 16 通道），转换范围：0 至 3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7 通道 DMA 控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPIs、I²C 和 USARTs

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￥27.26
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￥23.24
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￥20.86
250+
￥18.44
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￥17.33
1000+
￥16.82

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型号：STM32F427VGT6 编号：C117815

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：内核：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器（ART加速器）、主频高达180MHz，MPU，能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone2.1）的性能，具有DSP指令集。高达2MB Flash，组织为两个区，可读写同步。高达256 + 4KB的SRAM，包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据RAM。具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口，兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率，具有专用的Chrom-ART Accelerator，用于增强的图形内容创建（DMA2D）。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR

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1+
￥32.08
10+
￥27.57
30+
￥23.14
100+
￥20.43

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型号：STM32G031G8U6TR 编号：C5270180

封装：UFQFPN-28(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

1+
￥6.85
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￥5.66
30+
￥5.01
100+
￥4.27
500+
￥3.95
1000+
￥3.8

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型号：STM32C031G6U6TR 编号：C7324966

封装：UFQFPN-28(4x4)

品牌：ST(意法半导体)

1+
￥6.88
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￥5.66
30+
￥4.99
100+
￥4.23
500+
￥3.89
1000+
￥3.74

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型号：STM32G030K6T6TR 编号：C724043

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C。存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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1+
￥8.41
10+
￥7.08
30+
￥6.35
100+
￥5.52
500+
￥5.15
1000+
￥4.99

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型号：STM32G030K8T6TR 编号：C724044

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C。存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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1+
￥8.59
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￥7.12
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￥6.31
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￥5.4
500+
￥4.99
1000+
￥4.81

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型号：STM32L031K6T6 编号：C94085

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源。 -40℃至 125℃温度范围。 0.23μA 待机模式（2 个唤醒引脚）。 0.35μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.6μA 停止模式 + RTC + 8KB RAM 保留

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1+
￥10.83
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￥9.32
30+
￥8.38
250+
￥7.33
500+
￥6.9
1000+
￥6.71

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型号：STM32L031K6T6TR 编号：C2054289

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台，1.65V至3.6V电源，-40至125℃温度范围。 0.23μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.35μA停止模式（16个唤醒线）。 0.6μA停止模式 + RTC + 8KB RAM保留。运行模式下低至76μA/MHz。 5μs唤醒时间（从闪存）

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1+
￥11.46
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￥9.89
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￥8.59
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￥7.59
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￥7.13
1000+
￥6.94

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型号：STM32L053R8T6 编号：C79207

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台，1.65V至3.6V电源，-40至125℃温度范围。 0.27μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8μA停止模式 + RTC + 8KB RAM保留。运行模式下88μA/MHz。 3.5μs唤醒时间（从RAM）

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1+
￥12.16
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￥10.38
30+
￥9.26
100+
￥7.36
500+
￥6.85
1000+
￥6.62

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型号：STM32F100C8T6B 编号：C8288

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

STM32F100XX 价值系列集成了高性能的 ARM CorteX-M3 32 位 RISC 内核，工作频率为 24 MHz，高速嵌入式存储器（Flash 存储器高达 128 KB 和 SRAM 高达 8 KB），以及一系列增强型外设和 I/O，连接到两个 APB 总线。所有设备提供标准通信接口（最多两个 I2C、两个 SPI、一个 HDMI CEC 和最多三个 USART）、一个 12 位 ADC、两个 12 位 DAC、最多六个通用 16 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。STM32F100XX 低密度和中密度价值系列的工作温度范围为 -40 至 +85℃ 和 -40 至 +105℃，供电电压范围为 2.0 至 3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。STM32F100XX 价值系列包括三种不同封装的设备，引脚数从 48 到 100 不等。根据所选设备的不同，包含不同的外设组合。这些特性使 STM32F100XX 价值系列微控制器适用于广泛的应用领域，如应用控制和用户界面、医疗和手持设备、PC 和游戏外设、GPS 平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、可视对讲机和 HVAC 系统。

数据手册

1+
￥14.91
10+
￥12.69
30+
￥11.3
250+
￥9.88
500+
￥9.24
1000+
￥8.96

有货

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型号：STM32F207VET6 编号：C59126

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU（最高 120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator，允许从闪存中实现零等待状态执行性能），MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：高达 1 Mbyte 的闪存；512 字节的 OTP 存储器；高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM；支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器；LCD 并行接口，8080/6800 模式。时钟、复位和电源管理：1.8 至 3.6 V 应用电源 + I/O；POR、PDR、PVD 和 BOR；4 至 26 MHz 晶体振荡器；内部 16 MHz 工厂校准 RC；带校准的 32 kHz RTC 振荡器；带校准的内部 32 kHz RC。

数据手册

1+
￥22.47
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￥19.12
30+
￥17.13
100+
￥15.12
500+
￥14.19

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型号：STM32F302RCT6 编号：C133230

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带FPU的ARM Cortex-M4 32位CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，DSP指令和MPU（内存保护单元）。工作条件:VDD、VDA电压范围：2.0 V至3.6 V。存储器:128至256 KB的闪存。高达40 KB的SRAM，前16 KB实现硬件奇偶校验。CRC计算单元。复位和电源管理:上电/掉电复位（POR/PDR）

数据手册

1+
￥23.83
10+
￥20.68
30+
￥18.81
100+
￥16.92
500+
￥16.04

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型号：STM32F205RET6 编号：C66278

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU（最高120 MHz），带有自适应实时加速器（ART AcceleratorTM），允许从闪存执行零等待状态性能，具备MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：高达1 Mbyte的闪存；512字节的OTP存储器；高达128 + 4 Kbytes的SRAM；灵活的静态存储器控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器；LCD并行接口，8080/6800模式。

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