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特性:内核:带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器(ART加速器)、主频高达180MHz,MPU,能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz(Dhrystone2.1)的性能,具有DSP指令集。 高达2MB Flash,组织为两个区,可读写同步。 高达256 + 4KB的SRAM,包括64-KB的CCM(内核耦合存储器)数据RAM。 具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口,兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率,具有专用的Chrom-ART Accelerator,用于增强的图形内容创建(DMA2D)。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR
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  • STM32F042X4/X6 微控制器集成了高性能的 ARM CorteX-M0 32 位 RISC 内核,运行频率高达 48 MHz,高速嵌入式存储器(高达 32 KB 的闪存和 6 KB 的 SRAM),以及一系列增强型外设和 I/O。所有设备提供标准通信接口(一个 I2C、两个 SPI/一个 I2S、一个 HDMI CEC 和两个 USART)、一个无晶振 USB 全速设备、一个 CAN、一个 12 位 ADC、四个 16 位定时器、一个 32 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。STM32F042X4/X6 微控制器的工作温度范围为 -40 至 +85℃ 和 -40 至 +105℃,电源电压范围为 2.0 至 3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。STM32F042X4/X6 微控制器包括七种不同封装形式的产品,从 20 引脚到 48 引脚不等,并可根据要求提供裸片形式。根据所选设备的不同,包含不同的外设组合。这些特性使得 STM32F042X4/X6 微控制器适用于广泛的应用领域,如应用控制和用户界面、手持设备、A/V 接收机和数字电视、PC 外设、游戏和 GPS 平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和 HVAC 系统。
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  • 订货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。工作条件:VDD、VDA电压范围:1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速,FMAC为滤波器数学加速器。存储器:512 Kbytes闪存,支持ECC,双存储体可读写,有专有代码读出保护(PCROP)和可安全存储区域,1 Kbyte OTP。96 Kbytes SRAM,前32 Kbytes有硬件奇偶校验。32 Kbytes SRAM在指令和数据总线上,有硬件奇偶校验(CCM SRAM)。外部静态存储器接口FSMC,支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。四路SPI存储器接口
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  • 特性:内核:带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器(ART加速器)、主频高达180MHz,MPU,能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz(Dhrystone2.1)的性能,具有DSP指令集。 高达2MB Flash,组织为两个区,可读写同步。 高达256 + 4KB的SRAM,包括64-KB的CCM(内核耦合存储器)数据RAM。 具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口,兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率,具有专用的Chrom-ART Accelerator,用于增强的图形内容创建(DMA2D)。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR
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  • 带 DP-FPU 的高性能 DSP、带 1 MB 闪存的 Arm Cortex-M7 MCU、564 KB RAM、550 MHz CPU、L1 缓存、外部存储器接口、外设子集
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  • 特性:核心:32位Arm Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz,工作温度范围为-40℃至85℃/105℃/125℃。 存储器:高达64 Kbytes的闪存,带保护和可安全区域;8 Kbytes的SRAM,带硬件奇偶校验。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围1.7V至3.6V;上电/掉电复位(POR/PDR);可编程欠压复位(BOR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止、待机、关机;VBAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;32 kHz晶体振荡器,带校准;内部16 MHz RC,可选PLL(±1%);内部32 kHz RC振荡器(±5%)。 多达44个快速I/O:均可映射到外部中断向量;多个5V容忍I/O
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  • 特性:超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源。40至125℃温度范围。0.27 μA待机模式(2个唤醒引脚)。0.4 μA停止模式(16个唤醒线)。0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留
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  • 特性:超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源。 -40℃至 125℃温度范围。 0.23μA 待机模式(2 个唤醒引脚)。 0.35μA 停止模式(16 个唤醒线)。 0.6μA 停止模式 + RTC + 8KB RAM 保留
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  • 特性:动态效率线,带批量采集模式(BAM)。1.7V至3.6V电源。40℃至85/105/125℃温度范围。核心:带FPU的ARM 32位Cortex-M4 CPU,自适应实时加速器(ART Accelerator™),允许从闪存零等待状态执行,频率高达84 MHz,内存保护单元,105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),以及DSP指令。高达256 KB的闪存。512字节的一次性可编程(OTP)内存。高达64 KB的静态随机存取存储器(SRAM)。时钟、复位和电源管理:1.7V至3.6V应用电源和I/O,POR、PDR、PVD和BOR,4至26 MHz晶体振荡器,内部16 MHz工厂校准RC,带校准的32 kHz RTC振荡器,带校准的内部32 kHz RC
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  • 特性:核心:ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU(最高 72 MHz),单周期乘法和硬件除法,90 DMIPS(来自 CCM),DSP 指令和 MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDDA 电压范围:2.0V 至 3.6V。 存储器:128 至 256 Kbytes 的闪存;高达 40 Kbytes 的 SRAM,前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验;8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上,带硬件奇偶校验(CCM)。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器;用于 RTC 的 32 kHz 振荡器,带校准;内部 8 MHz RC,有 x 16 PLL 选项;内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O:所有可映射到外部中断向量;多个 5V 耐压。 互连矩阵
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    • 1+

      ¥27.44
    • 10+

      ¥23.74
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      ¥18.03
    • 500+

      ¥17
  • 有货
  • 特性:ARM 32位Cortex-M3 CPU内核,最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理:2.0至3.6 V应用电源和I/O,POR、PDR和可编程电压检测器(PVD),4至16 MHz晶体振荡器,内部8 MHz工厂校准RC,内部40 kHz RC,用于CPU时钟的PLL,带校准的32 kHz振荡器用于RTC。 低功耗:睡眠、停止和待机模式,VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器(最多16个通道),转换范围:0至3.6 V,双采样和保持能力,温度传感器。 7通道DMA控制器,支持的外设:定时器、ADC、SPI、I²C和USART
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    • 1+

      ¥32.56
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      ¥28.24
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      ¥24.56
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    • 490+

      ¥20.76
    • 980+

      ¥20.22
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32 位 Cortex-M3 CPU(最高 120 MHz),带有自适应实时加速器(ART Accelerator,允许从闪存中实现零等待状态执行性能),MPU,150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。 存储器:高达 1 Mbyte 的闪存;512 字节的 OTP 存储器;高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM;支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器;LCD 并行接口,8080/6800 模式。 时钟、复位和电源管理:1.8 至 3.6 V 应用电源 + I/O;POR、PDR、PVD 和 BOR;4 至 26 MHz 晶体振荡器;内部 16 MHz 工厂校准 RC;带校准的 32 kHz RTC 振荡器;带校准的内部 32 kHz RC。
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    • 1+

      ¥33.26
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      ¥28.62
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      ¥25.87
    • 120+

      ¥23.08
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU,带有TrustZone、FPU,频率高达250 MHz,具备MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)。 8 Kbyte指令缓存,允许从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。 4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz(Drystone 2.1)。 1023 CoreMark(4.092 CoreMark/MHz)。 高达2 Mbyte带ECC的嵌入式闪存,两个存储体可读写。 每个存储体高达48 Kbyte,数据闪存具有高循环能力(100 K周期)
    • 1+

      ¥33.44
    • 10+

      ¥28.6
    • 30+

      ¥25.64
    • 100+

      ¥23.17
  • 有货
  • 特性:核心:32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)可实现从闪存零等待状态执行,频率高达 168 MHz,具备内存保护单元,210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。 存储器:高达 1 M 字节闪存;高达 192 + 4 K 字节 SRAM,包括 64 K 字节 CCM(核心耦合内存)数据 RAM;512 字节 OTP 内存;灵活的静态内存控制器,支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口,支持 8080/6800 模式。
    数据手册
    • 1+

      ¥35.466
    • 540+

      ¥31.625
    特性:核心:ARM 32 位 Cortex-M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达 168 MHz,有内存保护单元,210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和 DSP 指令。 高达 1 Mbyte 的闪存。 高达 192 + 4 Kbytes 的 SRAM,包括 64-Kbyte 的 CCM(核心耦合内存)数据 RAM。 灵活的静态内存控制器,支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口,8080/6800 模式。 1.8 V 至 3.6 V 应用电源和 I/O。 PCR、PDR、PVD 和 BOR。 4 至 26 MHz 晶体振荡器
    数据手册
    • 1+

      ¥42.78
    • 10+

      ¥37.55
    • 30+

      ¥34.36
    • 100+

      ¥31.68
  • 有货
  • 特性:超低功耗,采用FlexPowerControl:电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下为300nA,为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式30nA(5个唤醒引脚)。待机模式120nA(5个唤醒引脚)。带RTC的待机模式420nA。停止2模式1.1μA,带RTC时1.4μA。运行模式(LDO模式)100μA/MHz,运行模式(@3.3V SMPS模式)39μA/MHz
    数据手册
    • 1+

      ¥55.29
    • 10+

      ¥48.98
    • 30+

      ¥45.13
    • 100+

      ¥41.91
  • 有货
    • 1+

      ¥5.05
    • 10+

      ¥4.54
    • 30+

      ¥4.26
    • 100+

      ¥3.94
    • 500+

      ¥3.8
    • 1000+

      ¥3.74
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32 位 Cortex-M0 CPU,频率高达 48 MHz。 内存:16 至 64 KB 的闪存,4 至 8 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:电压范围 2.4V 至 3.6V,上电/掉电复位(POR/PDR),低功耗模式(睡眠、停止、待机)。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器,32 kHz 带校准的 RTC 振荡器,内部 8 MHz RC 可选 x6 PLL,内部 40 kHz RC 振荡器。 多达 55 个快速 I/O,均可映射到外部中断向量
    数据手册
    • 1+

      ¥6.42
    • 10+

      ¥5.45
    • 30+

      ¥4.75
    • 100+

      ¥4.19
  • 有货
    • 1+

      ¥6.86
    • 10+

      ¥5.67
    • 30+

      ¥5.01
    • 100+

      ¥4.28
    • 500+

      ¥3.95
    • 1000+

      ¥3.8
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台,1.65V至3.6V电源,-40至125℃温度范围。 0.27μA待机模式(2个唤醒引脚)。 0.4μA停止模式(16个唤醒线)。 0.8μA停止模式 + RTC + 8KB RAM保留。 运行模式下88μA/MHz。 3.5μs唤醒时间(从RAM)
    数据手册
    • 1+

      ¥13.63
    • 10+

      ¥11.71
    • 30+

      ¥10.51
    • 100+

      ¥8.47
    • 500+

      ¥7.92
    • 1000+

      ¥7.67
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40°C至85°C/125°C。 存储器:高达128 KB的闪存,36 KB的SRAM(32 KB带硬件奇偶校验)。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围1.7 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);可编程欠压复位(BOR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止、待机、关机;RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;带校准的32 kHz晶体振荡器;带PLL选项(±1%)的内部16 MHz RC;内部32 kHz RC振荡器(±5%)
    数据手册
    • 1+

      ¥14.58
    • 10+

      ¥12.3
    • 30+

      ¥10.87
    • 250+

      ¥9
    • 500+

      ¥8.34
    • 1000+

      ¥8.05
  • 有货
  • 特性:内核:带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器(ART加速器)、主频高达180MHz,MPU,能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz(Dhrystone2.1)的性能,具有DSP指令集。 高达2MB Flash,组织为两个区,可读写同步。 高达256 + 4KB的SRAM,包括64-KB的CCM(内核耦合存储器)数据RAM。 具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口,兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率,具有专用的Chrom-ART Accelerator,用于增强的图形内容创建(DMA2D)。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR
    数据手册
    • 1+

      ¥24.33
    • 10+

      ¥20.62
    • 40+

      ¥18.41
    • 80+

      ¥16.18
    • 480+

      ¥15.15
    • 1000+

      ¥14.69
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator),可实现从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,MPU,DSP指令。 工作条件:VDD、VDDA电压范围1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速,FMAC滤波器数学加速器。 512 Kbytes闪存,支持ECC,双存储体可读写,专有代码读取保护(PCROP),可保护存储区域,1 Kbyte OTP。 96 Kbytes SRAM,前32 Kbytes有硬件奇偶校验。 常规增强器:指令和数据总线上32 Kbytes SRAM,有硬件奇偶校验(CCM SRAM)。 外部静态存储器接口FSMC,支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。 四路SPI存储器接口
    数据手册
    • 1+

      ¥38.49
    • 10+

      ¥33.7
    • 30+

      ¥30.85
    • 100+

      ¥27.97
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex™-M3 CPU,最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),单周期乘法和硬件除法。 256至512 Kbytes的闪存,高达64 Kbytes的SRAM。 灵活的静态内存控制器,带有4个片选,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口,8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理:2.0至3.6 V应用电源和I/O,POR、PDR和可编程电压检测器(PVD),4至16 MHz晶体振荡器,内部8 MHz工厂校准RC,内部40 kHz带校准的RC,32 kHz带校准的RTC振荡器。 睡眠、停止和待机模式,VBAT为RTC和备份寄存器供电
    数据手册
    • 1+

      ¥46.59
    • 10+

      ¥40.39
    • 30+

      ¥34.92
    • 100+

      ¥31.19
    • 500+

      ¥29.47
    • 1000+

      ¥28.69
  • 有货
  • 特性:32-bit Arm Cortex-M7核心,带双精度FPU和L1缓存:16KB数据缓存和16KB指令缓存,允许从256位嵌入式闪存中单次访问填充一个缓存行;频率高达400MHz,具备MPU、856 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 高达2MB的闪存,支持读时写。 1MB的RAM:192KB的TCM RAM(包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序),864KB的用户SRAM,以及4KB备份域中的SRAM。 双模式Quad-SPI内存接口,运行频率高达133MHz。 灵活的外部内存控制器,具有高达32位数据总线:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存,同步模式下时钟频率高达133MHz。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动篡改保护。 多达168个具有中断能力的I/O端口
    数据手册
    • 1+

      ¥55.83
    • 10+

      ¥49.26
    • 30+

      ¥45.06
  • 有货
  • 特性:32-bit Arm Cortex-M7 CPU with DP-FPU, L1 cache: 32-Kbyte data cache and 32-Kbyte instruction cache allowing 0-wait state execution from embedded Flash memory and external memories, frequency up to 550 MHz, MPU, 1177 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1), and DSP instructions。Up to 1 Mbyte of embedded Flash memory with ECC。SRAM: total 564 Kbytes all with ECC, including 128 Kbytes of data TCM RAM for critical real-time data + 432 Kbytes of system RAM (up to 256 Kbytes can remap on instruction TCM RAM for critical real time instructions) + 4 Kbytes of backup SRAM (available in the lowest-power modes)。Flexible external memory controller with up to 16-bit data bus: SRAM, PSRAM, SDRAM/LPSDR SDRAM, NOR/NAND memories。2 x Octo-SPI interface with XiP。2 x SD/SDIO/MMC interface。Bootloader。Chrom-ART Accelerator graphical hardware accelerator enabling enhanced graphical user interface to reduce CPU load
    • 1+

      ¥69.21
    • 10+

      ¥59.6
    • 30+

      ¥53.75
    • 100+

      ¥48.84
  • 有货
  • 特性:双核:32 位 Arm Cortex-M7 内核,带双精度 FPU 和 16KB 数据、16KB 指令缓存,频率高达 480MHz,有 MPU、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和 DSP 指令;32 位 Arm Cortex-M4 内核,带 FPU、自适应实时加速器,频率高达 240MHz,有 MPU、300 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和 DSP 指令。
    数据手册
    • 1+

      ¥79.38
    • 10+

      ¥69.29
    • 30+

      ¥63.14
    • 100+

      ¥57.98
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40°C至85°C。 存储器:高达64 Kbytes的带保护的闪存;8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围2.0 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);低功耗模式:睡眠、停止、待机;RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;带校准的32 kHz晶体振荡器;带PLL选项的内部16 MHz RC;内部32 kHz RC振荡器(±5%)
    数据手册
    • 1+

      ¥5.32
    • 10+

      ¥4.76
    • 30+

      ¥4.46
    • 100+

      ¥4.11
    • 500+

      ¥3.96
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