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特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 32位双核Arm Cortex-A7,每个核心有32KB的L1指令缓存和32KB的数据缓存,256KB统一二级缓存,支持Arm NEON和Arm TrustZone。 32位Arm Cortex-M4带浮点单元/内存保护单元,最高209MHz(最高703 CoreMark)。 外部DDR内存最高1GB,支持LPDDR2/LPDDR3-1066 16/32位、DDR3/DDR3L-1066 16/32位;708KB内部SRAM,包括256KB的AXI SYSRAM、384KB的AHB SRAM、64KB备份域的AHB SRAM和4KB备份域的SRAM;双模式Quad-SPI内存接口;灵活的外部内存控制器,最高16位数据总线,可连接外部IC和SLC NAND内存,带8位ECC。
数据手册
  • 1+

    ¥77.04
  • 10+

    ¥73.44
  • 30+

    ¥67.19
  • 有货
  • 特性:超低功耗,具备FlexPowerControl。 电源电压范围:1.71V至3.6V。 温度范围:-40℃至85/125℃。 VBAT模式下为145nA,为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式22nA(5个唤醒引脚)。 待机模式106nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式375nA。 停止2模式2.05μA,带RTC时2.40μA
    数据手册
    • 1+

      ¥77.08
    • 10+

      ¥66.35
    • 30+

      ¥59.81
  • 有货
  • 超低功耗,采用带 Trust Zone 的 FPU Arm Cortex-M33、具有 1Mbytes 闪存的 160 MHz MCU
    • 1+

      ¥78.45
    • 10+

      ¥74.69
    • 30+

      ¥68.2
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU,带有TrustZone、FPU,频率高达250 MHz,MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)。 8 Kbyte指令缓存,可实现从闪存和外部存储器的零等待状态执行。 4 Kbyte用于外部存储器的数据缓存。 1.5 DMIPS/MHz(Drystone 2.1)。 1023 CoreMark(4.092 CoreMark/MHz)。 高达2 Mbyte的嵌入式闪存,带ECC,两个存储体可读写。 每个存储体高达48 Kbyte,具有高循环能力(100 K周期),用于数据闪存
    • 1+

      ¥78.69
    • 10+

      ¥76.35
  • 有货
  • 特性:ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核,最高频率 72 MHz,在 0 等待状态内存访问时,性能为 1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持单周期乘法和硬件除法。 64 或 128 Kbytes 的闪存和 20 Kbytes 的 SRAM。 时钟、复位和电源管理:2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O,POR、PDR 和可编程电压检测器(PVD),4 至 16 MHz 晶体振荡器,内部 8 MHz 工厂校准 RC,内部 40 kHz RC,用于 CPU 时钟的 PLL,带校准的 32 kHz 振荡器用于 RTC。 低功耗睡眠、停止和待机模式,VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2×12 位、1 μs A/D 转换器(最多 16 通道),转换范围:0 至 3.6 V,双采样和保持能力,温度传感器。 7 通道 DMA 控制器,支持的外设:定时器、ADC、SPIs、I²C 和 USARTs
    数据手册
    • 1+

      ¥78.83
    • 10+

      ¥67.79
    • 30+

      ¥61.07
  • 有货
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      ¥78.87
    • 10+

      ¥67.9
    • 30+

      ¥61.21
  • 有货
  • 特性:包含ST先进的专利技术。Arm Cortex-M33 CPU,带有TrustZone、FPU,频率高达250 MHz,MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)。8 Kbyte指令缓存,用于从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。4 Kbyte数据缓存,用于外部存储器。1.5 DMIPS/MHz(Drystone 2.1)。1023 CoreMark(4.092 CoreMark/MHz)。高达2 Mbytes的嵌入式闪存,带ECC,两个存储体可在写入时读取。每个存储体高达48 Kbyte,具有高循环能力(100 K周期),用于数据闪存
    • 1+

      ¥79.06
    • 10+

      ¥76.53
  • 有货
  • 特性:动态效率线,具备批量采集模式(BAM),电源电压为1.7V至3.6V,温度范围为 -40℃至85/105/125℃。 内核:采用带有FPU的32位Arm Cortex-M4 CPU,具备自适应实时加速器(ART Accelerator™),可实现从闪存零等待状态执行,频率高达84 MHz,配备内存保护单元,性能达105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:高达256 Kbytes的闪存,512字节的一次性可编程(OTP)存储器,高达64 Kbytes的静态随机存取存储器(SRAM)。
    数据手册
    • 1+

      ¥79.16
    • 10+

      ¥68.3
    • 30+

      ¥61.69
  • 有货
  • 特性:超低功耗,采用FlexPowerControl,电源电压1.71V至3.6V,温度范围-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式30nA(5个唤醒引脚)。 待机模式120nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式420nA。 停止2模式1.1μA,带RTC时1.4μA。 运行模式100μA/MHz(LDO模式)。 运行模式39μA/MHz(@3.3V SMPS模式)
    数据手册
    • 1+

      ¥79.31
    • 10+

      ¥72.62
    • 30+

      ¥66.47
  • 有货
  • 特性:动态效率线,具备批量采集模式(BAM),电源电压为1.7V至3.6V,温度范围为 -40℃至85/105/125℃。 内核:采用带有FPU的32位Arm Cortex-M4 CPU,具备自适应实时加速器(ART Accelerator™),可实现从闪存零等待状态执行,频率高达84 MHz,配备内存保护单元,性能达105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:高达256 Kbytes的闪存,512字节的一次性可编程(OTP)存储器,高达64 Kbytes的静态随机存取存储器(SRAM)。
    数据手册
    • 1+

      ¥79.33
    • 10+

      ¥75.69
    • 30+

      ¥69.39
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。1.65 V 至 3.6 V 电源。40℃ 至 105℃ 温度范围。0.29 μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。1.15 μA 待机模式 + RTC。0.44 μA 停止模式(16 个唤醒线路)。1.4 μA 停止模式 + RTC。8.6 μA 低功耗运行模式
    数据手册
    • 单价:

      ¥33.083918 / 个
    特性:超低功耗平台。 1.65 V 至 3.6 V 电源,-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29 μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。 0.43 μA 停止模式(16 个唤醒线)。 0.86 μA 停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM 保留。 运行模式下低至 93 μA/MHz。 5 μs 唤醒时间(从闪存)。 12 位 ADC 转换在 10 ksps 时为 41 μA
    数据手册
    • 1+

      ¥80.28
    • 10+

      ¥68.77
    • 30+

      ¥61.75
  • 有货
  • 特性:核心:带有FPU的ARM 32位Cortex-M4 CPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存中零等待状态执行,频率高达84 MHz,内存保护单元,105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),以及DSP指令。 存储器:高达512 KB的闪存;高达96 KB的SRAM。 时钟、复位和电源管理:1.7 V至3.6 V应用电源和I/O;POR、PDR、PVD和BOR;4至26 MHz晶体振荡器;内部16 MHz工厂校准RC;用于RTC的32 kHz振荡器,带校准;内部32 kHz RC,带校准。
    数据手册
    • 1+

      ¥81.2
    • 10+

      ¥70.81
    • 30+

      ¥64.48
  • 有货
  • 特性:超低功耗,采用FlexPowerControl。 1.71 V至3.6 V电源,-40℃至85/125℃温度范围。 批量采集模式(BAM)。 VBAT模式下187 nA:为RTC和32x32位备份寄存器供电。 17 nA关机模式(5个唤醒引脚)。 108 nA待机模式(5个唤醒引脚)。 222 nA带RTC的待机模式。 3.16μA带RTC的Stop 2模式
    数据手册
    • 1+

      ¥81.36
    • 10+

      ¥77.46
    • 30+

      ¥70.72
  • 有货
  • 32位Arm Cortex-M4 MCU+FPU,225DMIPS,高达2MB闪存/256 + 4KB RAM,加密功能,USB OTG HS/FS,以太网,17个定时器,3个ADC,20个通信接口,摄像头和LCD-TFT
    数据手册
    • 1+

      ¥82.48
    • 10+

      ¥78.61
    • 30+

      ¥71.89
  • 有货
  • 特性:采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA,为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA(5个唤醒引脚)。待机模式电流为28nA(5个唤醒引脚)。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA,带RTC时为1.28μA
    数据手册
    • 1+

      ¥82.63
    • 10+

      ¥71.3
    • 30+

      ¥64.39
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源,-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。 0.43μA 停止模式(16 个唤醒线)。 0.86μA 停止模式 + RTC + 20KB RAM 保留。 运行模式低至 93μA/MHz
    数据手册
    • 1+

      ¥82.94
    • 10+

      ¥71.57
    • 30+

      ¥64.63
  • 有货
  • 连接线路,基于 ARM 的 32 位 MCU,具有 64/256 KB 闪存、USB OTG、以太网、10 个定时器、2 个 CAN、2 个 ADC、14 个通信接口。
    数据手册
    • 1+

      ¥83.3
    • 10+

      ¥79.76
    • 30+

      ¥73.64
  • 有货
  • 特性:超低功耗,具备FlexPowerControl。 供电电压范围为1.71V至3.6V。 温度范围为-40℃至85/125℃。 VBAT模式下为145nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式下为22nA(5个唤醒引脚)。 待机模式下为106nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式下为375nA。 停止2模式下为2.05μA,带RTC时为2.40μA
    数据手册
    • 1+

      ¥83.73
    • 10+

      ¥79.88
    • 30+

      ¥73.23
  • 有货
  • 特性:包含最先进的专利技术。32 位双核 Arm Cortex-A7,每个核心有 32-Kbyte I / 32-Kbyte D 的 L1 缓存,256-Kbyte 统一二级缓存,具备 Arm NEON 和 Arm TrustZone。32 位 Arm Cortex-M4 带 FPU/MPU,最高 209 MHz(最高 703 CoreMark)。外部 DDR 内存最高 1 Gbyte,支持 LPDDR2/LPDDR3-1066 16/32 位、DDR3/DDR3L-1066 16/32 位。708 Kbytes 内部 SRAM:256 Kbytes AXI SYSRAM + 384 Kbytes AHB SRAM + 64 Kbytes 备份域 AHB SRAM 和 4 Kbytes 备份域 SRAM。双模式 Quad-SPI 内存接口。灵活的外部内存控制器,最高 16 位数据总线,可连接外部 IC 和 SLC NAND 内存,最高 8 位 ECC。TrustZone 外设,主动防篡改,Cortex-M4 资源隔离
    • 1+

      ¥83.81
    • 10+

      ¥81.07
  • 有货
  • 特性:核心:32位Arm Cortex-M3 CPU。最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。256至512 Kbytes的闪存。高达64 Kbytes的SRAM。具有4个片选的灵活静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存
    数据手册
    • 1+

      ¥83.82
    • 10+

      ¥79.59
    • 30+

      ¥72.27
  • 有货
  • 特性:超低功耗,采用FlexPowerControl,电源电压1.71V至3.6V,温度范围-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式30nA(5个唤醒引脚)。 待机模式120nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式420nA。 停止2模式1.1μA,带RTC时1.4μA。 运行模式100μA/MHz(LDO模式)。 运行模式39μA/MHz(@3.3V SMPS模式)
    数据手册
    • 1+

      ¥83.84
    • 10+

      ¥80.91
  • 有货
  • 特性:超低功耗,采用FlexPowerControl,电源电压1.71V至3.6V,温度范围-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式30nA(5个唤醒引脚)。 待机模式120nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式420nA。 停止2模式1.1μA,带RTC时1.4μA。 运行模式100μA/MHz(LDO模式)。 运行模式39μA/MHz(@3.3V SMPS模式)
    数据手册
    • 1+

      ¥84.22
    • 10+

      ¥81.59
  • 有货
  • 主流 Arm Cortex-M4 MCU 170 MHz,带 256 KB 闪存、数学加速器、高模拟级集成
    数据手册
    • 1+

      ¥85.16
    • 10+

      ¥81.08
    • 30+

      ¥74.03
  • 有货
  • 超低功耗双核64 MHz Arm Cortex-M4 + 32MHz Cortex-M0+ MCU,具有1 MB Flash存储器、蓝牙5, 802.15.4、USB、LCD和AES-256
    数据手册
    • 1+

      ¥85.5
    • 10+

      ¥81.58
    • 30+

      ¥74.78
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达180 MHz,具备MPU,225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:512 KB闪存、128 KB SRAM、具有高达16位数据总线的灵活外部存储器控制器,支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存、双模式QuadSPI接口。 LCD并行接口,支持8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理:1.7 V至3.6 V应用电源和I/O、POR、PDR、PVD和BOR、4至26 MHz晶体振荡器、内部16 MHz工厂校准RC(精度1%)、用于RTC的32 kHz振荡器及校准、内部32 kHz RC及校准。 低功耗:支持睡眠、停止和待机模式。 VBAT为RTC供电,20×32位备份寄存器加上可选的4 KB备份SRAM。 3个12位、2.4 MSPS ADC:多达24个通道,三重交错模式下可达7.2 MSPS。 2个12位D/A转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥86.18
    • 10+

      ¥75.15
    • 30+

      ¥68.43
  • 有货
    • 1+

      ¥86.52
    • 10+

      ¥83.6
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M4 CPU(最高72 MHz),单周期乘法和硬件除法,带浮点单元(FPU)和内存保护单元(MPU)的DSP指令。1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。存储器:64至256 Kbytes的闪存,32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围2.0至3.6 V,上电/掉电复位(POR/PDR),可编程电压检测器(PVD),低功耗模式(睡眠、停止、待机),RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器,用于RTC的32kHz振荡器(带校准),内部8 MHz RC(带x16 PLL选项),内部40kHz振荡器
    数据手册
    • 1+

      ¥86.62
    • 10+

      ¥83.92
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