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主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU,高达128KB Flash,144KB RAM,6x USART,定时器,ADC,DAC,通讯。 I/F,1.7-3.6V
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  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达180 MHz,具备MPU,225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:512 KB闪存、128 KB SRAM、具有高达16位数据总线的灵活外部存储器控制器,支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存、双模式QuadSPI接口。 LCD并行接口,支持8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理:1.7 V至3.6 V应用电源和I/O、POR、PDR、PVD和BOR、4至26 MHz晶体振荡器、内部16 MHz工厂校准RC(精度1%)、用于RTC的32 kHz振荡器及校准、内部32 kHz RC及校准。 低功耗:支持睡眠、停止和待机模式。 VBAT为RTC供电,20×32位备份寄存器加上可选的4 KB备份SRAM。 3个12位、2.4 MSPS ADC:多达24个通道,三重交错模式下可达7.2 MSPS。 2个12位D/A转换器
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  • 特性:核心:32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。 存储器:64至128 KB的闪存;16 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理:数字和I/O电源:VDD = 2.0 V至3.6 V;模拟电源:VDDA = VDD至3.6 V;选定的I/Os:VDDIO2 = 1.65 V至3.6 V;上电/掉电复位 (POR/PDR);可编程电压检测器 (PVD);低功耗模式:睡眠、停止、待机;V BAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器;用于RTC的32 kHz振荡器,带校准功能;内部8 MHz RC,可选x6 PLL;内部40 kHz RC振荡器;基于外部同步自动微调的内部48 MHz振荡器。 多达87个快速I/O:均可映射到外部中断向量;多达68个I/O具有5V容限能力,19个具有独立电源VDDIO2
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  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗。供电电压为1.71V至3.6V。工作温度范围为 -40°C至 +85/125°C。低功耗背景自主模式(LPBAM):具有DMA的自主外设,功能可低至Stop 2模式。VBAT模式:为RTC、32×32位备份寄存器和2KB备份SRAM供电。关机模式电流为90nA(23个唤醒引脚)。待机模式电流为200nA(23个唤醒引脚)
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      ¥50.84
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  • 特性:核心:Arm 32位Cortex-M3 CPU。 最高频率48 MHz,在0 WS内存访问时,性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhystone 2.1)。 单周期乘法和硬件除法。 64或128 KB的闪存。 10或16 KB的SRAM。 2.0至3.6V的应用电源和I/O
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      ¥52.82
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      ¥51.56
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      ¥50.71
  • 有货
  • 特性:核心:32位Arm Cortex-M3 CPU。最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。256至512 Kbytes的闪存。高达64 Kbytes的SRAM。具有4个片选的灵活静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存
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      ¥51.82
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU和自适应实时加速器(ART Accelerator),允许从闪存零等待状态执行,频率高达168 MHz,有内存保护单元,210 DMIPS / 1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。内存:高达1 Mbyte闪存;高达192 + 4 Kbytes SRAM,包括64 Kbyte CCM(核心耦合内存)数据RAM;512字节OTP内存;灵活的静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。LCD并行接口,支持8080/6800模式。
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  • 连接线路,基于 ARM 的 32 位 MCU,具有 64/256 KB 闪存、USB OTG、以太网、10 个定时器、2 个 CAN、2 个 ADC、14 个通信接口。
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  • 特性:采用FlexPowerControl的超低功耗。1.71V至3.6V电源。-40℃至85/125℃温度范围。BAT模式下300nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。16nA关机模式(4个唤醒引脚)。32nA待机模式(4个唤醒引脚)。带RTC的245nA待机模式。0.7μA停止2模式,带RTC时为0.95μA
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  • 特性:核心:基于 Arm Cortex-M4 的 32 位 CPU 并配备 FPU(最高 72 MHz),具备单周期乘法和硬件除法功能,90 DMIPS(来自 CCM),支持 DSP 指令和 MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDDA 电压范围为 2.0V 至 3.6V。 存储器:128 至 256 Kbytes 的闪存;高达 40 Kbytes 的 SRAM,前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验;程序加速:指令和数据总线上 8 Kbytes 的 SRAM,具备硬件奇偶校验(CCM)。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;为 RTC 和备份寄存器提供 VBAT 电源。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器;用于 RTC 的 32 kHz 振荡器,具备校准功能;内部 8 MHz RC,可选 x 16 PLL;内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O:均可映射到外部中断向量;多个 5V 耐压。 互连矩阵
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      ¥45.91
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      ¥41.05
  • 有货
  • 特性:核心:ARM Cortex-M4 32位CPU,带有72MHz FPU、单周期乘法和硬件除法、DSP指令和MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDDA电压范围为2.0V至3.6V。 存储器:高达512KB的闪存;64KB的SRAM,前32KB实现硬件奇偶校验;用于静态存储器的灵活内存控制器(FSMC),带有四个片选。 CRC计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;为RTC和备份寄存器提供VBAT电源。 时钟管理:4至32MHz晶体振荡器;用于RTC的32kHz振荡器,带校准;内部8MHz RC,可选x16 PLL;内部40kHz振荡器。 多达115个快速I/O:均可映射到外部中断向量;多个5V耐压。 互连矩阵
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  • 主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU,高达128KB Flash,144KB RAM,6x USART,定时器,ADC,DAC,通讯。 I/F,1.7-3.6V
    • 1+

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      ¥54.39
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  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达180 MHz,具备MPU,225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:512 KB闪存、128 KB SRAM、具有高达16位数据总线的灵活外部存储器控制器,支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存、双模式QuadSPI接口。 LCD并行接口,支持8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理:1.7 V至3.6 V应用电源和I/O、POR、PDR、PVD和BOR、4至26 MHz晶体振荡器、内部16 MHz工厂校准RC(精度1%)、用于RTC的32 kHz振荡器及校准、内部32 kHz RC及校准。 低功耗:支持睡眠、停止和待机模式。 VBAT为RTC供电,20×32位备份寄存器加上可选的4 KB备份SRAM。 3个12位、2.4 MSPS ADC:多达24个通道,三重交错模式下可达7.2 MSPS。 2个12位D/A转换器
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      ¥55.56
  • 有货
  • 特性:核心:基于 Arm 的 32 位 Cortex-M3 CPU(最高 120 MHz),带有自适应实时加速器(ART Accelerator),可实现从闪存的零等待状态执行性能,具备 MPU,150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。 存储器:高达 1 Mbyte 的闪存,512 字节的 OTP 存储器,高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM,支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器,LCD 并行接口(8080/6800 模式)。
    数据手册
    • 1+

      ¥57.78
    • 10+

      ¥56.46
    • 30+

      ¥55.58
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达180 MHz,具备MPU,225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:512 KB闪存、128 KB SRAM、具有高达16位数据总线的灵活外部存储器控制器,支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存、双模式QuadSPI接口。 LCD并行接口,支持8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理:1.7 V至3.6 V应用电源和I/O、POR、PDR、PVD和BOR、4至26 MHz晶体振荡器、内部16 MHz工厂校准RC(精度1%)、用于RTC的32 kHz振荡器及校准、内部32 kHz RC及校准。 低功耗:支持睡眠、停止和待机模式。 VBAT为RTC供电,20×32位备份寄存器加上可选的4 KB备份SRAM。 3个12位、2.4 MSPS ADC:多达24个通道,三重交错模式下可达7.2 MSPS。 2个12位D/A转换器
    数据手册
    • 1+

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    • 10+

      ¥57.2
    • 30+

      ¥56.35
  • 有货
  • 特性:包括先进的专利技术。 超低功耗无线电: -2.4 GHz射频收发器,支持蓝牙LE、IEEE 802.15.4-2015 PHY和MAC,支持Thread、Matter和Zigbee。接收灵敏度:-96 dBm(蓝牙LE 1 Mbps),-100 dBm(IEEE 802.15.4 250 kbps)。可编程输出功率高达+10 dBm,步长1 dB。支持外部功率放大器。数据包流量仲裁。集成平衡-不平衡转换器以减少物料清单。单晶体操作
    • 1+

      ¥59.43
    • 10+

      ¥51.28
    • 30+

      ¥46.31
  • 有货
  • 主流 Arm Cortex-M4 MCU 170 MHz,带 256 KB 闪存、数学加速器、高模拟级集成
    数据手册
    • 1+

      ¥59.56
    • 10+

      ¥51.27
    • 30+

      ¥46.22
  • 有货
  • 特性:核心:基于 Arm 的 32 位 Cortex-M3 CPU(最高 120 MHz),带有自适应实时加速器(ART Accelerator),可实现从闪存的零等待状态执行性能,具备 MPU,150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。 存储器:高达 1 Mbyte 的闪存,512 字节的 OTP 存储器,高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM,支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器,LCD 并行接口(8080/6800 模式)。
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