STM32开发板_厂家_价格_品牌_库存

型号：STM32L052R8T6 编号：C139720

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：1.65 V至3.6 V电源。 -40至125 ℃温度范围。 0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。 88 μA/MHz运行模式

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型号：STM32F091CCT6 编号：C129795

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

基于 ARM 的 32 位 MCU，高达 256 KB 闪存，具备 CAN、12 个定时器、ADC、DAC 和通信接口，工作电压 2.0-3.6V。

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型号：STM32F072RBT6TR 编号：C2052868

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0 CPU，频率高达48 MHz。存储器：64至128 KB的闪存；16 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：数字和I/O电源：VDD = 2.0 V至3.6 V；模拟电源：VDDA = VDD至3.6 V；选定的I/Os：VDDIO2 = 1.65 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器；用于RTC的32 kHz振荡器，带校准功能；内部8 MHz RC，有x6 PLL选项；内部40 kHz RC振荡器；基于外部同步自动微调的内部48 MHz振荡器。多达87个快速I/O：均可映射到外部中断向量；多达68个具有5V容限能力的I/O，19个具有独立电源VDDIO2

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型号：STM32G071R8T6 编号：C432214

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：STM32G071KBT6 编号：C529348

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C/105°C/125°C。存储器：高达128 Kbytes的闪存，带有保护和可安全区域；36 Kbytes的SRAM（32 Kbytes带硬件奇偶校验）。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；32 kHz晶体振荡器，带校准；内部16 MHz RC，可选PLL（±1%）；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：STM32F401VCT6 编号：C967632

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，具备批量采集模式（BAM），电源电压为1.7V至3.6V，温度范围为 -40℃至85/105/125℃。内核：采用带有FPU的32位Arm Cortex-M4 CPU，具备自适应实时加速器（ART Accelerator™），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达84 MHz，配备内存保护单元，性能达105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达256 Kbytes的闪存，512字节的一次性可编程（OTP）存储器，高达64 Kbytes的静态随机存取存储器（SRAM）。

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型号：STM32L471RET6 编号：C110060

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，采用 FlexPowerControl：电源电压范围为 1.71V 至 3.6V。温度范围为 -40℃ 至 85/105/125℃。VBAT 模式下为 300nA，为 RTC 和 32x32 位备份寄存器供电。关机模式为 30nA（5 个唤醒引脚）。待机模式为 120nA（5 个唤醒引脚）。带 RTC 的待机模式为 420nA。停止 2 模式为 1.1μA，带 RTC 的停止 2 模式为 1.4μA。运行模式为 100μA/MHz

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型号：STM32L073V8T6 编号：C186742

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台，1.65V 至 3.6V 电源，-40 至 125℃温度范围。 0.29μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。 0.43μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.86μA 停止模式 + RTC + 20KB RAM 保留。运行模式下低至 93μA/MHz。 5μs 唤醒时间（从闪存）。 10ksps 时 41μA 12 位 ADC 转换。内核：带 MPU 的 Arm 32 位 Cortex-M0+，从 32kHz 最高可达 32MHz，0.95 DMIPS/MHz

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型号：STM32L433CCU6 编号：C1341450

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。采用FlexPowerControl实现超低功耗。 -电源电压范围：1.71V至3.6V。 -温度范围：-40℃至85/105/125℃。 -VBAT模式下电流为200nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。 -待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。 -带RTC的待机模式电流为280nA

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型号：STM32F303K8T6 编号：C118318

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM Cortex-M4 32 位带 FPU 的 CPU（最高 72 MHz），单周期乘法和硬件除法，90 DMIPS（来自 CCM），DSP 指令。高达 64 KB 的闪存。 12 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM。常规增强器：4 KB 带硬件奇偶校验的 SRAM，位于指令和数据总线上。 CRC 计算单元。复位和电源管理。低功耗模式：睡眠、停止、待机。 VDD、VDA 电压范围：2.0 至 3.6 V

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型号：STM32F413VGT6TR 编号：C2055798

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，具备增强批量采集模式（eBAM），1.7至3.6V电源，-40℃至85/105/125℃温度范围。内核：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）允许从闪存零等待状态执行，频率高达100MHz，内存保护单元，125 DMiPS/1.25 DMiPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达1.5MB闪存，320KB SRAM，灵活的外部静态存储器控制器，数据总线高达16位，支持SRAM、PSRAM、NOR闪存；双模式Quad-SPI接口。

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型号：STM32G474VET6TR 编号：C1857438

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件:VDD、VDA电压范围：1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波器数学加速器。存储器:512 Kbytes闪存，支持ECC，双存储体可读写，有专有代码读出保护（PCROP）和可安全存储区域，1 Kbyte OTP。96 Kbytes SRAM，前32 Kbytes有硬件奇偶校验。32 Kbytes SRAM在指令和数据总线上，有硬件奇偶校验（CCM SRAM）。外部静态存储器接口FSMC，支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。四路SPI存储器接口

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型号：STM32F100VCT6 编号：C262945

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU，24 MHz 最大频率，1.25 DMIPS /MHz（Dhrystone 2.1）性能，单周期乘法和硬件除法。256 至 512 Kbytes 的闪存。24 至 32 Kbytes 的 SRAM。灵活的静态内存控制器，带有 4 个片选，支持 SRAM、PSRAM 和 NOR 内存。LCD 并行接口，8080/6800 模式。2.0 至 3.6V 应用电源和 I/O

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型号：STM32F107VCT6TR 编号：C967641

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

连接线路，基于 ARM 的 32 位 MCU，具有 64/256 KB 闪存、USB OTG、以太网、10 个定时器、2 个 CAN、2 个 ADC、14 个通信接口。

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型号：STM32H750IBT6 编号：C730201

封装：LQFP-176(24x24)

品牌：ST(意法半导体)

特性：32位Arm Cortex-M7内核，带双精度FPU和L1缓存：16 Kbytes数据缓存和16 Kbytes指令缓存；频率高达480 MHz，具备MPU、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。 128 Kbytes闪存。 1 Mbyte RAM：192 Kbytes TCM RAM（含64 Kbytes ITCM RAM + 128 Kbytes DTCM RAM用于时间关键程序），864 Kbytes用户SRAM，4 Kbytes备份域SRAM。双模式Quad-SPI内存接口，运行频率高达133 MHz。灵活的外部内存控制器，高达32位数据总线：SRAM、PSRAM、NOR闪存同步模式时钟高达133 MHz，SDRAM/LPSDR SDRAM 8/16位，NAND闪存。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动防篡改、安全固件升级支持、安全访问模式。多达168个I/O端口，具备中断能力

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型号：STM32H730ZBT6 编号：C730159

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

带 DP-FPU 的高性能 DSP、带 128 KB 闪存的 Arm Cortex-M7 MCU、564 KB RAM、550 MHz CPU、L1 缓存、外部存储器接口、包括加密加速器在内的外设子集

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型号：STM32F437IGT6 编号：C5269979

封装：LQFP-176(24x24)

品牌：ST(意法半导体)

32位Arm Cortex-M4 MCU+FPU，225DMIPS，高达2MB闪存/256 + 4KB RAM，加密功能，USB OTG HS/FS，以太网，17个定时器，3个ADC，20个通信接口，摄像头和LCD-TFT

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型号：STM32F765ZGT6 编号：C1337348

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体最先进的专利技术。内核：采用32位Arm Cortex-M7 CPU，配备DPFPU、ART加速器和L1缓存，16KB的I/D缓存，可实现从嵌入式闪存和外部存储器的零等待状态执行，最高频率达216 MHz，具备MPU、462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。高达2MB的闪存，分为两个存储体，支持边读边写。 SRAM：512KB（包括128KB用于关键实时数据的数据TCM RAM）+ 16KB指令TCM RAM（用于关键实时程序）+ 4KB备份SRAM。灵活的外部存储器控制器，具备高达32位的数据总线，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存储器。 Chrom-ART加速器（DMA2D），图形硬件加速器，可增强图形用户界面。硬件JPEG编解码器。 LCD-TFT控制器，支持高达XGA分辨率

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型号：STM32F777NIH6 编号：C528750

封装：TFBGA-216

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：采用32位Cortex-M7 CPU，配备DPFPU、ART Accelerator和L1缓存（16 Kbytes I/D缓存），允许从嵌入式闪存和外部存储器零等待状态执行，最高可达216 MHz，具备MPU、462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。内存：高达2 Mbytes闪存，分两个存储体，支持读写同时进行；SRAM为512 Kbytes（含128 Kbytes用于关键实时数据的数据TCM RAM）+ 16 Kbytes指令TCM RAM（用于关键实时程序）+ 4 Kbytes备份SRAM；灵活的外部存储器控制器，支持高达32位数据总线，可连接SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDRSDRAM、NOR/NAND存储器；支持双模式Quad-SPI。

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￥127.87
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￥107.01

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型号：STM32G031J6M6 编号：C432201

封装：SOIC-8-150mil

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40℃至85℃/125℃。内存:高达64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围：1.7 V至3.6 V

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型号：STM32L031F6P6TR 编号：C2054042

封装：TSSOP-20-169mil

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台，1.65V至3.6V电源，-40至125℃温度范围。 0.23μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.35μA停止模式（16个唤醒线）。 0.6μA停止模式 + RTC + 8KB RAM保留。运行模式下低至76μA/MHz。 5μs唤醒时间（从闪存）

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￥11.14
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￥9.34
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￥8.21

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型号：STM32L052C8T6 编号：C111213

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：1.65 V至3.6 V电源。 -40至125 ℃温度范围。 0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留。 88 μA/MHz运行模式

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型号：STM32L051K8T6 编号：C915970

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源。40至125℃温度范围。0.27 μA待机模式（2个唤醒引脚）。0.4 μA停止模式（16个唤醒线）。0.8 μA停止模式 + RTC + 8 KB RAM保留

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￥15.16
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型号：STM32F301K8U6 编号：C111684

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：内核：ARM 32 位 Cortex-M4 CPU，配有 FPU（最大 72 MHz），单周期乘法指令和硬件除法单元，DSP 指令。存储器：32 到 64 KB Flash，数据总线上有 16 K 字节的 SRAM。 CRC 计算单元。复位和电源管理：VDD、VDA 电压范围：2.0 至 3.6 V；开机 / 关机复位（POR/PDR）；可编程电压检测器 (PVD)；低功耗：睡眠、停止、待机；VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。时钟管理：4 至 32 MHz 晶振；带校准功能的 32 kHz RTC 振荡器；具有 x16 PLL 选项的内部 8 MHz RC；内部 40 kHz 振荡器。多达 51 个快速 I/O 端口，所有都可映射至外部中断向量，多个都能耐 5 V 电压。互连矩阵。 7 通道 DMA 控制器，支持定时器、ADC、SPI、I²C、USART、DAC

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型号：STM32F401RBT6 编号：C75278

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，带批量采集模式（BAM）。1.7V至3.6V电源。40℃至85/105/125℃温度范围。核心：带FPU的ARM 32位Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器（ART Accelerator™），允许从闪存零等待状态执行，频率高达84 MHz，内存保护单元，105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），以及DSP指令。高达256 KB的闪存。512字节的一次性可编程（OTP）内存。高达64 KB的静态随机存取存储器（SRAM）。时钟、复位和电源管理：1.7V至3.6V应用电源和I/O，POR、PDR、PVD和BOR，4至26 MHz晶体振荡器，内部16 MHz工厂校准RC，带校准的32 kHz RTC振荡器，带校准的内部32 kHz RC

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1+
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型号：STM32F100VCT6B 编号：C8300

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

STM32F100XX 价值线系列集成了高性能的 ARM CorteX-M3 32 位 RISC 内核，工作频率为 24 MHz，高速嵌入式存储器（Flash 存储器高达 512 Kbytes 和 SRAM 高达 32 Kbytes），灵活的静态存储器控制（FSMC）接口（适用于提供 100 引脚及以上封装的设备）以及一系列增强型外设和连接到两个 APB 总线的 I/O。所有设备均提供标准通信接口（最多两个 I2C、三个 SPI、一个 HDMI CEC、最多三个 USART 和两个 UART）、一个 12 位 ADC、两个 12 位 DAC、最多 9 个通用 16 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。STM32F100XX 高密度价值线系列的工作温度范围为 -40 至 +85 ℃ 和 -40 至 +105 ℃，电源电压范围为 2.0 至 3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。STM32F100XX 价值线系列包括三种不同封装的设备，引脚数从 64 到 144 不等。根据所选设备的不同，包含不同的外设组合，下面的描述概述了该系列提供的完整外设范围。这些特性使得 STM32F100XX 价值线微控制器系列适用于广泛的领域，如电机驱动、应用控制、医疗和手持设备、PC 和游戏外设、GPS 平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、可视对讲机和 HVAC 系统。

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1+
￥22.3168 ￥34.87
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￥21.3376 ￥33.34
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￥20.7424 ￥32.41
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￥20.2432 ￥31.63

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型号：STM32L433VCT6 编号：C915966

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗，具备FlexPowerControl。1.71V至3.6V电源。-40℃至85/105/125℃温度范围。V(BAT)模式下200nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。8nA关机模式（5个唤醒引脚）。28nA待机模式（5个唤醒引脚）。带RTC的280nA待机模式。1.0μA停止2模式，带RTC时1.28μA

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￥16.73
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￥14.82

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型号：STM32G431KBU3 编号：C1341901

封装：UFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：采用带有FPU的Arm 32位Cortex-M4 CPU，具备自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存的零等待状态执行，频率高达170 MHz，具有213 DMIPS，配备MPU和DSP指令。工作条件:VDD、VDA电压范围：1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速。FMAC：滤波数学加速器。存储器:128 Kbytes闪存，支持ECC，具备专有代码读取保护（PCROP）和可安全存储区域，1 Kbyte OTP。22 Kbytes SRAM，前16 Kbytes实现硬件奇偶校验。程序加速：指令和数据总线上有10 Kbytes SRAM，具备硬件奇偶校验（CCM SRAM）。复位和电源管理:上电/掉电复位（POR/PDR/BOR）

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单价：
￥27 / 个

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型号：STM32L412K8T6 编号：C529436

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。1.71V至3.6V电源。-40℃至85/125℃温度范围。V_BAT模式下300nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。16nA关机模式（4个唤醒引脚）。32nA待机模式（4个唤醒引脚）。RTC待机模式下245nA。停止2模式下0.7μA，带RTC时0.95μA

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￥28.92
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￥24.82
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￥21.38
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型号：STM32F103ZDT6 编号：C8302

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex™-M3 CPU，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），单周期乘法和硬件除法。 256至512 Kbytes的闪存，高达64 Kbytes的SRAM。灵活的静态内存控制器，带有4个片选，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。 LCD并行接口，8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz带校准的RC，32 kHz带校准的RTC振荡器。睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电

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