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厚膜电阻 510mΩ ±1% 333.333mW
型号：WW12WR510FTL 编号：C171403
封装：1206
品牌：Walsin(华新科)
电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    薄膜电阻 4.7kΩ ±1% 63mW
    型号：TR0402F4K70Q1050Z 编号：C149919
    封装：0402
    品牌：EVER OHMS(天二科技)
    特性：公差至 ±0.1%。低温度系数至 ±10ppm/°C。无卤无铅。符合RoHS标准。应用：消费电子。计算机
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    厚膜电阻 750mΩ ±1% 125mW
    型号：WW08XR750FTL 编号：C424817
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)制成。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将阻值微调至公差范围内的标称值。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 180mΩ ±1% 333.333mW
    型号：WW12WR180FTL 编号：C171398
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 240mΩ ±1% 333.333mW
    型号：WW12WR240FTL 编号：C171399
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 330mΩ ±5% 250mW
    型号：WW12XR330JTL 编号：C470048
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)结构。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将阻值修整到公差范围内的标称值。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 20mΩ ±5% 250mW
    型号：WW08WR020JTL 编号：C171384
    封装：0805
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 150mΩ ±1% 333.333mW
    型号：WW12WR150FTL 编号：C168606
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 300mΩ ±5% 333.333mW
    型号：WW12WR300JTL 编号：C383887
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 220mΩ ±1% 333.333mW
    型号：WW12WR220FTL 编号：C383888
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 130mΩ ±1% 333.333mW
    型号：WW12WR130FTL 编号：C171396
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
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    厚膜电阻 160mΩ ±1% 333.333mW
    型号：WW12WR160FTL 编号：C171397
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 430mΩ ±1% 333.333mW
    型号：WW12WR430FTL 编号：C171402
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 500mΩ ±5% 250mW
    型号：WW12XR500JTL 编号：C470049
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)结构。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶面上的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将阻值修整到公差范围内的标称值。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 820mΩ ±1% 333.333mW
    型号：WW12WR820FTL 编号：C168609
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 430mΩ ±5% 333.333mW
    型号：WW12WR430JTL 编号：C383885
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 750mΩ ±1% 333.333mW
    型号：WW12WR750FTL 编号：C383881
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 560mΩ ±1% 333.333mW
    型号：WW12WR560FTL 编号：C171404
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 910mΩ ±5% 333.333mW
    型号：WW12WR910JTL 编号：C383878
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 330mΩ ±5% 333.333mW
    型号：WW12WR330JTL 编号：C470047
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    薄膜电阻 6.04Ω ±0.5% 125mW
    型号：TR0805D6R04P0525 编号：C149995
    封装：0805
    品牌：EVER OHMS(天二科技)
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    薄膜电阻 56.2kΩ ±0.5% 100mW
    型号：TR0603D56K2P0550 编号：C149959
    封装：0603
    品牌：EVER OHMS(天二科技)
    特性：紧公差:±0.01%、±0.1%、±0.25%、±0.5%、±1%。低T.C.R.:±10 ppm、±25 ppm、±50 ppm。应用：医疗设备。转换器
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    薄膜电阻 120Ω ±0.5% 63mW
    型号：TR0402D120RQ1050Z 编号：C149900
    封装：0402
    品牌：EVER OHMS(天二科技)
    特性：公差至 ±0.1%。低温度系数至 ±10ppm/°C。无卤无铅。符合RoHS标准。应用：消费电子。计算机
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    厚膜电阻 240mΩ ±5% 333mW
    型号：WW12WR240JTL 编号：C525540
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 75mΩ ±1% 333.333mW
    型号：WW12WR075FTL 编号：C171394
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    厚膜电阻 50mΩ ±1% 333.333mW
    型号：WW12WR050FTL 编号：C168605
    封装：1206
    品牌：Walsin(华新科)
    电阻器采用高级陶瓷体(氧化铝)构造。在两端添加内部金属电极,并通过涂覆在基板顶表面的电阻膏连接。调整电阻膏的成分以获得所需的近似电阻值,并通过激光修整该电阻层将值修整到规定的公差范围内。电阻层覆盖有保护涂层。最后,添加两个外部端接。为便于焊接,这些端接的外层是锡(无铅)合金。
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    薄膜电阻 29.4kΩ ±0.1% 100mW
    型号：TR0603B29K4P0550Z 编号：C149933
    封装：0603
    品牌：EVER OHMS(天二科技)
    特性：公差至 ±0.1%。低温度系数至 ±10ppm/°C。无卤无铅。符合RoHS标准。应用：消费电子。计算机
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    薄膜电阻 18.2kΩ ±0.1% 100mW
    型号：TR0603B18K2P0550Z 编号：C149925
    封装：0603
    品牌：EVER OHMS(天二科技)
    特性：紧公差:±0.01%、±0.1%、±0.25%、±0.5%、±1%。低T.C.R.:±10 ppm、±25 ppm、±50 ppm。应用：医疗设备。转换器
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    薄膜电阻 26.7kΩ ±0.1% 100mW
    型号：TR0603B26K7P0550Z 编号：C476673
    封装：0603
    品牌：EVER OHMS(天二科技)
    特性：公差:±0.1%。低温度系数:±10ppm/°C。无卤无铅。符合RoHS标准。应用：消费电子。计算机
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    薄膜电阻 6.98kΩ ±0.1% 100mW
    型号：TR0603B6K98P0550Z 编号：C149939
    封装：0603
    品牌：EVER OHMS(天二科技)
    特性：公差至 ±0.1%。低温度系数至 ±10ppm/°C。无卤无铅。符合RoHS标准。应用：消费电子。计算机
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