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封装：TQFP-32(7x7)

是一款基于AVR RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令，可实现接近每MHz 1 MIPS的吞吐量，使系统设计人员能够在功耗与处理速度之间进行优化。AVR内核将丰富的指令集与32个通用工作寄存器相结合，所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元（ALU），允许在一个时钟周期内执行的单条指令中访问两个独立的寄存器。与传统的CISC微控制器相比，这种架构代码效率更高，吞吐量提高了多达十倍。提供以下特性：具有读/写功能的8KB系统内可编程闪存、512字节EEPROM、1KB SRAM、23个通用I/O线、32个通用工作寄存器、三个具有比较模式的灵活定时器/计数器、内部和外部中断、串行可编程USART、面向字节的两线串行接口、一个6通道ADC（TQFP和QFN/MLF封装中为8通道），精度为10位、带有内部振荡器的可编程看门狗定时器、SPI串行端口以及五种软件可选的节能模式。空闲模式停止CPU，同时允许SRAM、定时器/计数器、SPI端口和中断系统继续运行

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型号：STM32G030K8T6TR 编号：C724044

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C。存储器：高达64 Kbytes的带保护的闪存；8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；低功耗模式：睡眠、停止、待机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：STM8S005C6T6TR 编号：C169262

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心最大CPU频率：16 MHz。采用哈佛架构和三级流水线的先进STM8内核。扩展指令集。中密度闪存/EEPROM。程序存储器：32 KB闪存，在55℃下经过100个周期后数据保留20年。数据存储器：128字节真实数据EEPROM，耐久性高达100k次写入/擦除周期

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型号：HC32F170JATA-LQ48 编号：C784700

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：XHSC(小华)

HC32F170/ HC32F176 系列是一款宽电压工作范围的通用 MCU。集成12 位 1Msps 高精度 SARADC，1 个12 位DAC 以及集成了比较器、运放、内置高性能PWM 定时器、LCD 显示、多路 UART、SPI、I2C 等丰富的通讯外设，内建AES、TRNG 等信息安全模块，具有高整合度、高抗干扰、高可靠性的特点。本产品内核采用 Cortex-M0+ 内核，配合成熟的 Keil & IAR 调试开发软件，支持C 语言及汇编语言，汇编指令。

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型号：GD32E103C8T6 编号：C350804

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：STM32F103CBT6-TD 编号：C46614420

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

工作电压：2V ~ 3.6V CPU位数：32-Bit CPU内核：ARM Cortex-M3 主频（MAX)：96MHz ROM类型：FLASH APM32 Series 32-bit 128 kB Flash 20 kB RAM FPU LQFP-64 烧录需使用第三方烧录器。请勿使用ST-link以免报错。

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型号：STC8A8K64D4-45I-LQFP48 编号：C2901855

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：STC

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型号：STM32L031K6T6 编号：C94085

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源。 -40℃至 125℃温度范围。 0.23μA 待机模式（2 个唤醒引脚）。 0.35μA 停止模式（16 个唤醒线）。 0.6μA 停止模式 + RTC + 8KB RAM 保留

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型号：STM32L031K6T6TR 编号：C2054289

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台，1.65V至3.6V电源，-40至125℃温度范围。 0.23μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.35μA停止模式（16个唤醒线）。 0.6μA停止模式 + RTC + 8KB RAM保留。运行模式下低至76μA/MHz。 5μs唤醒时间（从闪存）

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型号：STM32L053R8T6 编号：C79207

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台，1.65V至3.6V电源，-40至125℃温度范围。 0.27μA待机模式（2个唤醒引脚）。 0.4μA停止模式（16个唤醒线）。 0.8μA停止模式 + RTC + 8KB RAM保留。运行模式下88μA/MHz。 3.5μs唤醒时间（从RAM）

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型号：C8051F330-GMR 编号：C17270

封装：QFN-20-EP(4x4)

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

芯片微控制器 8K闪存 768B RAM 核心尺寸: 8bit 输入/输出数: 17 电源电压最小值: 2.7V 电源电压最大值: 3.6V 数字芯片封装形式: MLP 针脚数: 20 程序存储器大小: 8KB 处理器速度: 25MHz 周边器件: ADC, DAC, RTC PWM通道数: 3 RAM存储容量: 768Byte 工作温度范围: -40°C 至 +85°C 微处理器/控制器特点: UART, SMBus, SPI 振荡器类型: 外部、内部接口: I2C, SPI, UART 时钟频率: 25MHz 模数转换器输入数: 16 电源电压范围: 2.7V 至 3.6V 程序存储器容量: 8KB 表面安装器件: SMD 计时器数: 4 输入/输出线数: 17

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型号：ESP32-H2FH4 编号：C22470214

封装：QFN-32(4x4)

品牌：ESPRESSIF(乐鑫)

SMD IC ESP32-H2FH4, 4 MB flash inside, single-core MCU, 802.15.4 & BLE 5.0 combo, QFN 32-pin, 4mm*4mm, -40C - +105C

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型号：STM32F100C8T6B 编号：C8288

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

STM32F100XX 价值系列集成了高性能的 ARM CorteX-M3 32 位 RISC 内核，工作频率为 24 MHz，高速嵌入式存储器（Flash 存储器高达 128 KB 和 SRAM 高达 8 KB），以及一系列增强型外设和 I/O，连接到两个 APB 总线。所有设备提供标准通信接口（最多两个 I2C、两个 SPI、一个 HDMI CEC 和最多三个 USART）、一个 12 位 ADC、两个 12 位 DAC、最多六个通用 16 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。STM32F100XX 低密度和中密度价值系列的工作温度范围为 -40 至 +85℃ 和 -40 至 +105℃，供电电压范围为 2.0 至 3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。STM32F100XX 价值系列包括三种不同封装的设备，引脚数从 48 到 100 不等。根据所选设备的不同，包含不同的外设组合。这些特性使 STM32F100XX 价值系列微控制器适用于广泛的应用领域，如应用控制和用户界面、医疗和手持设备、PC 和游戏外设、GPS 平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、可视对讲机和 HVAC 系统。

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型号：AT32F403ARCT7 编号：C528439

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ARTERY(雅特力)

频率 (MHz)：240，FLASH (KB)：256，SRAM (KB)：224，CPU：ARM? Cortex?-M4，工作电压（V）：2.6~3.6，工作温度：-40°C ~ 105°C，封装：LQFP48

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型号：STM32G0B0RET6 编号：C3230954

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

主流超值系列，Arm Cortex-M0+ 32 位 MCU，高达 512KB 闪存、144KB RAM、6x USART、定时器、ADC、通信。 I/F，2-3.6V

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型号：MSP430I2040TRHBR 编号：C2056193

封装：VQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

MSP430I2040 具有 4 个 24 位 Σ-Δ ADC、2 个 16 位计时器、16KB 闪存、1KB RAM 的 16MHz 计量 AFE

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型号：TMS320F28035PAGT 编号：C46950

封装：TQFP-64(10x10)

品牌：TI(德州仪器)

TMS320F28035 具有 60MHz 频率、128KB 闪存、CLA 的 C2000™ MCU

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型号：STM32F207VET6 编号：C59126

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32 位 Cortex-M3 CPU（最高 120 MHz），带有自适应实时加速器（ART Accelerator，允许从闪存中实现零等待状态执行性能），MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：高达 1 Mbyte 的闪存；512 字节的 OTP 存储器；高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM；支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器；LCD 并行接口，8080/6800 模式。时钟、复位和电源管理：1.8 至 3.6 V 应用电源 + I/O；POR、PDR、PVD 和 BOR；4 至 26 MHz 晶体振荡器；内部 16 MHz 工厂校准 RC；带校准的 32 kHz RTC 振荡器；带校准的内部 32 kHz RC。

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型号：GD32F425VGT6 编号：C5110338

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：STM32F302RCT6 编号：C133230

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带FPU的ARM Cortex-M4 32位CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，DSP指令和MPU（内存保护单元）。工作条件:VDD、VDA电压范围：2.0 V至3.6 V。存储器:128至256 KB的闪存。高达40 KB的SRAM，前16 KB实现硬件奇偶校验。CRC计算单元。复位和电源管理:上电/掉电复位（POR/PDR）

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型号：ESP32-PICO-V3 编号：C967022

封装：TFQFN-48-EP

品牌：ESPRESSIF(乐鑫)

4 MB SPI flash，工作电压/供电电压：3.0 ~ 3.6 V，建议工作温度范围：–40 ~ 85 °C

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型号：S9S12G128AMLH 编号：C511759

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：NXP(恩智浦)

特性：40-MHz HCS08 CPU（20-MHz总线），HC08指令集，增加BGND指令，支持多达32个中断/复位源。片上内存：闪存可在全工作电压和温度下进行读取/编程/擦除；高达2K EEPROM的在线可编程内存，8字节单页或4字节双页擦除扇区，可在执行闪存时进行编程和擦除，支持擦除中止；高达4K随机存取存储器（RAM）。

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型号：STM32F103TBU6 编号：C8363

封装：VFQFPN36(6x6)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

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型号：STM32F205RET6 编号：C66278

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M3 CPU（最高120 MHz），带有自适应实时加速器（ART AcceleratorTM），允许从闪存执行零等待状态性能，具备MPU，150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。存储器：高达1 Mbyte的闪存；512字节的OTP存储器；高达128 + 4 Kbytes的SRAM；灵活的静态存储器控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器；LCD并行接口，8080/6800模式。

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型号：STM32L152RBT6A 编号：C95580

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.65V 至 3.6V 电源。40°C 至 105°C 温度范围。0.28μA 待机模式（3 个唤醒引脚）。1.11μA 待机模式 + RTC。0.44μA 停止模式（16 个唤醒线）

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型号：STM32G474RBT6 编号：C529413

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，MPU，DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC滤波器数学加速器。 512 Kbytes闪存，支持ECC，双存储体可读写，专有代码读取保护（PCROP），可保护存储区域，1 Kbyte OTP。 96 Kbytes SRAM，前32 Kbytes有硬件奇偶校验。常规增强器：指令和数据总线上32 Kbytes SRAM，有硬件奇偶校验（CCM SRAM）。外部静态存储器接口FSMC，支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。四路SPI存储器接口

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型号：STM32G474CEU6 编号：C1235412

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件:VDD、VDA电压范围：1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波器数学加速器。存储器:512 Kbytes闪存，支持ECC，双存储体可读写，有专有代码读出保护（PCROP）和可安全存储区域，1 Kbyte OTP。96 Kbytes SRAM，前32 Kbytes有硬件奇偶校验。32 Kbytes SRAM在指令和数据总线上，有硬件奇偶校验（CCM SRAM）。外部静态存储器接口FSMC，支持SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器。四路SPI存储器接口

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型号：STM32F429VIT6 编号：C92002

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART AcceleratorTM）允许从闪存执行零等待状态，频率高达180 MHz，有MPU，225DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：高达2 MB闪存，分为两个存储体，支持读写同时进行；高达256 + 4 KB SRAM，包括64 KB CCM（核心耦合内存）数据RAM；灵活的外部存储器控制器，具有高达32位数据总线，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDRSDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。

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型号：STM32F767IGT6 编号：C84571

封装：LQFP-176(24x24)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：带有DPFFPU、ART加速器和L1缓存的ARM 32位Cortex M7 CPU：16KB I/D缓存，允许从嵌入式闪存和外部存储器进行零等待状态执行，最高可达216MHz，具备MPU、462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）和DSP指令。高达2MB的闪存，分为两个存储体，支持读写同时进行。SRAM：512KB（包括128KB用于关键实时数据的数据TCM RAM）+ 16KB指令TCM RAM（用于关键实时程序）+ 4KB备份SRAM。灵活的外部存储器控制器，具有高达32位的数据总线：支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND存储器。双模式Quad-SPI。Chrom-ART加速器（DMA2D），图形硬件加速器，可增强图形用户界面。硬件JPEG编解码器。LCD-TFT控制器，支持高达XGA分辨率

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型号：F280049CPZS 编号：C194390

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：TI(德州仪器)

TMS320F280049C 具有 100MHz 频率、FPU、TMU、256KB 闪存、CLA、InstaSPIN-FOC、CLB、PGA、SDFM 的 C2000™ MCU

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