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TMS320F28027 具有 60MHz 频率、64KB 闪存的 C2000™ MCU
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  • 1+

    ¥18.67
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    ¥15.73
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  • 250+

    ¥11.99
  • 500+

    ¥11.14
  • 1000+

    ¥10.77
  • 有货
  • MSP430F149 具有 60KB 闪存、2KB SRAM、12 位 ADC、比较器和 SPI/UART 的 8MHz MCU
    数据手册
    • 1+

      ¥13.57
    • 10+

      ¥11.4
    • 30+

      ¥10.04
    • 100+

      ¥8.65
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      ¥8.02
    • 1000+

      ¥7.75
  • 有货
  • 特性:采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA,为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA(5个唤醒引脚)。待机模式电流为28nA(5个唤醒引脚)。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA,带RTC时为1.28μA
    数据手册
    • 1+

      ¥15.21
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      ¥8.65
    • 1000+

      ¥8.35
  • 有货
  • 主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU,高达512KB Flash,144KB RAM,6x USART,定时器,ADC,DAC,通讯。 I/F,1.7-3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥16.93
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      ¥10.17
    • 960+

      ¥9.86
  • 有货
  • 特性:核心:ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU(最高 72 MHz),单周期乘法和硬件除法,90 DMIPS(来自 CCM),DSP 指令和 MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDDA 电压范围:2.0V 至 3.6V。 存储器:128 至 256 Kbytes 的闪存;高达 40 Kbytes 的 SRAM,前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验;8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上,带硬件奇偶校验(CCM)。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器;用于 RTC 的 32 kHz 振荡器,带校准;内部 8 MHz RC,有 x 16 PLL 选项;内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O:所有可映射到外部中断向量;多个 5V 耐压。 互连矩阵
    数据手册
    • 1+

      ¥18.84
    • 10+

      ¥16.03
    • 30+

      ¥14.36
    • 100+

      ¥12.67
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      ¥11.89
    • 1000+

      ¥11.54
  • 有货
  • 是一款基于AVR增强型RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令,该器件实现了接近每MHz 1 MIPS的吞吐量,使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。AVR内核将丰富的指令集与32个通用工作寄存器相结合。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元(ALU),允许在一个时钟周期内执行的一条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高,同时实现的吞吐量比传统的CISC微控制器快达十倍。
    数据手册
    • 1+

      ¥33.51
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      ¥28.51
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      ¥25.54
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      ¥22.53
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      ¥21.15
    • 832+

      ¥20.52
  • 有货
  • 特性:无漏码。 非线性度:0.0015%。 可编程转换速率高达1 ksps。 8输入多路复用器。 增益放大器(PGA):1x至128x。 内置温度传感器
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    • 1+

      ¥37.33
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      ¥32.29
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      ¥26.03
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      ¥22.77 ¥23
    • 500+

      ¥21.3939 ¥21.61
    • 1000+

      ¥20.7702 ¥20.98
  • 有货
  • 基于ARM Cortex-M3的微控制器,适用于嵌入式应用,具有高度集成和低功耗的特点。Arm Cortex-M3是下一代内核,提供系统增强功能,如增强的调试功能和更高级别的支持模块集成。LPC1768/67/66/65/64/63的CPU频率最高可达100 MHz,LPC1769的CPU频率最高可达120 MHz。
    数据手册
    • 5+

      ¥61.05
    • 50+

      ¥45.07
    • 180+

      ¥40.37
    • 540+

      ¥36.43
  • 有货
  • 特性:32-bit Arm Cortex-M7核心,带双精度FPU和L1缓存:16KB数据缓存和16KB指令缓存,允许从256位嵌入式闪存中单次访问填充一个缓存行;频率高达400MHz,具备MPU、856 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 高达2MB的闪存,支持读时写。 1MB的RAM:192KB的TCM RAM(包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM用于时间关键程序),864KB的用户SRAM,以及4KB备份域中的SRAM。 双模式Quad-SPI内存接口,运行频率高达133MHz。 灵活的外部内存控制器,具有高达32位数据总线:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存,同步模式下时钟频率高达133MHz。 CRC计算单元。 ROP、PC-ROP、主动篡改保护。 多达168个具有中断能力的I/O端口
    数据手册
    • 1+

      ¥61.25
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      ¥50.3
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      ¥45.26
    • 100+

      ¥41.04
  • 有货
  • 32-Bit ARM?Cortex?-M0 32MHz Flash:16KB SRAM:2KB GPIO:16 Usart:1 1.8V-3.6V
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    • 1+

      ¥2.39
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      ¥1.88
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      ¥1.4
    • 490+

      ¥1.28
    • 980+

      ¥1.21
  • 有货
  • STM32F030x4、STM32F030x6、STM32F030x8 和 STM32F030xC 微控制器集成了高性能的 Arm Cortex -M0 32 位 RISC 内核,工作频率为 48 MHz,高速嵌入式存储器(高达 256 KB 的 Flash 存储器和高达 32 KB 的 SRAM),以及一系列增强型外设和 I/O。所有设备提供标准通信接口(最多两个 I2C、最多两个 SPI 和最多六个 USART)、一个 12 位 ADC、七个通用 16 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。这些微控制器的工作温度范围为 -40 至 +85°C,供电电压范围为 2.4 至 3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。这些微控制器包括四种不同封装的设备,引脚数从 20 到 64 不等。根据所选设备的不同,包含不同的外设组合。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.09
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      ¥2.75
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    • 500+

      ¥2.31
    • 1000+

      ¥2.26
  • 有货
  • 特性:16 MHz先进STM8内核,采用哈佛架构和3级流水线,扩展指令集。 程序存储器:8 Kbyte闪存,在55℃下经过100个周期后数据保留20年。 RAM:1 Kbyte。 数据存储器:128字节真数据EEPROM,耐久性高达100k次写/擦除周期。 2.95 V至5.5 V工作电压。 灵活的时钟控制,3个主时钟源
    数据手册
    • 1+

      ¥3.31
    • 10+

      ¥2.65
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      ¥2.32
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      ¥2
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      ¥1.7
  • 有货
  • 是嵌入式闪存型、8位高性能1T 8051架构微控制器,指令集与标准80C51完全兼容且性能增强。包含多达32 Kbytes主闪存APROM,支持在应用编程(IAP)功能,可进行片上固件更新,也可将用户代码数组的任何块配置为非易失性数据存储;还有额外的闪存LDROM,用于执行在系统编程(ISP),大小最大可配置为4 Kbytes。提供丰富外设,包括256 Bytes的SRAM、多达2 Kbytes的辅助RAM(XRAM)、多达30个通用I/O、两个16位定时器/计数器0/1、一个带三通道输入捕获模块的16位定时器2、一个看门狗定时器(WDT)、一个自唤醒定时器(WKT)、一个用于通用或波特率发生器的16位自动重载定时器3、两个具有帧错误检测和自动地址识别功能的UART、一个SPI、一个I²C、多达12个增强型PWM输出通道和一个12位ADC,外设具备18个源的4级优先级中断能力。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.46
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      ¥2.81
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      ¥2.49
    • 100+

      ¥2.16
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      ¥1.79
    • 1000+

      ¥1.69
  • 有货
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      ¥3.6
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      ¥2.6
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      ¥2.08
    • 1000+

      ¥1.98
  • 有货
  • MS51为带有Flash的增强型8位8051内核微控制器(1T工作模式),指令集与标准的80C51完全兼容并具备更高效能。 MS51 16K系列内嵌18K的Flash存储区,通常称作APROM,用于存放用户程序代码。该Flash存储区支持在应用编程(IAP)功能,即可通过片内固件更新程序代码。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.7
    • 10+

      ¥3.05
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      ¥2.72
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      ¥2.04
    • 518+

      ¥1.85
    • 1036+

      ¥1.75
  • 有货
    • 1+

      ¥4.22
    • 10+

      ¥3.51
    • 50+

      ¥2.75
    • 100+

      ¥2.4
    • 500+

      ¥2.18
    • 1000+

      ¥2.07
  • 有货
    • 1+

      ¥4.59
    • 10+

      ¥3.77
    • 30+

      ¥3.36
    • 100+

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      ¥2.65
    • 1000+

      ¥2.53
  • 有货
  • 高精准12位ADC
    数据手册
    • 1+

      ¥5.57
    • 10+

      ¥4.62
    • 30+

      ¥4.14
    • 250+

      ¥3.12
    • 500+

      ¥2.84
    • 1000+

      ¥2.69
  • 有货
  • 特性:高性能RISC CPU:仅需学习49条指令,除跳转指令外,所有指令为单周期指令。工作速度:DC-32MHz振荡器/时钟输入,DC-125ns指令周期。带有自动现场保护的中断功能。带有可选上溢/下溢复位的16级深硬件堆栈。直接寻址、间接寻址和相对寻址模式。2个完整的16位文件选择寄存器(FSR)。FSR可读程序和数据存储器。 灵活的振荡器结构:高精度32MHz内部振荡器模块,出厂时精度校准到±1%(典型值),软件可选频率范围为31kHz至32MHz
    数据手册
    • 1+

      ¥6.73
    • 10+

      ¥5.41
    • 30+

      ¥4.75
    • 100+

      ¥4.1
    • 500+

      ¥3.71
    • 1000+

      ¥3.51
  • 有货
  • HC32L130/HC32L136 系列是一款旨在延长便携式测量系统的电池使用寿命的超低功耗、宽电压工作范围的 MCU。集成12 位 1Msps 高精度 SARADC 以及集成了比较器、运放、内置高性能PWM 定时器、LCD 显示、多路 UART、SPI、I2C 等丰富的通讯外设,内建AES、TRNG 等信息安全模块,具有高整合度、高抗干扰、高可靠性和超低功耗的特点。本产品内核采用 Cortex-M0+ 内核,配合成熟的Keil & IAR 调试开发软件,支持C 语言及汇编语言,汇编指令。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.77
    • 10+

      ¥5.48
    • 30+

      ¥4.83
    • 100+

      ¥4.19
    • 500+

      ¥3.8
    • 1000+

      ¥3.6
  • 有货
  • 特性:工作电源:1.8V 至 3.6V,温度范围:-40℃ 至 85℃。 低功耗特性: 5 种低功耗模式:等待、低功耗运行(5.9μA)、低功耗等待(3μA)、带完整 RTC 的活动暂停(1.4μA)、暂停(400nA)。 动态功耗:200μA/MHz + 330μA。 每个 I/O 的超低泄漏:50nA。 从暂停模式快速唤醒:4.7μs。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.29
    • 10+

      ¥5.95
    • 30+

      ¥5.21
    • 100+

      ¥4.38
    • 500+

      ¥4.01
    • 1000+

      ¥3.84
  • 有货
  • STM32F051X 系列集成了高性能的 ARM CorteX-M0 32 位 RISC 内核,工作频率为 48 MHz,高速嵌入式存储器(闪存最高达 64 KB,SRAM 最高达 8 KB),以及一系列增强型外设和 I/O。所有设备都提供标准通信接口(最多两个 I2C、两个 SPI、一个 I2S、一个 HDMI CEC 和最多两个 USART),一个 12 位 ADC,一个 12 位 DAC,最多五个通用 16 位定时器,一个 32 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。STM32F051X 系列的工作温度范围为 -40 至 +85 ℃ 和 -40 至 +105 ℃,电源电压范围为 2.0 至 3.6 V。全面的节能模式允许设计低功耗应用。STM32F051X 系列包括四种不同封装的设备,从 32 引脚到 64 引脚不等。根据所选设备的不同,包含不同的外设组合。以下描述提供了该系列提供的完整外设概述。这些特性使得 STM32F051X 微控制器系列适用于广泛的应用领域,如应用控制和用户界面、手持设备、A/V 接收机和数字电视、PC 外设、游戏和 GPS 平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、可视对讲机和 HVAC 等。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.2
    • 10+

      ¥8.41
    • 30+

      ¥7.42
    • 250+

      ¥6.31
    • 500+

      ¥5.82
    • 1000+

      ¥5.6
  • 有货
  • 2.5-5.5V供电,50MHz Cortex-M0,64KB的Flash,4KB的SRAM,工业级芯片。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.49
    • 10+

      ¥9.78
    • 30+

      ¥8.71
    • 250+

      ¥7.44
    • 500+

      ¥6.95
    • 1000+

      ¥6.73
  • 有货
  • 特性:核心:带有FPU的Arm 32位Cortex-M4 CPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,具有213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。工作条件:VDD、VDDA电压范围:1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速。FMAC:滤波数学加速器。存储器:128 Kbytes的闪存,支持ECC,具备专有代码读出保护(PCROP)、可测量存储区和1 Kbyte OTP。22 Kbytes的SRAM,前16 Kbytes实现硬件奇偶校验。常规增强器:指令和数据总线上有10 Kbytes的SRAM,具备硬件奇偶校验(CCM SRAM)。复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR/BOR)
    数据手册
    • 1+

      ¥14.04
    • 10+

      ¥12.28
    • 30+

      ¥11.03
    • 100+

      ¥9.65
  • 有货
  • 物料没有真空的要求,漏气不影响使用
    数据手册
    • 1+

      ¥14.55
    • 10+

      ¥13.77
    • 30+

      ¥13.31
    • 90+

      ¥12.85
    • 540+

      ¥12.63
    • 900+

      ¥12.53
  • 有货
  • 特性:ARM 32位Cortex-M3 CPU内核,最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理:2.0至3.6 V应用电源和I/O,POR、PDR和可编程电压检测器(PVD),4至16 MHz晶体振荡器,内部8 MHz工厂校准RC,内部40 kHz RC,用于CPU时钟的PLL,带校准的32 kHz振荡器用于RTC。 低功耗:睡眠、停止和待机模式,VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器(最多16个通道),转换范围:0至3.6 V,双采样和保持能力,温度传感器。 7通道DMA控制器,支持的外设:定时器、ADC、SPI、I²C和USART
    数据手册
    • 1+

      ¥18.81
    • 10+

      ¥16.36
    • 30+

      ¥14.86
    • 100+

      ¥13.18
  • 有货
  • Sub-GHz 无线微控制器。 Arm Cortex-M4 @48 MHz,具有 256 KB 闪存、64 KB SRAM。 LoRa、(G)FSK、(G)MSK、BPSK 调制。 AES 256 位。多协议片上系统。
    数据手册
    • 1+

      ¥23.16
    • 10+

      ¥19.81
    • 30+

      ¥17.81
    • 260+

      ¥15.16
    • 520+

      ¥14.23
    • 1040+

      ¥13.81
  • 有货
  • MSP430F169 具有 60KB 闪存、2KB SRAM、12 位 ADC、双通道 12 位 DAC、比较器、DMA 和 I2C/SPI/UART 的 8MHz MCU
    数据手册
    • 1+

      ¥27.23
    • 10+

      ¥23.21
    • 30+

      ¥20.33
    • 100+

      ¥17.92
    • 500+

      ¥16.81
    • 1000+

      ¥16.31
  • 有货
  • 特性:核心:ARM Cortex-M4 32位CPU,带有72 MHz FPU、单周期乘法和硬件除法、90 DMIPS(来自CCM)、DSP指令和MPU(内存保护单元)。 VDD、VDA电压范围:2.0V至3.6V。 高达512 Kbytes的闪存,64 Kbytes的SRAM,前32 Kbytes实现硬件奇偶校验。常规增强器:指令和数据总线上16 Kbytes的SRAM,带硬件奇偶校验(CCM)。 用于静态存储器的灵活内存控制器(FSMC),带有四个片选。 CRC计算单元。 上电/掉电复位(POR/PDR)。 可编程电压检测器(PVD)
    数据手册
    • 1+

      ¥31.04
    • 10+

      ¥26.67
    • 30+

      ¥22.45
    • 100+

      ¥19.82
    • 500+

      ¥18.61
    • 1000+

      ¥18.07
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32 位 Cortex M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)允许从闪存零等待状态执行,频率高达 180 MHz,具备 MPU、225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和 DSP 指令。存储器:512 kB 闪存、128 KB SRAM,灵活的外部存储器控制器,支持高达 16 位数据总线,可连接 SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、Flash NOR/NAND 存储器,具备双模式 Quad SPI 接口。LCD 并行接口,支持 8080/6800 模式。时钟、复位和电源管理:1.7 V 至 3.6 V 应用电源和 I/O,具备 POR、PDR、PVD 和 BOR,4 至 26 MHz 晶体振荡器,内部 16 MHz 工厂校准 RC(精度 1%),32 kHz 用于 RTC 的振荡器且可校准,内部 32 kHz RC 且可校准。
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