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特性:高性能RISC CPU:仅需学习49条指令,除跳转指令外,所有指令为单周期指令。工作速度:DC-32MHz振荡器/时钟输入,DC-125ns指令周期。带有自动现场保护的中断功能。带有可选上溢/下溢复位的16级深硬件堆栈。直接寻址、间接寻址和相对寻址模式。2个完整的16位文件选择寄存器(FSR)。FSR可读程序和数据存储器。 灵活的振荡器结构:高精度32MHz内部振荡器模块,出厂时精度校准到±1%(典型值),软件可选频率范围为31kHz至32MHz
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  • 高精准12位ADC
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  • HC32L130/HC32L136 系列是一款旨在延长便携式测量系统的电池使用寿命的超低功耗、宽电压工作范围的 MCU。集成12 位 1Msps 高精度 SARADC 以及集成了比较器、运放、内置高性能PWM 定时器、LCD 显示、多路 UART、SPI、I2C 等丰富的通讯外设,内建AES、TRNG 等信息安全模块,具有高整合度、高抗干扰、高可靠性和超低功耗的特点。本产品内核采用 Cortex-M0+ 内核,配合成熟的Keil & IAR 调试开发软件,支持C 语言及汇编语言,汇编指令。
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  • 特性:工作电源:1.8V 至 3.6V,温度范围:-40℃ 至 85℃。 低功耗特性: 5 种低功耗模式:等待、低功耗运行(5.9μA)、低功耗等待(3μA)、带完整 RTC 的活动暂停(1.4μA)、暂停(400nA)。 动态功耗:200μA/MHz + 330μA。 每个 I/O 的超低泄漏:50nA。 从暂停模式快速唤醒:4.7μs。
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  • 特性:高性能RISC CPU:仅需学习35条指令。除分支指令外,所有指令均为单周期指令。工作速度:直流-20 MHz振荡器/时钟输入。直流-200 ns指令周期。中断能力。8级深度硬件堆栈
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  • STM32F051X 系列集成了高性能的 ARM CorteX-M0 32 位 RISC 内核,工作频率为 48 MHz,高速嵌入式存储器(闪存最高达 64 KB,SRAM 最高达 8 KB),以及一系列增强型外设和 I/O。所有设备都提供标准通信接口(最多两个 I2C、两个 SPI、一个 I2S、一个 HDMI CEC 和最多两个 USART),一个 12 位 ADC,一个 12 位 DAC,最多五个通用 16 位定时器,一个 32 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。STM32F051X 系列的工作温度范围为 -40 至 +85 ℃ 和 -40 至 +105 ℃,电源电压范围为 2.0 至 3.6 V。全面的节能模式允许设计低功耗应用。STM32F051X 系列包括四种不同封装的设备,从 32 引脚到 64 引脚不等。根据所选设备的不同,包含不同的外设组合。以下描述提供了该系列提供的完整外设概述。这些特性使得 STM32F051X 微控制器系列适用于广泛的应用领域,如应用控制和用户界面、手持设备、A/V 接收机和数字电视、PC 外设、游戏和 GPS 平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、可视对讲机和 HVAC 等。
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  • 2.5-5.5V供电,50MHz Cortex-M0,64KB的Flash,4KB的SRAM,工业级芯片。
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  • 特性:核心:带有FPU的Arm 32位Cortex-M4 CPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,具有213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。工作条件:VDD、VDDA电压范围:1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速。FMAC:滤波数学加速器。存储器:128 Kbytes的闪存,支持ECC,具备专有代码读出保护(PCROP)、可测量存储区和1 Kbyte OTP。22 Kbytes的SRAM,前16 Kbytes实现硬件奇偶校验。常规增强器:指令和数据总线上有10 Kbytes的SRAM,具备硬件奇偶校验(CCM SRAM)。复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR/BOR)
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  • 物料没有真空的要求,漏气不影响使用
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  • 特性:核心:基于 ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 并带有 MPU。最高频率 72 MHz,在 0 等待状态内存访问时性能为 1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。768 KB 至 1 MB 的闪存,96 KB 的 SRAM。灵活的静态内存控制器,带有 4 个片选,支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。LCD 并行接口,支持 8080/6800 模式
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  • 特性:动态效率线,带BAM(批量采集模式)内核:ARM 32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTM),允许从闪存零等待状态执行,频率高达100 MHz,内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:高达1 Mbyte闪存;256 Kbyte SRAM;灵活的外部静态存储器控制器,数据总线高达16位,支持SRAM、PSRAM、NOR闪存;双模式Quad-SPI接口;LCD并行接口,支持8080/6800模式。
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  • Sub-GHz 无线微控制器。 Arm Cortex-M4 @48 MHz,具有 256 KB 闪存、64 KB SRAM。 LoRa、(G)FSK、(G)MSK、BPSK 调制。 AES 256 位。多协议片上系统。
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  • MSP430F169 具有 60KB 闪存、2KB SRAM、12 位 ADC、双通道 12 位 DAC、比较器、DMA 和 I2C/SPI/UART 的 8MHz MCU
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  • 特性:处理器:Arm Cortex-M0+ CPU,最高运行频率48 MHz,具有单周期硬件乘法器和微跟踪缓冲区(MTB)。存储器:4/2/1/0.5 KB 可读写闪存部分(256KB 设备上不可用)。256/128/64/32/16 KB 系统内可自编程闪存。32/16/8/4 KB SRAM 内存。系统:上电复位(POR)和欠压检测(BOD)。内部和外部时钟选项,配备 48 MHz 数字锁相环(DFLL48M)和 48 MHz 至 96 MHz 分数数字锁相环(FDPLL96M)。外部中断控制器(EIC)。16 个外部中断
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  • 有货
  • 特性:核心:ARM Cortex-M4 32位CPU,带有72 MHz FPU、单周期乘法和硬件除法、90 DMIPS(来自CCM)、DSP指令和MPU(内存保护单元)。 VDD、VDA电压范围:2.0V至3.6V。 高达512 Kbytes的闪存,64 Kbytes的SRAM,前32 Kbytes实现硬件奇偶校验。常规增强器:指令和数据总线上16 Kbytes的SRAM,带硬件奇偶校验(CCM)。 用于静态存储器的灵活内存控制器(FSMC),带有四个片选。 CRC计算单元。 上电/掉电复位(POR/PDR)。 可编程电压检测器(PVD)
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  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32 位 Cortex M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)允许从闪存零等待状态执行,频率高达 180 MHz,具备 MPU、225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和 DSP 指令。存储器:512 kB 闪存、128 KB SRAM,灵活的外部存储器控制器,支持高达 16 位数据总线,可连接 SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、Flash NOR/NAND 存储器,具备双模式 Quad SPI 接口。LCD 并行接口,支持 8080/6800 模式。时钟、复位和电源管理:1.7 V 至 3.6 V 应用电源和 I/O,具备 POR、PDR、PVD 和 BOR,4 至 26 MHz 晶体振荡器,内部 16 MHz 工厂校准 RC(精度 1%),32 kHz 用于 RTC 的振荡器且可校准,内部 32 kHz RC 且可校准。
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  • TMS320F28062 具有 90MHz 频率、FPU、128KB 闪存、52KB RAM 的 C2000™ MCU
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    • 1+

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      ¥26.65
  • 有货
  • LPC1769/68/67/66/65/64/63 是基于 ARM Cortex-M3 的微控制器,适用于嵌入式应用,具有高度集成和低功耗的特点。ARM Cortex-M3 是下一代核心,提供系统增强功能,如增强的调试特性和支持块的更高层次集成。LPC1768/67/66/65/64/63 的 CPU 频率最高可达 100 MHz。LPC1769 的 CPU 频率最高可达 120 MHz。ARM Cortex-M3 CPU 包含一个 3 级流水线,并使用哈佛架构,具有独立的本地指令和数据总线以及用于外设的第三条总线。ARM Cortex-M3 CPU 还包括一个内部预取单元,支持推测分支。LPC1769/68/67/66/65/64/63 的外设包括最多 512 KB 的闪存、最多 64 KB 的数据存储器、以太网 MAC、USB 设备/主机/OTG 接口、8 通道通用 DMA 控制器、4 个 UART、2 个 CAN 通道、2 个 SSP 控制器、SPI 接口、3 个 I2C 总线接口、2 输入加 2 输出 I2S 总线接口、8 通道 12 位 ADC、10 位 DAC、电机控制 PWM、正交编码器接口、4 个通用定时器、6 输出通用 PWM、带有独立电池供电的超低功耗实时时钟 (RTC),以及最多 70 个通用 I/O 引脚。LPC1769/68/67/66/65/64/63 与 100 引脚的 LPC236x Arm7 基础微控制器系列引脚兼容。
    数据手册
    • 5+

      ¥41.52
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      ¥32.38
    • 180+

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      ¥24.98
  • 有货
  • 是低功耗CMOS 8位微控制器,基于AVR增强型RISC架构。通过在单个时钟周期内执行强大的指令,可实现接近每MHz 1 MIPS的吞吐量,使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。
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    • 1+

      ¥74.45
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      ¥65.65
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      ¥58.81
    • 90+

      ¥53.07
  • 有货
  • TMS320F28377D 具有 800MIPS、2 个 CPU、2 个 CLA、FPU、TMU、1024KB 闪存、EMIF、16 位 ADC 的 C2000™ MCU
    数据手册
    • 1+

      ¥80.82
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      ¥73.36
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    • 150+

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      ¥0.876
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      ¥0.768
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      ¥0.7247
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    • 150+

      ¥1.2991
    • 490+

      ¥0.9924
    • 2450+

      ¥0.9096
    • 4900+

      ¥0.86
  • 有货
  • PY32F003系列微控制器采用高性能的32位ARM Cortex-M0+内核,宽电压工作范围的MCU。嵌入高达32Kbytes flash和4Kbytes SRAM存储器,最高工作频率32MHz。包含多种不同封装类型多款产品。
    • 1+

      ¥1.8228
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    • 1008+

      ¥0.8237
  • 有货
  • APM32F003x4/x6 系列芯片是基于 Arm Cortex-M0+ 内核的 32 位微控制器,最高工作频率 48MHz。 产品内嵌 AHB 高性能总线和 APB 高级外设总线。AHB 高性能总线能够结合高速存储器实现数据的快速处理和存储;APB 高级外设总线能够扩展丰富的外设及增强型 I/O,保障连接的快速性和控制的灵活性。
    • 1+

      ¥3.21
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      ¥2.47
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      ¥2.94
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      ¥2.01
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      ¥1.91
  • 有货
  • 十通道多模式宽频数字电容处理器芯片,支持单端电容、双端浮空电容和互电容等模式,10路单端电容/5路双端电容测量,电容测量范围1pF~10nF,频率范围100KHz~30MHz,32-bit Arm®Cortex®-M0,工作频率可达48MHz,16KB Flash存储器,2KB SRAM,供电电压2.3V~5.5V,工作温度范围-40℃~+85℃,I2C协议数字输出,QFN24封装,广泛用于液位测量、含水率测量、干湿度分析、水浸传感、介电检测、接近感知、按键触控等场景。
    • 1+

      ¥6.44
    • 10+

      ¥5.18
    • 30+

      ¥4.55
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    • 500+

      ¥3.55
    • 1000+

      ¥3.36
  • 有货
  • 拥有 64KB 的闪存(Flash),可用于存储程序代码;还有 20KB 的随机存取存储器(SRAM),供程序运行时数据存储。烧录需使用第三方烧录器。请勿使用ST-link以免报错。
    • 1+

      ¥8.89
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      ¥7.36
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    • 500+

      ¥5.15
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