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封装：UFQFPN-28(4x4)

特性：工作条件：工作电源范围 1.8V 至 3.6V（掉电时低至 1.65V）；温度范围：-40℃ 至 85℃、105℃ 或 125℃。低功耗特性：5 种低功耗模式（等待、低功耗运行 (5.1μA)、低功耗等待 (3μA)、带完整 RTC 的活动暂停 (1.3μA)、暂停 (350nA)）；功耗：195μA/MHz@440μA；每个 I/O 超低泄漏：50nA；从暂停快速唤醒：4.7μs。先进的 STM8 内核：哈佛架构和 3 级流水线；最大频率 16MHz，16 CISC MIPS 峰值；多达 40 个外部中断源。复位和电源管理：低功耗、超安全的 BOR 复位，有 5 个可选阈值；超低功耗 POR/PDR；可编程电压检测器 (PVD)。时钟管理：1 至 16MHz 晶体振荡器；32kHz 晶体振荡器；内部 16MHz 工厂校准 RC；内部 38kHz 低功耗 RC；时钟安全系统。低功耗 RTC：带闹钟中断的 BCD 日历；通过周期性中断从暂停自动唤醒

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型号：FCM32F095CCT6 编号：C42406716

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：FCM(闪芯微)

FCM32F095单片机包含可以工作在72 MHz的32位高性能ARM Cortex-M0 RISC核，高速内嵌存储（最多256 Kbytes FLASH和24 Kbytes SRAM），丰富的高性能外设和I/O。不同型号提供标准通信接口（I2C、SPI/I2S、USART、HDMI-CEC）、USB全速主从设备（从设备免晶振）、exCAN、12-bit ADC、7个通用16-bit定时器、1个通用32-bit定时器、1个16-bit先进控制PWM定时器等。 FCM32F095单片机可以在1.8~5.5V电源范围、-40至85℃温度范围内工作。

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型号：STM32F070F6P6 编号：C86951

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

STM32F070XB/6 微控制器集成了高性能的 ARM CorteX-M0 32位RISC内核，工作频率为48 MHz，高速嵌入式存储器（最高128 KB闪存和最高16 KB SRAM），以及一系列增强型外设和I/O。所有设备提供标准通信接口（最多两个I2C，最多两个SPI和最多四个USART），一个USB全速设备，一个12位ADC，七个通用16位定时器和一个高级控制PWM定时器。STM32F070XB/6微控制器的工作温度范围为-40至+85℃，供电电压范围为2.4至3.6V。全面的节能模式允许设计低功耗应用。STM32F070XB/6微控制器包括三种不同封装的设备，引脚数从20到64不等。根据所选设备的不同，包含不同的外设组合。这些特性使得STM32F070XB/6微控制器适用于广泛的应用，如应用控制和用户界面、手持设备、A/V接收器和数字电视、PC外设、游戏和GPS平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、可视对讲机和HVAC。

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型号：GD32C113CBT6 编号：C5364084

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：STM32G031F6P6 编号：C529333

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C/105°C/125°C。存储器：高达64 KB的闪存，具备保护和可安全区域；8 KB的SRAM，带硬件奇偶校验。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；32 kHz晶体振荡器，带校准；内部16 MHz RC，可选PLL（±1%）；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：STM8S103K3T6CTR 编号：C1340271

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：16MHz 先进 STM8 内核，采用哈佛架构和三级流水线，扩展指令集。程序存储器：8KB Flash，在 55℃ 下经过 10k 周期后数据保留 20 年。数据存储器：640 字节真正的数据 EEPROM，耐久性 300k 周期。 RAM：1KB。 2.95 至 5.5V 工作电压。灵活的时钟控制，4 个主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可调整的 16MHz RC、内部低功耗 128kHz RC

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型号：STC89C58RD+40I-LQFP44 编号：C8709

封装：LQFP-44(10x10)

品牌：STC

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型号：STM8S105C6T6 编号：C8253

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：16MHz 先进 STM8 内核，采用哈佛架构和 3 级流水线，指令集扩展。程序存储器：高达 32 Kbyte Flash；在 55℃ 下经过 10 k 周期后数据保留 20 年。数据存储器：高达 1 Kbyte 真数据 EEPROM；耐久性 300 k 周期。 RAM：高达 2 Kbyte。 2.95 至 5.5V 工作电压。灵活的时钟控制，4 个主时钟源：低功率晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调 16 MHz RC、内部低功率 128 kHz RC

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型号：STSPIN32F0TR 编号：C2651738

封装：VFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

配备嵌入式STM32 MCU的高级BLDC控制器

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型号：MSP430G2452IPW20R 编号：C202320

封装：TSSOP-20

品牌：TI(德州仪器)

MSP430G2452 具有 8KB 闪存、256B SRAM、10 位 ADC、比较器、计时器、SPI/I2C 的 16MHz MCU

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型号：HK32F103RCT6 编号：C3034881

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：HK(航顺)

HK32F103xCxDxE 系列使用 ARM Cortex-M3 内核，最高工作频率 120 MHz。内置了大容量存储器：最高 512 Kbyte Flash、64 Kbyte SRAM。此外，可通过 FSMC 模块外挂最多 1 Gbyte 容量的 NOR/PSRAM/NAND/PC Card 存储器，其中有 256 Mbyte 的空间可以存放指令，并且可以被片内 1 Kbyte 指令 Cache 缓存。

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型号：AT32F415RCT7 编号：C528434

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ARTERY(雅特力)

频率 (MHz)：150，FLASH (KB)：256，SRAM (KB)：32，CPU：ARM? Cortex?-M4，工作电压（V）：2.6~3.6，工作温度：-40°C ~ 105°C，封装：LQFP64

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型号：PIC18F24Q10-I/SS 编号：C641850

封装：SSOP-28-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

微控制器具有模拟、独立内核和通信外设，适用于广泛的通用和低功耗应用。这些28引脚设备配备了带计算功能的10位ADC（ADC²），可自动执行电容分压器（CVD）技术，用于高级触摸感应、平均、滤波、过采样和自动阈值比较。它们还提供了一组独立内核外设，如互补波形发生器（CWG）、窗口看门狗定时器（WWDT）、循环冗余校验（CRC）/内存扫描、过零检测（ZCD）和外设引脚选择（PPS），提供了更高的设计灵活性和更低的系统成本。

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型号：STM8S105S6T6C 编号：C8255

封装：LQFP-44(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：16 MHz先进的STM8内核，采用哈佛架构和三级流水线，具备扩展指令集。中等密度闪存/EEPROM：程序存储器高达32 Kbytes，在55℃下经过10 kcycles后数据保留20年；数据存储器高达1 Kbytes真正的数据EEPROM，耐久性为300 kcycles。 RAM：高达2 Kbytes。 2.95 V至5.5 V工作电压。灵活的时钟控制，4种主时钟源：低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC。带时钟监控的时钟安全系统

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型号：HC32F072PATA-LQFP100 编号：C784668

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：XHSC(小华)

商城规格书仅供参考，具体参考小华官网最新资料手册

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型号：IAP15W4K61S4-30I-LQFP44 编号：C54357

封装：LQFP-44(10x10)

品牌：STC

特性：大容量4096字节片内RAM数据存储器。高速：1个时钟/机器周期，增强型8051内核，速度比传统8051快7～12倍，比STC早期的1T系列单片机速度快20%。宽电压：2.5V～5.5V。低功耗设计：低速模式，空闲模式，掉电模式（可由外部中断或内部掉电唤醒定时器唤醒）。不需外部复位的单片机，ISP编程时16级复位门槛电压可选，内置高可靠复位电路。不需外部晶振的单片机，ISP编程时内部时钟从5MHz~30MHz可设，内部高精度R/C时钟(±0.3%)，±1%温飘(-40℃~+85℃)，常温下温飘±0.6%(-20℃~+65℃)。支持掉电唤醒的资源有：INT0/INT1(上升沿/下降沿中断均可)，INT2/INT3/INT4(下降沿中断)；CCP0/CCP1/RxD/RxD2/RxD3/RxD4/T0/T1/T2/T3/T4管脚；内部掉电唤醒专用定时器。 16/32/40/48/56/58K/61K/63.5K字节片内Flash程序存储器，擦写次数10万次以上

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型号：STM32G071RBT6 编号：C432213

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C/125°C。存储器：高达128 KB的闪存，36 KB的SRAM（32 KB带硬件奇偶校验）。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项（±1%）的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：STM32L431CCT6 编号：C486681

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA

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型号：HC32F146KATA-LQFP64 编号：C784646

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：XHSC(小华)

HC32F146 系列产品为32bit 基于 ARM-Cortex M0+ 的 MCU，与传统的CPU 内核相比，效率更高，功耗更低。更宽的工作电压范围，可同时支持3V、5V 系统。集成异步串口、SPI、I²C、LCDC 显示模块、12 位高速 ADC、运算放大器等丰富的外设资源。

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型号：STC15W4K48S4-30I-LQFP32 编号：C188813

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：STC

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型号：STM32L031F6P7 编号：C1337403

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

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型号：GD32F307VCT6 编号：C2759986

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：MKV30F64VLF10 编号：C881781

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：NXP(恩智浦)

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型号：STM32G431CBU6 编号：C529356

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存，支持ECC，具备专有代码读出保护（PCROP）和可安全存储区域，1 KB OTP。 22 KB SRAM，前16 KB实现硬件奇偶校验。常规加速：指令和数据总线上有10 KB SRAM，带硬件奇偶校验（CCM SRAM）。复位和电源管理：具备上电/掉电复位（POR/PDR/BOR）、可编程电压检测器（PVD）、低功耗模式（睡眠、停止、待机和关机）、VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器，32 kHz振荡器带校准，内部16 MHz RC可选PLL（±1%），内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：ATMEGA8A-MU 编号：C68004

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AVR内核将丰富的指令集与32个通用工作寄存器相结合。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元 (ALU)，允许在一个时钟周期内执行的一条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高，同时实现的吞吐量比传统的CISC微控制器快达十倍。提供以下特性：具有读写功能的8K字节系统内可编程闪存、512字节EEPROM、1K字节SRAM、23条通用I/O线、32个通用工作寄存器、三个具有比较模式的灵活定时器/计数器、内部和外部中断、一个串行可编程USART、一个面向字节的两线串行接口、一个6通道ADC（TQFP和QFN/MLF封装中为8通道），精度为10位、一个带内部振荡器的可编程看门狗定时器、一个SPI串行端口，以及五种软件可选的节能模式。空闲模式停止CPU，同时允许SRAM、定时器/计数器、一个SPI端口和中断系统继续运行。掉电模式保存寄存器内容，但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能，直到下一次中断或硬件复位

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型号：F2800137RHBR 编号：C7437499

封装：VQFN-32(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

TMS320F2800137 具有 120MHz 频率、256KB 闪存、FPU 和 TMU 的 C2000™ MCU

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型号：AT32F403AVCT7 编号：C528441

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ARTERY(雅特力)

频率 (MHz)：240，FLASH (KB)：256，SRAM (KB)：224，CPU：ARM? Cortex?-M4，工作电压（V）：2.6~3.6，工作温度：-40°C ~ 105°C，封装：LQFP100

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型号：PIC16F887-I/PT 编号：C31511

封装：TQFP-44(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：高性能RISC CPU: -仅需学习35条指令，除分支指令外均为单周期指令。 -工作速度：DC – 20 MHz振荡器/时钟输入，DC – 200 ns指令周期。 -中断能力。 -8级深度硬件堆栈。 -直接、间接和相对寻址模式。特殊微控制器特性: -精密内部振荡器：工厂校准精度±1%，软件可选频率范围8 MHz至31 kHz，软件可调，双速启动模式，关键应用的晶体故障检测，运行期间时钟模式切换以节省功耗。 -省电睡眠模式。 -宽工作电压范围（2.0V-5.5V）

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型号：MKE02Z16VLC4 编号：C112039

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：NXP(恩智浦)

特性：工作特性: 电压范围：2.7至5.5V。闪存写入电压范围：2.7至5.5V。温度范围（环境）：-40至105°C。性能: 高达40 MHz的Arm Cortex-M0+内核和高达20 MHz的总线时钟。单周期32位x 32位乘法器。单周期I/O访问端口

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￥10.9098 ￥11.02
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￥10.5435 ￥10.65

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型号：AT89S52-24AU 编号：C8731

封装：TQFP-44(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT89S52是一款低功耗、高性能的CMOS 8位微控制器，带有8K字节的系统内可编程闪存。该器件采用Atmel的高密度非易失性存储器技术制造，并与行业标准80C51指令集和引脚布局兼容。片上闪存允许程序存储器通过系统内编程或传统的非易失性存储器编程器进行重新编程。通过将多功能8位CPU与系统内可编程闪存结合在单片芯片上，Atmel AT89S52是一款功能强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。AT89S52提供以下标准特性：8K字节的闪存、256字节的RAM、32条I/O线、看门狗定时器、两个数据指针、三个16位定时器/计数器、六向量两级中断架构、全双工串行端口、片上振荡器和时钟电路。此外，AT89S52设计采用了静态逻辑，可以在零频率下工作，并支持两种软件可选的节能模式。空闲模式停止CPU运行，但允许RAM、定时器/计数器、串行端口和中断系统继续工作。掉电模式保存RAM内容，但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能，直到下一个中断或硬件复位为止。

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