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MSP430FR5964 具有 256KB FRAM、8KB SRAM、AES、12 位 ADC、比较器、DMA、UART/SPI/I2C 和计时器的 16MHz MCU
数据手册
  • 1+

    ¥23.8
  • 10+

    ¥20.05
  • 30+

    ¥17.82
  • 100+

    ¥15.56
  • 500+

    ¥14.52
  • 1000+

    ¥14.05
  • 有货
    • 1+

      ¥10.09
    • 10+

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    • 99+

      ¥6.4
    • 528+

      ¥5.93
    • 1056+

      ¥5.73
  • 有货
  • HC32L170/ HC32L176 系列是一款旨在延长便携式测量系统的电池使用寿命的超低功耗、宽电压工作范围的 MCU。集成12 位 1Msps 高精度 SARADC,1 个12 位DAC 以及集成了比较器、运放、内置高性能PWM 定时器、LCD 显示、多路 UART、SPI、I2C等丰富的通讯外设,内建AES、TRNG 等信息安全模块,具有高整合度、高抗干扰、高可靠性和超低功耗的特点。本产品内核采用 Cortex-M0+ 内核,配合成熟的 Keil & IAR调试开发软件,支持C 语言及汇编语言,汇编指令。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.12
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      ¥8
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      ¥6.93
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    • 1000+

      ¥4.92
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    • 490+

      ¥6.26
    • 980+

      ¥6.05
  • 有货
  • HC32F420 系列是一款采用高性能 ARM Cortex®-M4 内核的 32 位微控制器,工作电压范围为 2.0 ~ 5.5V、工作温度范围为 -40 ~ 105℃,具备丰富的外设配置和多种工作模式以适用不同的应用场景。本产品提供多种封装形式,各封装形式下外设配置不同。
    • 1+

      ¥10.63
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      ¥8.65
    • 30+

      ¥7.55
    • 250+

      ¥6.32
    • 500+

      ¥5.77
    • 1000+

      ¥5.52
  • 有货
  • 特性:32位Arm Cortex-M0+内核,最高48MHz工作频率。Flash: 64~128KB,SRAM: 16KB。4~32MHz晶体振荡器,带校准的32KHz RTC振荡器,内部8MHz RC振荡器,内部48MHz自动校正RC振荡器,内部40KHz RC振荡器,PLL支持2~16倍频。上电/掉电复位(POR/PDR),可编程电压调节器,数字供电电压:VDD = 2.0~3.6V,模拟供电电压:VDD = VDD-3.6V,部分I/O供电电压:VDDIO2 = 1.65~3.6V,支持外部电池VBAT为RTC及备份寄存器供电:VBAT = 1.65~3.6V。睡眠、停机、待机低功耗模式。最多87个I/Os,所有I/O可映射到外部中断向量,最多68个容忍5V输入的I/O,19个I/O由VDDIO2供电
    数据手册
    • 1+

      ¥11.27
    • 10+

      ¥9.16
    • 30+

      ¥8.01
    • 160+

      ¥6.7
    • 480+

      ¥6.12
    • 960+

      ¥5.85
  • 有货
  • 特性:16 MHz先进的STM8内核,采用哈佛架构和三级流水线,具备扩展指令集。 中等密度闪存/EEPROM:程序存储器高达32 Kbytes,在55℃下经过10 kcycles后数据保留20年;数据存储器高达1 Kbytes真正的数据EEPROM,耐久性为300 kcycles。 RAM:高达2 Kbytes。 2.95 V至5.5 V工作电压。 灵活的时钟控制,4种主时钟源:低功耗晶体谐振器振荡器、外部时钟输入、内部用户可微调的16 MHz RC、内部低功耗128 kHz RC。 带时钟监控的时钟安全系统
    数据手册
    • 1+

      ¥11.31
    • 10+

      ¥9.33
    • 30+

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    • 500+

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    • 1000+

      ¥6.22
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40°C至85°C/105°C/125°C。 存储器:高达128 Kbytes的闪存,带有保护和可安全区域;36 Kbytes的SRAM(32 Kbytes带硬件奇偶校验)。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围1.7 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);可编程欠压复位(BOR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止、待机、关机;VBAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;32 kHz晶体振荡器,带校准;内部16 MHz RC,可选PLL(±1%);内部32 kHz RC振荡器(±5%)
    数据手册
    • 1+

      ¥11.37
    • 10+

      ¥10.41
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      ¥9.81
    • 260+

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      ¥8.92
    • 1040+

      ¥8.8
  • 有货
  • 32位微处理器ARM COREX M3核 LQPF-64封装 256K内存 主完全兼容STM32F103RCT6、APM32F103RCT6
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    • 1+

      ¥12.66
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    • 960+

      ¥7
  • 有货
  • 2V~3.6V CPU位数:32-Bit CPU内核:ARM Cortex-M3主频(MAX):73MHz ROM类型:FLASH 128K
    数据手册
    • 1+

      ¥13.17
    • 10+

      ¥10.97
    • 30+

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    • 900+

      ¥7.28
  • 有货
  • 32位MCU Arm Cortex -M3内核,最高 120MHz 工作频率,Flash:512KB,SRAM:128KB,VDD范围:2.0~3.6V,GPIOs:51,封装:LQFP64,APM32F103RETE升级型号,兼容STM32F103RET6。 存储器
    数据手册
    • 1+

      ¥13.48
    • 10+

      ¥10.96
    • 30+

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    • 160+

      ¥8.01
    • 480+

      ¥7.32
    • 960+

      ¥7
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。存储器:16至32 Kbytes的闪存,4 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:数字和I/O电源:2.0至3.6 V;模拟电源:V(DDA) = 从V(DD)至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;V(BAT)为RTC和备份寄存器供电。时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器;32 kHz用于RTC的振荡器,带校准;内部8 MHz RC,有x6 PLL选项;内部40 kHz RC振荡器。多达39个快速I/O:所有可映射到外部中断向量;多达26个I/O具有5 V容限能力
    数据手册
    • 1+

      ¥13.6
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      ¥11.82
    • 30+

      ¥10.85
    • 100+

      ¥9.1
    • 500+

      ¥8.61
  • 有货
  • 特性:核心: -最大CPU频率:高达24 MHz,在CPU频率 ≤ 16 MHz时无等待状态。 -采用哈佛架构和三级流水线的先进STM8内核。 -扩展指令集。 -在24 MHz下最大20 MIPS。 存储器: -程序:高达128 KB Flash,在56℃下经过10k周期后数据保留20年。 -数据:高达2 KB真正的数据EEPROM,耐久性300k周期
    数据手册
    • 1+

      ¥14.12
    • 10+

      ¥11.93
    • 30+

      ¥10.56
    • 100+

      ¥9.15
    • 500+

      ¥8.52
    • 1000+

      ¥8.24
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。 1.65 V 至 3.6 V 电源,-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29 μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。 0.43 μA 停止模式(16 个唤醒线)。 0.86 μA 停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM 保留。 运行模式下低至 93 μA/MHz。 5 μs 唤醒时间(从闪存)。 12 位 ADC 转换在 10 ksps 时为 41 μA
    数据手册
    • 1+

      ¥15.04
    • 10+

      ¥12.87
    • 30+

      ¥11.51
    • 160+

      ¥10.12
    • 480+

      ¥9.49
    • 960+

      ¥9.22
  • 有货
  • 特性:ARM 32位Cortex-M3 CPU内核,最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhystone 2.1)。 单周期乘法和硬件除法。 64或128 KB的闪存。 20 KB的SRAM。 2.0至3.6V应用电源和I/O。 POR、PDR和可编程电压检测器(PVD)
    数据手册
    • 1+

      ¥17.32
    • 10+

      ¥14.61
    • 30+

      ¥12.92
    • 100+

      ¥11.18
    • 500+

      ¥10.39
    • 1000+

      ¥10.05
  • 有货
  • 是基于ARM Cortex-M0内核的低成本微控制器系列,可用于现有的8位/16位的应用,为用户提供高性能、低功耗、易于使用的指令集和存储器地址空间,以及比现有8位/16位架构更精简的代码量。工作频率高达50MHz。外设包括:高达32kB的Flash、8kB的数据存储器、一个Fast-mode Plus的I²C总线接口、一个RS-485/EIA-485通用异步收发器(UART)、2个支持SSP功能的SPI接口、4个通用定时器,一个10位ADC,以及多达42个通用I/O引脚。
    数据手册
    • 5+

      ¥17.32
    • 50+

      ¥13.97
    • 250+

      ¥12.31
    • 500+

      ¥10.5039 ¥10.61
    • 2500+

      ¥9.7416 ¥9.84
    • 5000+

      ¥9.4149 ¥9.51
  • 有货
  • ATmega324PA 是一款基于 AVR 增强 RISC 架构的低功耗 CMOS 8 位微控制器。通过在一个时钟周期内执行强大的指令,ATmega324PA 实现接近 1MIPS/MHz 的吞吐量。这使系统设计人员能够优化设备以实现功耗与处理速度之间的平衡。 AVR 核心结合了丰富的指令集和 32 个通用工作寄存器。所有 32 个寄存器都直接连接到算术逻辑单元 (ALU),允许在一个时钟周期内执行的单个指令访问两个独立的寄存器。由此产生的架构更有效地利用代码,同时实现比传统 CISC 微控制器快十倍的吞吐量。ATmega324PA 提供了以下特性:32K 字节的片内可编程 Flash,具有读写能力,1K 字节 EEPROM,2K 字节 SRAM,32 条通用 I/O 线,32 个通用工作寄存器,实时计数器 (RTC),三个具有比较模式和 PWM 的灵活定时/计数器,两个串行可编程 USART,一个面向字节的 2 线串行接口 (I2C),一个 8 通道 10 位 ADC,具有可选的差分输入级和可编程增益,一个具有内部振荡器的可编程看门狗定时器,一个 SPI 串行端口,符合 IEEE std. 1149.1 的 JTAG 测试接口,也用于访问片上调试系统和编程,以及六种软件可选的省电模式。空闲模式停止 CPU,同时允许 SRAM、定时/计数器、SPI 端口和中断系统继续运行。掉电模式保存寄存器内容,但冻结振荡器,禁用所有其他芯片功能,直到下一次中断或硬件复位。在省电模式下,异步定时器继续运行,允许用户在设备其余部分休眠时保持定时器基准。ADC 降噪模式停止 CPU 和所有 I/O 模块,除了异步定时器和 ADC,以最小化 ADC 转换期间的开关噪声。在待机模式下,晶体/谐振器振荡器正在运行,而设备其余部分正在休眠。这允许非常快的启动,同时结合低功耗。在扩展待机模式下,主振荡器和异步定时器都继续运行。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.46
    • 10+

      ¥15.66
    • 30+

      ¥13.91
    • 160+

      ¥12.11
    • 480+

      ¥11.3
  • 有货
  • 湿气敏感性等级MSL3。3级(168小时)
    数据手册
    • 1+

      ¥19.2
    • 10+

      ¥16.27
    • 30+

      ¥14.43
    • 160+

      ¥12.55
    • 480+

      ¥11.69
    • 960+

      ¥11.33
  • 有货
  • 版本:A2 工作电压:2V ~ 3.6V CPU位数:32-Bit CPU内核:ARM? Cortex?-M3 主频(MAX):96MHz ROM类型:FLASH APM32 Series 32-bit 512 kB Flash 128 kB RAM FPU LQFP-64
    数据手册
    • 1+

      ¥20.25
    • 10+

      ¥16.88
    • 30+

      ¥14.77
    • 160+

      ¥12.6
    • 480+

      ¥11.63
    • 960+

      ¥11.2
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M4 CPU(最高72 MHz),单周期乘法和硬件除法,带FPU(浮点单元)和MPU(内存保护单元)的DSP指令,1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。内存:64至256 Kbytes的闪存,32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围2.0至3.6 V,上电/掉电复位(POR/PDR),可编程电压检测器(PVD),低功耗模式:睡眠、停止、待机,VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器,32 kHz带校准的RTC振荡器,内部8 MHz RC(带x16 PLL选项),内部40 kHz振荡器。多达84个快速I/O,所有可映射到外部中断向量,多达45个5 V耐压I/O
    数据手册
    • 1+

      ¥21.77
    • 10+

      ¥18.6
    • 30+

      ¥15.93
    • 250+

      ¥14.03
    • 500+

      ¥13.15
  • 有货
  • 特性:ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核,最高频率 72 MHz,在 0 等待状态内存访问时,性能为 1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),具备单周期乘法和硬件除法功能。 16 或 32 KB 的闪存,6 或 10 KB 的 SRAM。 2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O,POR、PDR 和可编程电压检测器(PVD),4 至 16 MHz 晶体振荡器,内部 8 MHz 工厂校准 RC,内部 40 kHz RC,用于 CPU 时钟的 PLL,带校准功能的 32 kHz RTC 振荡器。 具备睡眠、停止和待机模式,VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2 个 12 位、1 μs A/D 转换器(最多 16 个通道),转换范围 0 至 3.6 V,具备双采样和保持能力,有温度传感器。 7 通道 DMA 控制器,支持定时器、ADC、SPIs、I²Cs 和 USARTs 等外设
    数据手册
    • 1+

      ¥23.9688 ¥33.29
    • 10+

      ¥19.7346 ¥31.83
    • 30+

      ¥16.0888 ¥30.94
    • 100+

      ¥15.6988 ¥30.19
  • 有货
  • 特性:内核:带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器(ART加速器)、主频高达180MHz,MPU,能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz(Dhrystone2.1)的性能,具有DSP指令集。 高达2MB Flash,组织为两个区,可读写同步。 高达256 + 4KB的SRAM,包括64-KB的CCM(内核耦合存储器)数据RAM。 具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口,兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率,具有专用的Chrom-ART Accelerator,用于增强的图形内容创建(DMA2D)。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR
    数据手册
    • 1+

      ¥24.95
    • 10+

      ¥21.24
    • 40+

      ¥19.03
    • 80+

      ¥16.8
    • 480+

      ¥15.77
    • 1000+

      ¥15.31
  • 有货
  • 特性:核心:ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU(最高 72 MHz),单周期乘法和硬件除法,90 DMIPS(来自 CCM),DSP 指令和 MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDDA 电压范围:2.0V 至 3.6V。 存储器:128 至 256 Kbytes 的闪存;高达 40 Kbytes 的 SRAM,前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验;8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上,带硬件奇偶校验(CCM)。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器;用于 RTC 的 32 kHz 振荡器,带校准;内部 8 MHz RC,有 x 16 PLL 选项;内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O:所有可映射到外部中断向量;多个 5V 耐压。 互连矩阵
    数据手册
    • 1+

      ¥26.56
    • 10+

      ¥22.81
    • 30+

      ¥19.27
    • 250+

      ¥17.01
    • 500+

      ¥15.97
    • 1000+

      ¥15.51
  • 有货
  • 特性:核心:32位Arm Cortex-M3 CPU。最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。256至512 Kbytes的闪存。高达64 Kbytes的SRAM。具有4个片选的灵活静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存
    数据手册
    • 1+

      ¥29.63
    • 10+

      ¥25.6
    • 30+

      ¥23.21
    • 160+

      ¥20.78
    • 480+

      ¥19.67
  • 有货
    • 1+

      ¥29.87
    • 10+

      ¥25.41
    • 30+

      ¥22.76
    • 100+

      ¥20.09
    • 500+

      ¥18.85
    • 1000+

      ¥18.29
  • 有货
    • 1+

      ¥33.04
    • 10+

      ¥28.21
    • 60+

      ¥25.34
    • 120+

      ¥22.44
    • 360+

      ¥21.11
  • 有货
  • 特性:超低功耗,采用FlexPowerControl,电源电压1.71V至3.6V,温度范围-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式30nA(5个唤醒引脚)。 待机模式120nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式420nA。 停止2模式1.1μA,带RTC时1.4μA。 运行模式100μA/MHz(LDO模式)。 运行模式39μA/MHz(@3.3V SMPS模式)
    数据手册
    • 1+

      ¥35.01
    • 10+

      ¥30.04
    • 30+

      ¥27.09
    • 100+

      ¥24.1
    • 500+

      ¥22.72
    • 1000+

      ¥22.1
  • 有货
  • 特性:核心:32位Arm Cortex-M4 CPU带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。 工作条件:VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速,FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存,支持ECC,有专有代码读取保护(PCROP)和可保护存储区域,1 KB OTP。 22 KB SRAM,前16 KB有硬件奇偶校验;程序增强器:指令和数据总线上有10 KB SRAM,带硬件奇偶校验(CCM SRAM)。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR/BOR),可编程电压检测器(PVD),低功耗模式(睡眠、停止、待机和关机),VBAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器,32 kHz振荡器带校准,内部16 MHz RC(可选PLL,±1%),内部32 kHz RC振荡器(±5%)。 多达86个快速I/O,均可映射到外部中断向量,部分I/O有5 V容限能力
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  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。 工作条件:VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速;FMAC:滤波数学加速器。
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