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特性:仅需学习49条指令:除分支指令外,所有指令均为单周期指令。 工作速度:直流-32 MHz振荡器/时钟输入;直流-125 ns指令周期。 高达16K x 14字的闪存程序存储器。 高达1024字节的数据存储器(RAM)。 具备自动上下文保存的中断能力。 16级深度硬件堆栈。 直接、间接和相对寻址模式。 处理器可读取程序存储器
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  • 是嵌入式闪存类型的8位高性能1T 8051架构微控制器。指令集与标准80C51完全兼容,性能得到增强。包含高达18K字节的主闪存APROM,用于存储用户代码。闪存支持在应用编程(IAP)功能,可实现片上固件更新。IAP还可将用户代码数组的任何块配置为非易失性数据存储,可通过IAP写入,通过IAP或MOVC指令读取。还有一个额外的闪存LDROM,通常用于存储引导代码以执行在系统编程(ISP)。LDROM大小可配置,最大为4K字节。为便于编程和验证,闪存允许...
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  • EFM8BB1,作为Busy Bee系列MCU的一部分,是一系列具有全面功能集的小型封装8位微控制器。这些设备通过将先进的模拟和通信外设集成到小型封装中提供了高价值,使其成为空间受限应用的理想选择。凭借高效的8051内核、增强的脉宽调制和精密模拟,EFM8BB1系列也非常适合嵌入式应用。EFM8BB1的应用包括:- 电机控制- 医疗设备- 消费电子产品- 照明系统- 传感器控制器- I/O端口扩展器主要特性:- 具有25 MHz最大工作频率的流水线8位C8051内核- 最多18个多功能、5V耐压I/O引脚- 一个12位模数转换器(ADC)- 两个低电流模拟比较器- 集成温度传感器- 3通道增强PWM/PCA- 四个16位定时器- UART、SPI和SMBus/I2C- 优先级交叉开关用于灵活的引脚映射突出特性:- 核心:流水线CIP-51核心,完全兼容标准8051指令集,70%的指令在一个或两个时钟周期内执行,最大工作频率为25 MHz- 存储器:最多8 kB闪存,在系统内可从固件重新编程,最多512字节RAM(包括256字节标准8051 RAM和256字节片上XRAM)- 电源:内部LDO稳压器用于CPU核心电压,上电复位电路和欠压检测器,总共最多18个多功能I/O引脚,所有引脚在偏置下5V耐压,灵活的外围交叉开关用于外围路由,5 mA源极驱动能力,12.5 mA沉极允许直接驱动LED- 时钟源:内部24.5 MHz振荡器,精度±2%,内部80 kHz低频振荡器,外部CMOS时钟选项- 定时器/计数器和PWM:支持PWM、捕获/比较和频率输出模式的3通道可编程计数器阵列(PCA),4 x 16位通用定时器,独立看门狗定时器,由低频振荡器计时- 通信和数字外设:UART、SPI主/从、SMBus/I2C主/从、16位CRC单元,在256字节边界处自动对闪存进行CRC校验- 模拟:12位模数转换器(ADC),2 x 低电流模拟比较器,带可调参考- 片上非侵入式调试:全内存和寄存器检查,四个硬件断点,单步执行- 预加载UART引导程序- 温度范围-40至85°C或-40至125°C- 单电源2.2至3.6 V- QSOP24、SOIC16和QFN20封装
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  • 小体积高性能多功能高性价比
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  • 特性:高性能RISC CPU,仅需学习35条指令。 所有单周期指令,除分支指令外。 工作速度:DC-16 MHz时钟输入,DC-250 ns指令周期。 八级深度硬件堆栈。 中断能力。 处理器可对程序存储器进行自写/读访问
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  • 特性:32位8051,也是优秀的16位机,更是兼容8位机的1位机。 10个32位累加器。 16个16位累加器。 16个8位累加器。 32位加减指令。 16位乘除指令。 32位乘除运算(MDU32)。 32位算术比较指令。 所有的SFR(80H~FFH)均支持位寻址。 ebdata(20H~7FH)全部支持位寻址。 单时钟32/16/8位数据读写(edata)。 单时钟端口读写。 堆栈理论深度可达64K(实际取决于edata)。 FreeRTOS for STC32G12K128:官方移植的高效稳定版已发布。 编译器:KEIL C251编译器
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  • 特性:高性能RISC CPU:仅需学习49条指令,除跳转指令外,所有指令为单周期指令。工作速度:DC-32MHz振荡器/时钟输入,DC-125ns指令周期。带有自动现场保护的中断功能。带有可选上溢/下溢复位的16级深硬件堆栈。直接寻址、间接寻址和相对寻址模式。2个完整的16位文件选择寄存器(FSR)。FSR可读程序和数据存储器。 灵活的振荡器结构:高精度32MHz内部振荡器模块,出厂时精度校准到±1%(典型值),软件可选频率范围为31kHz至32MHz
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  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40°C至85°C。 存储器:高达64 Kbytes的带保护的闪存;8 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围2.0 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);低功耗模式:睡眠、停止、待机;RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;带校准的32 kHz晶体振荡器;带PLL选项的内部16 MHz RC;内部32 kHz RC振荡器(±5%)
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  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40°C至85°C/105°C/125°C。 存储器:高达128 Kbytes的闪存,带有保护和可安全区域;36 Kbytes的SRAM(32 Kbytes带硬件奇偶校验)。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围1.7 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);可编程欠压复位(BOR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止、待机、关机;VBAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;32 kHz晶体振荡器,带校准;内部16 MHz RC,可选PLL(±1%);内部32 kHz RC振荡器(±5%)
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  • 特性:仅需学习49条指令,除分支指令外均为单周期指令。 工作速度:直流-32 MHz振荡器/时钟输入,直流-125 ns指令周期。 高达16 Kbytes线性程序存储器寻址。 高达1024 bytes线性数据存储器寻址。 具备自动上下文保存的中断能力。 16级深度硬件堆栈,可选溢出/下溢复位。 直接、间接和相对寻址模式,两个完整的16位文件选择寄存器(FSRs),FSRs可读取程序和数据存储器。 精密32 MHz内部振荡器模块,工厂校准至±1%(典型值),软件可选频率范围为31 kHz至32 MHz
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  • MSP430F2132 具有 8KB 闪存、512B SRAM、10 位 ADC、比较器和 I2C/SPI/UART 的 16MHz MCU
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  • 特性:仅需学习49条指令,除分支指令外均为单周期指令。 工作速度:DC – 32 MHz振荡器/时钟输入,DC – 125 ns指令周期。 具备自动上下文保存的中断能力。 16级深度硬件堆栈,可选溢出/下溢复位。 直接、间接和相对寻址模式,两个完整的16位文件选择寄存器(FSRs),FSRs可读取程序和数据存储器。 精密32 MHz内部振荡器模块,工厂校准至±1%(典型值),软件可选频率范围为31 kHz至32 MHz。 31 kHz低功耗内部振荡器。 四种高达32 MHz的晶体模式
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  • 特性:Arm 32位Cortex-M3 CPU内核。最高72 MHz频率,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz (DPrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。64或128 KB的闪存。20 KB的SRAM。2.0至3.6V的应用电源和I/O
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  • 是低功耗CMOS 8位微控制器,基于AVR增强型RISC架构。通过在单个时钟周期内执行强大的指令,实现接近每MHz 1 MIPS的吞吐量,使系统设计人员能够优化功耗与处理速度。AVR内核将丰富的指令集与32个通用工作寄存器相结合。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元(ALU),允许在一个时钟周期内执行的一条指令中访问两个独立的寄存器。与传统的CISC微控制器相比,这种架构代码效率更高,吞吐量提高了多达十倍。提供以下功能:2/4/8K字节的系统内可编程闪存、128/256/512字节EEPROM、128/256/256字节SRAM、6个通用I/O线、32个通用工作寄存器、一个具有比较模式的8位定时器/计数器、一个8位高速定时器/计数器、通用串行接口、内部和外部中断、一个4通道10位ADC、一个带内部振荡器的可编程看门狗定时器以及三种软件可选的节能模式
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  • 有货
  • MSP430F449 具有 60KB 闪存、2KB SRAM、12 位 ADC、比较器、SPI/UART 和 160 段 LCD 的 8MHz MCU
    数据手册
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      ¥10.83
  • 有货
  • CC1310 具有 128kB 闪存的 SimpleLink™ 32 位 Arm Cortex-M3 低于 1GHz 无线 MCU
    数据手册
    • 1+

      ¥18.27
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      ¥11.44
  • 有货
  • 主流超值系列,Arm Cortex-M0+ 32 位 MCU,高达 512KB 闪存、144KB RAM、6x USART、定时器、ADC、通信。 I/F,2-3.6V
    数据手册
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      ¥18.29
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      ¥14.08
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      ¥11.15
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      ¥10.82
  • 有货
  • 特性:超低功耗,采用FlexPowerControl: -1.71V至3.6V电源。 -40℃至85/105/125℃温度范围。 -8nA关机模式(2个唤醒引脚)。 -28nA待机模式(2个唤醒引脚)。 -280nA带RTC的待机模式。 -1.0μA停止2模式,带RTC时为1.28μA。 -84μA/MHz运行模式。 -批量采集模式(BAM)
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      ¥19.17
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      ¥11.99
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      ¥11.64
  • 有货
  • 特性:动态效率线,具备批量采集模式(BAM)。 电源电压:1.7 V至3.6 V。 温度范围:-40℃至85/105/125℃。 内核:带有浮点单元(FPU)的32位Cortex®-M4 CPU,自适应实时加速器(ART Accelerator™),可实现从闪存零等待状态执行,频率高达100 MHz,具备内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。
    数据手册
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  • 有货
  • 特性:核心:ARM Cortex-M4 32位CPU,带有72 MHz FPU、单周期乘法和硬件除法、90 DMIPS(来自CCM)、DSP指令和MPU(内存保护单元)。 VDD、VDA电压范围:2.0V至3.6V。 高达512 Kbytes的闪存,64 Kbytes的SRAM,前32 Kbytes实现硬件奇偶校验。常规增强器:指令和数据总线上16 Kbytes的SRAM,带硬件奇偶校验(CCM)。 用于静态存储器的灵活内存控制器(FSMC),带有四个片选。 CRC计算单元。 上电/掉电复位(POR/PDR)。 可编程电压检测器(PVD)
    数据手册
    • 1+

      ¥32.26
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      ¥23.33
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      ¥20.6
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      ¥19.34
  • 有货
  • 是一款高性能 MCU,支持超大片上内存,具有强大的图像和语音处理能力。该款 MCU 包含一个高性能(HP)系统和一个低功耗(LP)系统。HP 系统由 RISC-V 双核处理器驱动,包含丰富的外设;LP 系统由 RISC-V 单核处理器驱动,其外设针对低功耗应用进行了优化。
    • 1+

      ¥35.89
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      ¥32.23
    • 30+

      ¥30
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      ¥28.25
  • 有货
  • TMS320F28062 具有 90MHz 频率、FPU、128KB 闪存、52KB RAM 的 C2000™ MCU
    数据手册
    • 1+

      ¥41.7
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      ¥36.49
    • 30+

      ¥31.67
    • 100+

      ¥29
  • 有货
  • 低功耗、精密模拟微控制器、双通道Σ-Δ型ADC,Flash/EE存储器,ARM7TDMI内核
    数据手册
    • 1+

      ¥42.82
    • 10+

      ¥37.27
    • 30+

      ¥32.44
    • 100+

      ¥29.61
  • 有货
  • 特性:包括意法半导体最先进的专利技术。 采用FlexPowerControl实现超低功耗:供电电压1.71 V至3.6 V。温度范围-40℃至85/125℃。VBAT模式下为320 nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式25 nA(5个唤醒引脚)。待机模式108 nA(5个唤醒引脚)。带RTC的待机模式426 nA。停止2模式2.57 μA,带RTC的停止2模式2.86 μA
    数据手册
    • 1+

      ¥54.47
    • 10+

      ¥42.8
    • 30+

      ¥38.37
    • 100+

      ¥34.65
  • 有货
  • 特性:双核:32 位 Arm Cortex-M7 内核,带双精度 FPU 和 16KB 数据、16KB 指令缓存,频率高达 480MHz,有 MPU、1027 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和 DSP 指令;32 位 Arm Cortex-M4 内核,带 FPU、自适应实时加速器,频率高达 240MHz,有 MPU、300 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和 DSP 指令。
    数据手册
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      ¥53
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  • MCU芯片
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      ¥2.69
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