华虹宏力存储器_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-8

是一款8192字×8位配置的铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，在次数上显著优于闪存和E²PROM。写入存储器后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。

数据手册

1+
￥7.41
10+
￥6.28
30+
￥5.66
100+
￥4.95
500+
￥4.35
1500+
￥4.2

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型号：MX25L6433FM2I-08G 编号：C706695

封装：SOP-8-200mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：Hold功能。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。自动擦除和自动编程算法。编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复

数据手册

1+
￥8.95
10+
￥7.61
30+
￥6.87
100+
￥6.04
500+
￥5.67
1000+
￥5.5

有货

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型号：W25Q64JWSSIQ 编号：C2985658

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JW（64M位）串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备远超普通串行闪存器件的灵活性和性能。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI（XIP）直接执行代码，以及存储语音、文本和数据

数据手册

1+
￥16.44
10+
￥14.82
30+
￥13.94
100+
￥12.94
500+
￥12.01
1000+
￥11.8

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型号：W9864G6KH-6 编号：C62378

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为1M字×4组×16位，可提供高达每秒200M字的数据带宽。针对不同应用，分为-5、-6、-6I和-7等速度等级。5部件最高可运行至200MHz/CL3；-6和-6I部件最高可运行至166MHz/CL3（-6I为工业级，支持-40°C至85°C）；-7部件最高可运行至143MHz/CL3，且tRP = 18ns。对SDRAM的访问是突发式的，当通过ACTIVE命令选择一个组和行时，一页中的连续存储位置可以以1、2、4、8或整页的突发长度进行访问

数据手册

1+
￥22.46
10+
￥20.49
30+
￥18.58
100+
￥17.32
500+
￥16.75
1000+
￥16.5

有货

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型号：W25Q64JVXGIQ 编号：C2940195

封装：XSON-8-EP(4x4)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JV（64M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

数据手册

5+
￥24.77
50+
￥23.16
150+
￥22.27
500+
￥20.65
2500+
￥20.21
5000+
￥20

有货

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型号：W9812G6KH-6 编号：C62379

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

128-Mbit(8M × 16bit)，并行接口，工作电压：3.3V

数据手册

1+
￥26.08
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￥23.36
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￥20.37
100+
￥18.63
500+
￥17.85
1000+
￥17.5

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型号：MKDV1GCL-ABF 编号：C51966230

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:SLC,商业级，MKDV1GCL-ABA升级款，广泛适配在各大MCU平台上；工作温度：-25°~85°，新物料选型推荐，SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥29.0168 ￥31.54
10+
￥25.3552 ￥27.56
30+
￥23.4968 ￥25.54
100+
￥20.9944 ￥22.82
480+
￥20.0928 ￥21.84
960+
￥19.7064 ￥21.42

有货

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型号：W25N01GWZEIG 编号：C2940194

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

4+
￥52.1
40+
￥47.44
120+
￥44.68
480+
￥41.88
1920+
￥40.59

有货

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型号：H5TQ4G63EFR-RDI 编号：C7435512

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

1+
￥61.32
10+
￥53.48
30+
￥48.7
100+
￥44.69

有货

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型号：H5TQ4G63EFR-RDC 编号：C2803259

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

H5TQ4G83EFR-xxC、H5TQ4G63EFR-xxC、H5TQ4G83EFR-xxI、H5TQ4G63EFR-xxI、H5TQ4G83EFR-xxL、H5TQ4G63EFR-xxL、H5TQ4G83EFR-xxJ、H5TQ4G63EFR-xxJ、H5TQ4G83EFR-xxK和H5TQ4G63EFR-xxK是一款4,294,967,296位的CMOS双倍数据速率III（DDR3）同步动态随机存取存储器（DRAM），非常适合需要高存储密度和高带宽的主存储器应用。4Gb DDR3 SDRAM可实现完全同步操作，其参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在CK的上升沿（CK的下降沿）锁存，而数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿进行采样

数据手册

1+
￥77.43
10+
￥69.1
30+
￥64.02
100+
￥55.5

有货

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型号：MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR 编号：C401001

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Micron 4Gb NAND Flash Memory 设备包括异步数据接口，用于高性能I/O操作。这些设备使用高度复用的8位总线（I/Ox）传输命令、地址和数据。有五个控制信号用于实现异步数据接口：CE#、CLE、ALE、WE#和RE#。其他信号控制硬件写保护并监控设备状态（R/B#）。该设备具有内部4位ECC，可以通过GET/SET特性命令启用。

数据手册

1+
￥125.31
10+
￥120.04
30+
￥110.91
100+
￥102.94

有货

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型号：MT40A512M16TB-062E:R 编号：C2887392

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O

数据手册

1+
￥269.88
30+
￥250

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型号：MKDV16GCL-STP 编号：C19192127

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥272.7545 ￥287.11
30+
￥259.5495 ￥273.21

有货

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型号：H5AN8G6NDJR-XNC 编号：C2961593

封装：-

品牌：HYNIX(海力士)

10+
￥273.74
320+
￥258.68

有货

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型号：M24C04-RMN6TP 编号：C81147

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

4 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.409
50+
￥0.357
150+
￥0.331
500+
￥0.3115
2500+
￥0.2959
5000+
￥0.288

有货

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型号：AT24C02CM/TR 编号：C7432364

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C02M/TR升级替代料，建议试样，串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

10+
￥0.4227
100+
￥0.3362
300+
￥0.293
2500+
￥0.2606
5000+
￥0.2347
10000+
￥0.2217

有货

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型号：FM24C16D-SO-T-G 编号：C285241

封装：SOP-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C16D是一款16K位2线串行EEPROM，具有128位唯一ID和16字节安全区域。工作电压范围为1.7V至5.5V，支持1,000,000次写周期寿命，数据保留时间为40年。

数据手册

5+
￥0.6406
50+
￥0.5163
150+
￥0.4541
500+
￥0.4075
2500+
￥0.3702
4000+
￥0.3516

有货

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型号：M24C08-RDW6TP 编号：C283440

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

8 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.7831
50+
￥0.6096
150+
￥0.5229
500+
￥0.4578
2500+
￥0.4057
4000+
￥0.3797

有货

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型号：AT24C64CM/TR 编号：C22446588

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C64M/TR升级替代料，建议试样

5+
￥0.8108
50+
￥0.6381
150+
￥0.5517
500+
￥0.4869
2500+
￥0.4459
5000+
￥0.4199

有货

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型号：M24C02-FMN6TP 编号：C114502

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

2 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.8233
50+
￥0.6597
150+
￥0.578
500+
￥0.5166
2500+
￥0.4676
5000+
￥0.443

有货

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型号：M24C08-WMN6TP 编号：C141771

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

8 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.887
50+
￥0.695
150+
￥0.599
500+
￥0.527
2500+
￥0.4694
5000+
￥0.4405

有货

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型号：FM24C64D-SO-T-G 编号：C192126

封装：SO-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C64D提供65,536位的串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），组织为8,192个8位字，带有128位唯一ID和32字节安全区域。该设备支持最多8个设备共享一个2线总线，适用于低功耗和低电压操作的工业和商业应用。

数据手册

5+
￥1.1341
50+
￥0.8803
150+
￥0.7715
500+
￥0.6357
2500+
￥0.5753
4000+
￥0.539

有货

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型号：CAT24C02TDI-GT3A 编号：C81340

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C02 是一款 EEPROM 串行 2-Kb I2C 器件，内部组织为 16 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多八个 CAT24C02 器件的寻址。

数据手册

5+
￥1.3977
50+
￥1.123
150+
￥1.0053
500+
￥0.6878
3000+
￥0.6224
6000+
￥0.5832

有货

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型号：AT24C256CM/TR 编号：C7432367

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

5+
￥1.7634
50+
￥1.379
150+
￥1.2142
500+
￥1.0086
2500+
￥0.917
5000+
￥0.8621

有货

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型号：MX25R8035FZUIL0 编号：C152596

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。支持模式0和模式3。 8,388,608 x 1位结构或4,194,304 x 2位（双I/O模式）结构。每个扇区为4K字节，或每个块为32K/64K字节。任何块都可以单独擦除。单电源供电

数据手册

12+
￥5.56
120+
￥4.72
360+
￥4.1
1200+
￥3.68
6000+
￥3.43
12000+
￥3.3

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型号：24LC512T-I/SN 编号：C52088

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA512/24LC512/24FC512（24XX12）是一款64K x 8（512 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

数据手册

1+
￥6.38
10+
￥5.08
30+
￥4.43
100+
￥3.79
500+
￥3.4
1000+
￥3.2

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型号：CAT24M01WI-GT3 编号：C62273

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24M01 是一款 EEPROM 串行 1-Mb I2C，内部组织为 131,072 个词，每个词 8 位。它具有 256 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多四个 CAT24M01 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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