华虹宏力存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：MB85RC256VPNF-G-AMERE2 编号：C45273903

封装：SOP-8-150mil

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

替代 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 C47538

1+
￥13.75
10+
￥11.71
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￥10.44
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￥9.13
500+
￥8.54
1500+
￥8.28

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型号：25LC256-I/SN 编号：C84670

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA256/25LC256 (25XX256*) 是 256k -bit 串行电可擦除 PROM。该存储器可通过简单的串行外设接口 (SPI™) 兼容串行总线访问。所需的总线信号包括时钟输入 (SCK) 以及单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。

数据手册

1+
￥7.95
10+
￥6.51
30+
￥5.72
100+
￥4.82
500+
￥4.42

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型号：AT45DB081E-SSHN-T 编号：C81940

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

8Mbit 133MHz 1.7V-3.6V SPI

数据手册

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￥8.97
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￥7.8
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￥7.16
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￥6.44
500+
￥6.12
1000+
￥5.97

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型号：GD25Q64CWIGR 编号：C395511

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q64C（64M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），还支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速率为240Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速率为480Mbits/s。

数据手册

1+
￥9.8
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￥8.61
30+
￥7.96
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￥4.76

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型号：FM24C04B-GTR 编号：C9826

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

4-Kbit(512 × 8bit)，I2C接口，工作电压：5V

数据手册

1+
￥10.08
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￥8.5
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￥7.63
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￥6.65
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￥5.69

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型号：23LC1024-I/SN 编号：C48388

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LC1024 是 1 Mbit SPI 兼容的串行 SRAM 设备，支持 SDI 和 SQI 接口。工作电压范围为 2.5-5.5V，支持工业温度范围（-40°C 至 +85°C）。

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￥16.58
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￥14.03
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￥12.43

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型号：CAT25M02VI-GT3-TUDI 编号：C41355581

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT25M02/CAT25M02是一款2M位（262,144 x 8位）的串行外围接口（SPI）EEPROM，具有2.8V至5.5V的工作电压范围，最高时钟频率为55MHz，数据保留时间为100年，写周期寿命为1百万次。

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￥18.47
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￥15.79
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￥14.2
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￥12.59
500+
￥11.85
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￥11.51

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型号：MX25L6406EM2I-12G 编号：C60525

封装：SOP-8-200mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

64-Mbit(64M x 1bit/32M x 2bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V

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1+
￥20.22
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￥17.69
30+
￥16.1
100+
￥14.47

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型号：W9425G6KH-5 编号：C62381

封装：TSOP-66-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

256-Mbit(16M x 16bit)，工作电压：2.5V±0.2V

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￥26.65
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￥24.17
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￥22.62
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￥21.03
540+
￥20.32
864+
￥20

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型号：MKDV2GCL-AB 编号：C2686056

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

MK SD NAND 是一款设计为 LGA 封装形式的嵌入式存储解决方案。其操作类似于商业标准的 SD 卡，由 NAND 闪存和高性能控制器组成，支持高达 50 MHz 的时钟频率，支持 SPI 模式，写入速度最高可达 Class 6，封装尺寸为 6x8mm。工作电压为 3.3V，工作温度范围为 -25°C 至 85°C。

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￥33.554 ￥35.32
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￥28.8325 ￥30.35
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￥25.9635 ￥27.33
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￥23.5505 ￥24.79

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型号：S25FL256SAGNFI000 编号：C914933

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 伏核心，具备通用 I/O。 SPI 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3，具备 DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容

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1+
￥33.9
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￥28.94
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￥25.91
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￥23.37

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型号：DS1972-F5+ 编号：C5209391

封装：-

品牌：ADI(亚德诺)

iButton1024位EEPROM、 EPROM仿真模式，用于保护数据不被意外擦除

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￥35.3661 ￥45.93
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￥34.6808 ￥45.04
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￥32.4478 ￥42.14
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￥31.9935 ￥41.55

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型号：MR25H10CDF 编号：C246234

封装：DFN-8-EP(5x6)

品牌：Everspin

MR25H10是一款1,048,576位磁阻随机存取存储器（MRAM）器件，其组织形式为131,072个8位字。MR25H10提供与串行EEPROM和串行闪存兼容的读写时序，无写入延迟，且读写耐久性不受限制。与其他串行存储器不同，该器件在存储器中进行读写操作时均可随机进行，写入之间无延迟

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1+
￥43.32
10+
￥37.17
30+
￥32.74
100+
￥29.05
570+
￥27.34

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型号：NT5TU64M16HG-AC 编号：C908389

封装：FBGA-84

品牌：Nanya(南亚科技)

特性：JEDEC DDR2 兼容。双数据速率在 DQs、DQS、DM 总线。 4n 预取架构。有效命令吞吐量。发布式 CAS 和附加延迟 (AL)。可配置的 DS 以实现系统兼容性

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1+
￥44.08
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￥38.4
30+
￥34.93
100+
￥32.03

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型号：ZDSD01GLGEAG 编号：C2830323

封装：LGA-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，商业级（ -30℃ to+85℃），标准SD2.0协议，1Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

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1+
￥44.17
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￥38.69
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￥35.35
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￥29

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型号：MT41K64M16TW-107:J 编号：C75475

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据表规格。

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1+
￥44.22
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￥39.35
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￥36.45
100+
￥30.8

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型号：MT47H32M16NF-25E:H 编号：C2841140

封装：FBGA-84

品牌：micron(镁光)

512Mb DDR2 SDRAM，支持X4, X8, X16配置，具有4n位预取架构，支持差分时钟和数据选通。提供多种速度等级和封装选项。

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￥44.56
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￥41.38
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￥39.49
100+
￥36.28

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型号：W632GG6NB-11 编号：C2641226

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

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2+
￥47.45
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￥43.05
60+
￥40.43
198+
￥37.78
990+
￥36.56
1584+
￥36

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型号：W632GU6NB-11 编号：C3034991

封装：VFBGA-96

品牌：Winbond(华邦)

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10+
￥52.25
100+
￥46.01
300+
￥42.2
1000+
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型号：F35SQA001G-WWT 编号：C5126827

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：FORESEE(江波龙)

F35SQA001G 是一款 1Gbit (128Mx8bit) 的串行 NAND 闪存，支持标准 SPI 接口和双/四线 SPI 模式。工作电压为 2.7V 至 3.6V，支持 104 MHz 的 SPI 时钟频率。该设备具有内部 1-bit ECC 逻辑，默认启用。支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID，具有唯一 ID 和 62 个 OTP 页面。

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1+
￥55.84
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￥50.45
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￥47.17
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￥43.08

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型号：IS42S32800J-7BLI-TR 编号：C2065206

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM，支持166 MHz、143 MHz 和 133 MHz 的时钟频率。具有全同步特性，所有信号都参考时钟的上升沿。内部包含4个Bank，每个Bank为2M x 32位。支持可编程突发长度和突发顺序。支持自动刷新和自刷新模式。工作电压为3.3V ± 0.3V。

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￥60.56
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￥52.72
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￥47.95
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型号：MT25QU256ABA8ESF-0SIT 编号：C2061781

封装：SOP-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议的最大频率为166 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：扩展、双和四I/O的STR和DTR

1+
￥60.78
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￥52.26
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￥47.07
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￥42.72

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型号：GD5F2GQ5UEYIGR 编号：C2880463

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存存储核心，为嵌入式系统提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。凭借其先进特性，它是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的理想替代方案。引脚总数为8个，包括VCC和GND

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￥77.16
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￥70.24
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￥66.03
100+
￥40

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型号：NT5CC256M16ER-EK 编号：C428584

封装：TFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

特性：符合DDR3标准。 8n预取架构，差分时钟（CK/CK）和数据选通（DQS/DQS），DQs、DQS和DM上的双倍数据速率。数据完整性：通过DRAM内置TS实现自动自刷新（ASR），具备自动刷新和自刷新模式，有节能模式和掉电模式。信号完整性：可配置DS以实现系统兼容性，可配置片上终端，通过外部ZQ焊盘（240欧姆±1%）进行ZQ校准以确保DS/ODT阻抗精度，具备信号同步，通过MR设置进行写电平校准，通过MPR进行读电平校准。

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