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封装：SOIC-8

AT25512提供524,288位的串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，组织为65,536个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低压操作是必需的。设备提供8引脚SOIC、8引脚TSSOP和8垫UDFN封装，所有封装均可在1.8V至5.5V范围内工作。

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￥15.66
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型号：CAT24C64HU4I-GT3 编号：C233773

封装：UDFN-8L-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C64 是一款 64-kb CMOS 串行 EEPROM 器件，内部组织为 8192 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。

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型号：M24M01-RMN6TP-TUDI 编号：C36533663

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

M24M01是一款1Mb I2C EEPROM，内部组织为131,072个8位字。支持标准、快速和快速增强I2C协议，具有256字节页写缓冲区，硬件写保护，低功耗CMOS技术，100万次擦写寿命，100年数据保留时间。

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型号：24AA64T-I/OT 编号：C2061092

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/24FC64（24xx64*）是一款64 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为单个8K×8位存储块。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

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型号：GD25Q80ESIGR 编号：C2922791

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q80E（8M 位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四路 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

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型号：IS25LP080D-JULE-TR 编号：C2837009

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP080D和IS25WP080D/040D/020D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O，以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：CAV24C16WE-GT3 编号：C146711

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV24C02/04/08/16分别为2 Kb、4 Kb、8 Kb和16 Kb的CMOS串行EEPROM器件，其内部结构分别为16页、32页、64页和128页，每页16字节。所有器件均支持标准（100 kHz）和快速（400 kHz）I²C协议。写入数据时，需提供起始地址，然后将1至16个连续字节加载到页写缓冲区，再在一个内部写周期内将所有数据写入非易失性存储器

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型号：M24C02-DRMF3TG/K 编号：C880085

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

汽车级2 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：HG25Q128BMW/TR 编号：C22461597

封装：SOP-8-208mil

品牌：HGSEMI(华冠)

HG25Q128MW/TR升级替代料，建议试样，3.3v128m位串行闪存，带有双/四元SPI

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型号：IS25LP016D-JNLA3 编号：C1236813

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存存储器以精简引脚封装形式，提供了一种兼具高度灵活性与高性能的通用存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，这些引脚也可配置为多I/O模式

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￥5.04
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型号：24AA32AT-I/OT 编号：C2061066

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA32A/24LC32A（24×32A*）是一款32 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用双线串行接口，组织形式为一个4K×8位的单块存储器。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

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型号：24AA256T-I/SN 编号：C152172

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA256/24LC256/24FC256（24xx256*）是一款32K x 8（256 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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型号：MB85RS64PNF-G-JNERE1 编号：C8741

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

64-Kbit(8K × 8bit)，SPI接口，工作电压：3.0V to 3.6V

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型号：W25R128JVSIQ 编号：C6604694

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25R128JV（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。W25系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本

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￥8.82
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型号：APS6404L-3SQR-ZR 编号：C3040877

封装：USON-8L

品牌：Apmemory

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型号：MKDV1GCL-ABF 编号：C51966230

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:SLC,商业级，MKDV1GCL-ABA升级款，广泛适配在各大MCU平台上；工作温度：-25°~85°，新物料选型推荐，SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥13.19
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￥11.2
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型号：SST25VF016B-50-4I-S2AF 编号：C68557

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25系列串行闪存系列具有四线SPI兼容接口，可实现低引脚数封装，占用更少的电路板空间并最终降低总系统成本。SST25VF016B器件在原SST25VFxxxA器件的基础上，提高了工作频率，降低了功耗。SST25VF016B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。

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￥14.39
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￥9.13
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￥8.46
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￥8.17

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型号：25LC256T-E/SN 编号：C159741

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA256/25LC256 (25xxx256*) 是 256 Kbit 串行电可擦除 PROM。通过简单的串行外设接口 (SPI) 兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号是时钟输入 (SCK) 加上单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。

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1+
￥14.65
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￥12.44
30+
￥11.05
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型号：IS25LP128F-JBLE-TR 编号：C2063014

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP128F 和 IS25WP128F 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，它具有高度的灵活性和高性能，且采用引脚数量简化的封装。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式。该器件支持双 I/O 和四 I/O 模式，以及标准、双输出和四输出 SPI 模式

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￥18.71
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￥14.48
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型号：MX29LV160DBTI-70G 编号：C504714

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：MXIC(旺宏电子)

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480+
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型号：MKDV1GIL-AST 编号：C26159624

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

MKDV1GIL-AS的升级款，1Gb SD NAND 工规级 SLC；工业级新物料选型首选，软硬件完全兼容MKDV1GIL-AS，并且功耗更低、速度更快、擦写寿命更长； P/E Cycles 10万次，速度等级：C4；IOPS R/W 1343/35；支持实时健康状态监测；兼容SPI模式，SD一线式和四线式；内嵌ECC校验、坏块管理、垃圾回收、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，SDNAND等；

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￥21.195 ￥23.55
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￥13.806 ￥15.34

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型号：W25Q256JVEIQ 编号：C2682312

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

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1+
￥22.31
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￥19.6
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￥17.9
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￥14.63

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型号：MKDV1GIL-AS 编号：C726726

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

MK SD NAND 是一种嵌入式存储解决方案，设计为LGA封装形式。其操作类似于工业标准的SD卡。SD NAND由NAND闪存和高性能控制器组成，支持3.3V供电电压。完全符合SD2.0接口标准，支持SPI模式，内置硬件ECC引擎和高可靠的NAND管理机制。写速度最高可达Class 6，封装尺寸小，LGA-8。

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1+
￥23.82
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￥20.57
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￥18.64

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型号：ML22594-900MBZ0BX 编号：C2982499

封装：SSOP-30

品牌：ROHM(罗姆)

ML22594-xxx是一款4通道混合语音合成LSI，内置MASK ROM用于存储语音数据。该LSI集成了高音质HQ-ADPCM解码器、16位D/A转换器、低通滤波器、1.0W单声道扬声器放大器以及过流检测功能。通过这些功能，可以实现高质量和长时间的语音再生。

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1+
￥26.19
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￥24.98
30+
￥22.99
100+
￥22.38

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型号：GD5F2GM7UEYIGR 编号：C22412867

封装：WSON-8(8x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

SPI（串行外设接口）NAND 闪存基于行业标准的 NAND 闪存存储内核，为嵌入式系统提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具备先进特性，是 SPI-NOR 闪存和标准并行 NAND 闪存的理想替代方案。 - 引脚总数为 8 个，包括 VCC 和 GND

1+
￥30.33
10+
￥26.04
30+
￥23.49

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型号：MX35LF1GE4AB-Z4I 编号：C402160

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX35LFxGE4AB是一款具有串行接口的1Gb/2Gb单级单元（SLC）NAND闪存器件。该器件的存储阵列采用了与并行NAND相同的存储单元架构，但实现了行业标准的串行接口。芯片中集成了一个内部4位纠错码（ECC）逻辑，默认处于启用状态

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1+
￥30.69
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￥26.31
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￥23.7
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￥21.07

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型号：M25P16-VMN6TP 编号：C151067

封装：SOIC-8-150mil

品牌：micron(镁光)

M25P16 是一款 16Mb（2Mb x 8）串行闪存存储器件，具备先进的写保护机制，可通过高速 SPI 兼容总线访问。该器件支持时钟频率高达 75MHz 的高性能命令。使用 PAGE PROGRAM 命令，每次可对 1 至 256 字节的存储器进行编程

数据手册

1+
￥46.02
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￥40.95
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￥35.56
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￥32.97

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型号：W632GU6RB-09 编号：C42088618

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

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￥47.04
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￥40.61
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￥36.69
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￥33.4

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型号：MT29F8G08ABACAH4-IT:C TR 编号：C7001225

封装：VFBGA-63(9x11)

品牌：micron(镁光)

特性：组织架构: -页面大小: -x8：2,112 字节（2,048 + 64 字节）。 -x16：1,056 字（1,024 + 32 字）。块大小：64 页（128K + 4K 字节）。设备容量：2Gb：2,048 块；4Gb：4,096 块；8Gb：8,192 块。读取性能: -随机读取：25μs。顺序读取：30ns（仅 3V x8）

1+
￥55.78
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￥54.75
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￥54.06
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￥53.36

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型号：W634GU6RB-09 编号：C33031009

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

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