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封装：TFBGA-54(8x8)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

数据手册

1+
￥32.19
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￥28.27
30+
￥25.94
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348+
￥19.68

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型号：MT25QU256ABA1EW9-0SIT 编号：C2062658

封装：WPDFN-8-EP(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议的最大频率为166 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：扩展、双和四I/O的STR和DTR

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￥56.38
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型号：FM31256-GTR 编号：C24383

封装：SOIC-14_150mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM31256-GTR 是一款集成处理器伴生器件，集成了非易失性存储器、实时时钟、低电压复位、看门狗定时器、非易失事件计数器、锁定的64位序列号区域和通用比较器。该器件支持多种功能，包括早期电源失效警告、系统入侵检测等。存储器容量为256Kb，支持I2C接口，最大总线频率为1 MHz。

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￥58.87
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型号：MT29F8G08ABACAWP-IT:C 编号：C400999

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

Micron 8Gb NAND Flash Memory，支持单次编程操作，具有高可靠性和数据保留能力。该设备使用异步数据接口进行高性能I/O操作，通过高度复用的8位总线传输命令、地址和数据。控制信号包括CE#、CLE、ALE、WE#和RE#。

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￥80.9
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￥70.47
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型号：CSNP64GCR01-BOW 编号：C41380595

封装：LGA-8(7x8.5)

品牌：CS(创世)

SD NAND 64Gb MLC.标准SD 2.0协议.内嵌Flash管理算法,通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.具备远程升级FW功能,支持EXT4/FAT系列文件系统.待机/工作功耗低.自动stand by模式,高性价比.符合RoHS/REACH标准.别称:贴片式TF卡/mini eMMC

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￥94.9
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型号：MT25QU02GCBB8E12-0SIT 编号：C6916912

封装：TPBGA-24(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：堆叠设备（四个512Mb裸片）。SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。所有STR协议的时钟频率最高为166 MHz

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￥169.91
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型号：SDINBDG4-16G-XI1 编号：C2830398

封装：BGA-153(11.5x13)

品牌：SANDISK(闪迪)

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￥181.38
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￥172

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型号：KLUFG8RHGB-B0E1 编号：C45261440

封装：-

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

1+
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￥526.91

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型号：AD24C02 编号：C5125033

封装：SOP-8

品牌：IDCHIP(英锐芯)

AD24C02是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)。存储器可存储256个字节数据，分为32页每页8字节，随机字寻址需要8位数据字地址，具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期。AD24C02为SOT23-5、SOP-8、PDIP-8三种封装。

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￥0.20916 ￥0.2324
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￥0.16596 ￥0.1844
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￥0.14436 ￥0.1604
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￥0.12816 ￥0.1424
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￥0.11214 ￥0.1246
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￥0.10566 ￥0.1174

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型号：ZD24C02B-SSGMB 编号：C5374786

封装：SOP8-150

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C02B 提供 2048 位的串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，组织为 256 个 8 位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。

20+
￥0.2424
200+
￥0.1885
600+
￥0.1585
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￥0.1405
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20000+
￥0.1166

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型号：SL24C02D 编号：C5155390

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL24C02D是2K位电可擦除PROM，采用I2C总线接口，支持1.8V~5.5V的工作电压，具有低功耗待机模式，擦写寿命为100万次，数据保持时间为100年。

数据手册

10+
￥0.2587
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￥0.2059
300+
￥0.1795
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￥0.1597
4000+
￥0.1372
8000+
￥0.1293

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型号：AD24C02 编号：C7507360

封装：SOT-23-5L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AD24C02是一款低电压、低功耗的两线串行EEPROM，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，工业温度范围为-40°C至85°C。该器件具有16字节页写模式，部分页写操作允许，内部组织为256×8（2K）。标准2线双向串行接口，具有噪声保护的施密特触发输入，自定时编程周期（最大5ms），1MHz（2.5-5V）和400kHz（1.8V）兼容，自动擦除前写操作，硬件数据保护的写保护引脚，高可靠性：通常1,000,000次耐久性，100年数据保留时间。标准8引脚DIP/SOP/MSOP/TSSOP/DFN和5引脚SOT-23/TSOT-23无铅封装。

10+
￥0.2745
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￥0.2197
300+
￥0.1923
3000+
￥0.1456
6000+
￥0.1292
9000+
￥0.121

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型号：24C08BN(XBLW) 编号：C18723544

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C08是一款8192位的串行EEPROM，分为1024个字（8位）的存储单元。采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V到5.5V，工业温度范围为-40°C到85°C。

10+
￥0.2983 ￥0.314
100+
￥0.23446 ￥0.2468
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￥0.20254 ￥0.2132
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￥0.1786 ￥0.188
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￥0.15941 ￥0.1678
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￥0.149815 ￥0.1577

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型号：AT24C02-TD 编号：C42421822

封装：SOP-8

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

是电可擦除PROM，采用256/512/1024/2048/4096/8192×8-bit的组织结构以及两线串行接口。电压可允许低至1.8V，待机电流和工作电流分别为1μA和1mA。具有页写能力，每页分别为8/16/16/16/32/32字节。具有8-pin PDIP和8-pin SOP和5-pin SOT三种封装形式。

10+
￥0.405
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￥0.3228
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￥0.2818
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￥0.251
4000+
￥0.2263
8000+
￥0.214

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型号：24C32S(XBLW) 编号：C41408504

封装：SOT-23-5

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C32系列是32,768位串行EEPROM，每个字节为8位，共4096字节。支持低电压和低功耗操作，工作电压范围为1.8V至5.5V，具有32字节页写模式，标准2线双向串行接口，自定时写周期（最大5ms），100万次擦写寿命，100年数据保留，工业温度范围（-40℃至85℃）。

10+
￥0.426835 ￥0.4493
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￥0.335635 ￥0.3533
300+
￥0.290035 ￥0.3053
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￥0.255835 ￥0.2693
6000+
￥0.228475 ￥0.2405
9000+
￥0.214795 ￥0.2261

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型号：HX24C32DGKRG 编号：C42396716

封装：MSOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

32K串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

5+
￥0.427
50+
￥0.371
150+
￥0.343
500+
￥0.322
3000+
￥0.3052

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型号：M24C08-RMN6TP 编号：C141777

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

8 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.4514
50+
￥0.3506
150+
￥0.3002

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型号：AT24C16D 编号：C7432022

封装：SOP-8

品牌：IDCHIP(英锐芯)

AT24C16D是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)，存储容量为2048字节，分为128页，每页16字节。具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期，适用于智能仪器仪表、笔记本电脑、计算机、家用电器、汽车电子、通信设备和工业控制等领域。

5+
￥0.45577 ￥0.6511
50+
￥0.36183 ￥0.5169
150+
￥0.31486 ￥0.4498
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￥0.27958 ￥0.3994
2500+
￥0.25137 ￥0.3591
4000+
￥0.2373 ￥0.339

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型号：ZD24C08AE1-STGMT 编号：C3007877

封装：SOT-23-5

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C08A是一款8K位的I2C兼容串行EEPROM，具有16字节的页大小，支持单电源电压和高速操作，写操作在3毫秒内完成，具备硬件数据保护功能，高可靠性和增强的ESD/闩锁保护。

数据手册

5+
￥0.4886
50+
￥0.4292
150+
￥0.3996
500+
￥0.3773
3000+
￥0.3595
6000+
￥0.3506

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型号：24C64S(XBLW) 编号：C41408505

封装：SOT-23-5

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C64系列是65,536位的串行EEPROM，组织为8192个8位字。支持标准2线双向串行接口，适用于1.8V至5.5V的宽电压范围。

5+
￥0.526395 ￥0.5541
50+
￥0.412395 ￥0.4341
150+
￥0.355395 ￥0.3741
500+
￥0.312645 ￥0.3291
3000+
￥0.278445 ￥0.2931
6000+
￥0.261345 ￥0.2751

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型号：BL24C32F-RRRC 编号：C5185883

封装：TSOT-23-5L

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C32F是一款32Kbits的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，支持部分页写入，工作电压为1.7V至5.5V，时钟频率为400kHz至1MHz，数据保留时间为100年，写周期寿命为1百万次。

数据手册

5+
￥0.6202
50+
￥0.505
150+
￥0.4474
500+
￥0.4042
3000+
￥0.3552

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型号：P24C128D-SSH-MIR 编号：C2925576

封装：SOP-8

品牌：PUYA(普冉)

P24C128D是一款128-Kbit I2C兼容串行EEPROM，包含16384x8位的存储阵列，每页64字节。支持低功耗CMOS技术，读写电流分别为400uA和1.6mA。具有噪声抑制功能，支持顺序和随机读取，页写模式，部分页写允许，写保护，自定时写周期（最大5ms），高可靠性，擦写寿命超过1百万次，数据保留时间超过100年。

数据手册

5+
￥0.7104
50+
￥0.5664
150+
￥0.4944
500+
￥0.4404
2500+
￥0.3853
4000+
￥0.3637

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型号：AT24C08CN 编号：C22396887

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C08N升级替代料，建议试样，AT24C08C是一款8Kbit I2C兼容串行EEPROM设备，设计用于-40°C至+105°C的工作温度范围。该设备具有硬件和软件写保护功能，提供16字节的可写锁定页和128位唯一ID。支持2线串行接口，传输速率可达1MHz。

5+
￥0.8019
50+
￥0.6339
150+
￥0.5499
500+
￥0.4869
2000+
￥0.4365
4000+
￥0.4113

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型号：AT24LC64M/TR 编号：C3007892

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24LC32 / AT24LC64 提供 32/768/65536 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 4096/8192 个 8 位字。该器件针对众多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化。AT24LC32 / AT24LC64 采用节省空间的 8 引脚 DIP、8 引脚 SOP 和 8 引脚 MSOP 封装，可通过两线串行接口进行访问

数据手册

5+
￥0.8075
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￥0.7109
150+
￥0.6695
500+
￥0.6179
2500+
￥0.5482
5000+
￥0.5344

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型号：HT1307BRMZ 编号：C50338903

封装：MSOP-8

品牌：HTCSEMI(海天芯)

低功耗，512位静态CMOS RAM，按64字×8位组织。内置32,768 Hz振荡器（由外部晶体控制），RAM的前8字节用于时钟/日历功能，并以二进制编码十进制（BCD）格式配置。地址和数据通过两线双向总线串行传输。内置地址寄存器在每次写入或读取数据字节后自动递增。时钟具有内置电源检测电路，可检测电源故障，并在电源故障时自动切换到电池供电。维持RAM和时钟操作所需的能量可由小型锂硬币电池提供。使用50mAh、3V锂电池时，典型数据保留时间超过10年。