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128Mb移动低功耗SDRAM,支持133MHz时钟速率,16位I/O宽度,低功耗模式,适用于2.5G/3G手机、PDA、数字相机等设备。提供多种低功耗功能,如部分阵列自刷新(PASR)和自动温度补偿自刷新(ATCSR)。
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  • 256Mb移动低功耗SDRAM,支持133MHz时钟速率,32位I/O宽度,低功耗模式,适用于2.5G/3G手机、PDA、数字相机等设备。提供多种低功耗功能,如部分阵列自刷新(PASR)和自动温度补偿自刷新(ATCSR)。
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  • W987D6HBGX7E 是 Winbond 生产的 128Mb 低功耗移动 LPSDR。该芯片支持 133MHz 时钟速率,1.8V 供电,适用于移动设备,如 2.5G/3G 手机、PDA、数字相机等。具有多种低功耗模式,包括部分阵列自刷新 (PASR) 和自动温度补偿自刷新 (ATCSR)。
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  • 256Mb Low Power SDRAM,支持166MHz时钟频率,适用于电池供电设备,具有低功耗特性。支持部分阵列自刷新和自动温度补偿自刷新功能。提供16位和32位两种数据宽度
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  • 256Mb Low Power SDRAM,支持166MHz时钟频率,适用于电池供电设备,具有低功耗特性。支持部分阵列自刷新和自动温度补偿自刷新功能。提供16位和32位两种数据宽度
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  • W9825G2JB是一款高带宽的同步动态随机存取内存(SDRAM),组织为4M x 4 BANKS x 16BITS。支持166MHz/CL3的时钟频率,工作温度范围为-40°C至85°C。
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  • W9825G2JB是一款高带宽的同步动态随机存取内存(SDRAM),组织为4M x 4 BANKS x 16BITS。支持166MHz/CL3或133MHz/CL2的时钟频率,工作温度范围为0°C至70°C。
    数据手册
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  • W9825G2JB是一款高带宽的同步动态随机存取内存(SDRAM),组织为4M x 4 BANKS x 16BITS。支持133MHz/CL3的时钟频率,工作温度范围为0°C至70°C。
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  • W9412G6JB 是一款CMOS双数据速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM),组织为2M字x4个库x16位。W9412G6JB的数据带宽高达每秒500M字(-4)。为了完全符合个人计算机工业标准,W9412G6JB分为以下速度等级:-4、-5和-5I。-4 符合DDR500/CL3和CL4规范。-5/-5I 符合DDR400/CL3规范(-5I 级别保证支持-40°C ~ 85°C)。所有输入参考时钟的正沿(除DQ、DM和CKE外)。通过可编程模式寄存器,系统可以更改突发长度、延迟周期、交错或顺序突发以最大化其性能。W9412G6JB适用于高性能应用的主要内存。
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  • W9412G6JB 是一款CMOS双数据速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM),组织为2M字x4个库x16位。W9412G6JB的数据带宽高达每秒500M字(-4)。为了完全符合个人计算机工业标准,W9412G6JB分为以下速度等级:-4、-5和-5I。-4 符合DDR500/CL3和CL4规范。-5/-5I 符合DDR400/CL3规范(-5I 级别保证支持-40°C ~ 85°C)。所有输入参考时钟的正沿(除DQ、DM和CKE外)。通过可编程模式寄存器,系统可以更改突发长度、延迟周期、交错或顺序突发以最大化其性能。W9412G6JB适用于高性能应用的主要内存。
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