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  • W29N04KW/ZxxBG 是一款4Gbit 1.8V NAND FLASH存储器,支持标准NAND命令集,适用于低功耗和高密度存储应用。提供48-pin TSOP1和63-ball VFBGA封装。
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  • W29N04KW/ZxxBF 是 4Gbit 的 NAND Flash 存储器,适用于嵌入式系统,支持标准 NAND 命令集,工作电压为 1.7V 到 1.95V,支持 8 位和 16 位总线宽度。
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  • W29N08GV 是一款 8Gbit 的 NAND FLASH 存储器,支持标准 NAND 命令集,工作电压为 2.7V 至 3.6V。该存储器适用于代码影射到 RAM、固态应用和存储应用,具有低功耗和高性能的特点。它采用 48 引脚 TSOP1 和 63 球 VFBGA 封装,支持工业级温度范围(-40°C 至 85°C)。
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  • W25N04KW 是一款 4G-bit 单层单元 (SLC) Qspi NAND 闪存,支持双/四线 SPI 接口,具有缓冲读取和顺序读取功能。该设备可在 1.70V 到 1.95V 的单电源下工作,具有低功耗和宽温度范围的特点。
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  • W29N08GW/Z(8G-bit)NAND Flash存储器为嵌入式系统提供了有限空间、引脚和功耗的存储解决方案。适用于代码映射到RAM、固态应用和存储媒体数据等。该设备在1.7V至1.95V的单电源下工作,活动电流低至13mA,CMOS待机电流低至20μA。
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  • W29N08GW/Z(8G-bit)NAND Flash存储器为嵌入式系统提供了有限空间、引脚和功耗的存储解决方案。适用于代码映射到RAM、固态应用和存储媒体数据等。该设备在1.7V至1.95V的单电源下工作,活动电流低至13mA,CMOS待机电流低至20μA。
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  • LPDDR2 SDRAM 2Gb,内部配置为8个Bank的内存设备。该设备使用双数据速率架构在命令/地址(CA)总线上减少系统中的输入引脚数量。10位CA总线包含命令、地址和Bank/Row缓冲信息。
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