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    W97BH6MB是一款低功耗DDR2 SDRAM,具有2Gb的存储容量,16位数据宽度,支持1066Mbps的数据速率。该器件使用双数据率架构,通过减少系统中的输入引脚数量来实现高速操作。它还支持边界扫描测试,具有多种工作模式,包括深度掉电模式。
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  • W25N04KW 是一款 4G-bit 单层单元 (SLC) Qspi NAND 闪存,支持双/四线 SPI 接口,具有缓冲读取和顺序读取功能。该设备可在 1.70V 到 1.95V 的单电源下工作,具有低功耗和宽温度范围的特点。
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  • W29N08GW/Z(8G-bit)NAND Flash存储器为嵌入式系统提供了有限空间、引脚和功耗的存储解决方案。适用于代码映射到RAM、固态应用和存储媒体数据等。该设备在1.7V至1.95V的单电源下工作,活动电流低至13mA,CMOS待机电流低至20μA。
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  • W25N04KW 是一款 4G-bit 单层单元 (SLC) Qspi NAND 闪存,支持双/四线 SPI 接口,具有缓冲读取和顺序读取功能。该设备可在 1.70V 到 1.95V 的单电源下工作,具有低功耗和宽温度范围的特点。
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  • W25N04KW 是一款 4G-bit 单层单元 (SLC) Qspi NAND 闪存,支持双/四线 SPI 接口,提供缓冲读取和顺序读取模式。该设备可在 1.70V 至 1.95V 的单电源下工作,具有低功耗和宽温度范围的特点。W25N04KW 支持高达 104MHz 的标准 SPI 时钟频率,以及 208MHz 和 416MHz 的等效双/四线 SPI 时钟频率。此外,还提供了内置的 ECC 功能和灵活的页面加载方法。
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  • W29N04GV是一款4Gbit的3.3V NAND FLASH存储器,适用于低功耗应用。其组织结构为512MB,每个块包含64个可编程页面,每个页面大小为2112字节(2048 + 64字节)。支持单级单元(SLC)技术,提供高速读写性能和低功耗。
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  • W29N04KW/ZxxBG 是一款4Gbit 1.8V NAND FLASH存储器,支持标准NAND命令集,适用于低功耗和高密度存储应用。提供48-pin TSOP1和63-ball VFBGA封装。
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  • W29N04KW/ZxxBF 是 4Gbit 的 NAND Flash 存储器,适用于嵌入式系统,支持标准 NAND 命令集,工作电压为 1.7V 到 1.95V,支持 8 位和 16 位总线宽度。
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  • W29N08GV 是一款 8Gbit 的 NAND FLASH 存储器,支持标准 NAND 命令集,工作电压为 2.7V 至 3.6V。该存储器适用于代码影射到 RAM、固态应用和存储应用,具有低功耗和高性能的特点。它采用 48 引脚 TSOP1 和 63 球 VFBGA 封装,支持工业级温度范围(-40°C 至 85°C)。
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  • W25N04KW 是一款 4G-bit 单层单元 (SLC) Qspi NAND 闪存,支持双/四线 SPI 接口,具有缓冲读取和顺序读取功能。该设备可在 1.70V 到 1.95V 的单电源下工作,具有低功耗和宽温度范围的特点。
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  • W29N08GW/Z(8G-bit)NAND Flash存储器为嵌入式系统提供了有限空间、引脚和功耗的存储解决方案。适用于代码映射到RAM、固态应用和存储媒体数据等。该设备在1.7V至1.95V的单电源下工作,活动电流低至13mA,CMOS待机电流低至20μA。
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